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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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HUF76629DS3Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET
Produkt ist nicht verfügbar
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HUF76629DS3ON SemiconductorHUF76629DS3
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
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HUF76633P3onsemi / FairchildMOSFETs 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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HUF76633P3 F085
Produktcode: 94093
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Transistoren > MOSFET N-CH
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HUF76633P3-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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HUF76633P3-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633P3-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.57 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633P3-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633P3-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633P3-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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HUF76633P3-R4883ON SemiconductorON Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
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HUF76633P3_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 38A,100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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HUF76633P3_R4883ON Semiconductor / FairchildON Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633P3_SN00075ON Semiconductor / FairchildON Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633S3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
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HUF76633S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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HUF76633S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUF76633S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
auf Bestellung 12648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
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HUF76633S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 729 Stücke
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HUF76633S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633S3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
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HUF76633S3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76633S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS D2PAK 100V 36 MOHM
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HUF76633S3ST-F085
Produktcode: 132414
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Transistoren > MOSFET N-CH
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HUF76633S3ST-SB82274onsemionsemi
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HUF76639P3FAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUF76639P3
Produktcode: 46829
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639P3onsemi / FairchildMOSFETs 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639P3_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V,50A,0.027 OHM,NCH,LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639P3_Qonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3STonsemiMOSFETs 50A 100V 0.026 Ohm Logic Level N-Ch
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.17 EUR
100+2.37 EUR
500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 180W; TO263AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 180W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.82 EUR
10+3.78 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3ST
Produktcode: 176379
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 50A, 100V, 0.026 Ohm N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3STR4882infleon
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3ST_SN00076onsemi / FairchildArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3ST_SN00077onsemi / FairchildArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76645P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76645P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76645S3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76645S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76645S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUF76645S3S???FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76645S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
138+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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HUFA7510P3onsemi / FairchildMOSFET TO-220
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HUFA75249D3ST
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUFA75307D3onsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307D3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUFA75307D3Sonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75307D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1686+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1268 Stücke
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HUFA75307D3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75307D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1526+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1526 Stücke
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HUFA75307D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307P3onsemi / FairchildMOSFETs 15a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 10804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
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HUFA75307P3_Qonsemi / FairchildMOSFETs 15a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307T3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307T3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307T3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75307T3STFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1211+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: I-PAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1374+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309D3Sonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 55V/3.0A/0.070 OHMS N-CH SOT-223 TAPE AND REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309D3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 13174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1312+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309P3onsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309T3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75309T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 34459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
972+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 972 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 34459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
875+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 875 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75309T3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75321D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
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HUFA75321D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
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HUFA75321D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36
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HUFA75321D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
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HUFA75321D3STQFairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36
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HUFA75321D3STQONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75321D3STQ - MISCELLANEOUS MOSFETS
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HUFA75321P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
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HUFA75321S3SFAIRCHILD07+ TO-263
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