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Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.77 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.55 EUR
70+	3.32 EUR
102+	2.11 EUR
500+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IPB056N06N

MOSFET 60V TO-263

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IPB057N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2

auf Bestellung 810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.16 EUR
10+	2.67 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.3 EUR
2000+	1.2 EUR
5000+	1.14 EUR

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IPB057N06N
Produktcode: 176082

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.01 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.06 EUR
64+	2.64 EUR
69+	2.36 EUR
100+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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IPB057N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2

auf Bestellung 1111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.29 EUR
2000+	1.13 EUR

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IPB057N06NATMA1

Infineon

IPB057N06NATMA1 IPB057N06N MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 Транзистори

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IPB057N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.44 EUR
200+	1.95 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.34 EUR
75+	2.26 EUR
104+	1.56 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.02 EUR
2000+	0.98 EUR
3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.74 EUR
69+	2.5 EUR
100+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.2 EUR
2000+	1.18 EUR
3000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB057N06NATMA1

auf Bestellung 1550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.9 EUR
74+	3.15 EUR
88+	2.44 EUR
200+	1.95 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.2 EUR
2000+	1.15 EUR
3000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.37 EUR
74+	2.33 EUR
104+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.12 EUR
2000+	1.09 EUR
3000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IPB057N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.12 EUR
48+	4.89 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.12 EUR
10+	3.97 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.15 EUR
2000+	2.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.09 EUR
10+	3.97 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.47 EUR
500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05CN10NG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.65 EUR
49+	3.47 EUR
50+	3.11 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03

TO-263

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

507+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 507 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LA

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LAG

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LAG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LAT

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LB

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LB

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LB G

TO-263

auf Bestellung 32000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

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IPB05N03LE3045A

03+ TO-263

auf Bestellung 650 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N06L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N06LG

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB060N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	12.38 EUR
31+	7.66 EUR
100+	5.08 EUR
500+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

auf Bestellung 2292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.39 EUR
10+	6.91 EUR
100+	4.94 EUR
500+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB060N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.08 EUR
500+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB060N15N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.56 EUR
10+	6.37 EUR
100+	4.57 EUR
500+	4.38 EUR
1000+	4.08 EUR

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IPB065N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB065N03L G

TO-263

auf Bestellung 62000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB065N03LG

08+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

333+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 333 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB065N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 182 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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IPB065N06L G

TO-263

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N06LG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

auf Bestellung 777 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.87 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.99 EUR
34+	4.99 EUR
37+	4.46 EUR
100+	3.72 EUR
250+	2.64 EUR
500+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N10N3GATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.94 EUR
10+	6.24 EUR
100+	5.02 EUR
500+	4.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3 G

Infineon

auf Bestellung 19000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	12.28 EUR
25+	11.59 EUR
50+	10.9 EUR
100+	10.31 EUR
250+	9.84 EUR
500+	9.42 EUR
1000+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 845 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.7 EUR
40+	4.2 EUR
100+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.65 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.7 EUR
40+	4.05 EUR
100+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB067N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1896 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.49 EUR

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IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V

auf Bestellung 5287 Stücke:

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IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

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1000+	2.31 EUR

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IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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1000+	5.94 EUR

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IPB068N20NM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 134A; Idm: 536A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 134A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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IPB068N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.72 EUR
15+	15.73 EUR
18+	12.15 EUR
50+	10.65 EUR
100+	9.13 EUR
250+	8.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB068N20NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

auf Bestellung 2801 Stücke:

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1+	16.59 EUR
10+	11.33 EUR
100+	9.34 EUR
500+	8.32 EUR
1000+	7.79 EUR

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IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

auf Bestellung 2262 Stücke:

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2+	15.04 EUR
10+	10.2 EUR
100+	7.46 EUR
500+	7.26 EUR

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IPB068N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm

auf Bestellung 313 Stücke:

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13+	19.72 EUR
15+	15.73 EUR
18+	12.15 EUR
50+	10.65 EUR
100+	9.13 EUR
250+	8.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB06CN10N G