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Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.01 EUR

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IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.18 EUR
3000+	1.95 EUR

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IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.47 EUR
46+	3.72 EUR
58+	2.87 EUR
100+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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IPB039N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

auf Bestellung 1223 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.41 EUR
10+	3.8 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.26 EUR
2000+	2.14 EUR

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IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.02 EUR
56+	2.98 EUR
100+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

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IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

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61+	2.83 EUR
70+	2.39 EUR
77+	2.08 EUR
100+	1.89 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

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IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.83 EUR
70+	2.45 EUR
77+	2.17 EUR
100+	2 EUR
250+	1.95 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.81 EUR

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IPB039N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm

auf Bestellung 2587 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.22 EUR
42+	5.59 EUR
100+	3.88 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.39 EUR
10+	4.16 EUR
50+	3.2 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPB039N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 32000 Stücke

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IPB039N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 32000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB039N10N3GE8197ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LA

INF

07+;

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

auf Bestellung 703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 202 Stücke

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IPB03N03LAG

infineon

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LB

infineon

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LB G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB03N03LBG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

185+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

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IPB0401NM5S

Infineon

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB0401NM5SATMA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

TRENCH >=100V

auf Bestellung 1155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	2.77 EUR
500+	2.58 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.22 EUR
47+	5.01 EUR
100+	3.26 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.08 EUR
10+	4.65 EUR
100+	3.26 EUR
500+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

TRENCH >=100V

auf Bestellung 38373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	2.77 EUR
500+	2.58 EUR
1000+	2.4 EUR
10000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB0401NM5SATMA1

Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.26 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.7 EUR
61+	3.86 EUR
100+	3.05 EUR
500+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 489 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.46 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.48 EUR
800+	1.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 107A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.05 EUR
500+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.55 EUR
10+	2.92 EUR
50+	2.21 EUR
100+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 25100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

344+	1.88 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.5 EUR
10000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 344 Stücke

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IPB040N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IPB041N04N G

INF

TO-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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IPB041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB042N03L G

INF

TO-263

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB042N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB042N03LGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB042N10N3 G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 778 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.99 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

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IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.89 EUR
50+	3.69 EUR
100+	3.49 EUR
250+	3.31 EUR
500+	3.17 EUR
1000+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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IPB042N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB042N10N3 G

Infineon

auf Bestellung 167000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 778 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.7 EUR
67+	2.57 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.3 EUR
500+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

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IPB042N10N3 G E8187

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1372 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.46 EUR
58+	2.88 EUR
60+	2.67 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm

auf Bestellung 1140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
200+	2.59 EUR
500+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 17000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.15 EUR
3000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB042N10N3GATMA1
Produktcode: 117738

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.56 EUR
3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1372 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.46 EUR
58+	2.95 EUR
60+	2.77 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.57 EUR
35+	2.49 EUR
39+	2.19 EUR
50+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm

auf Bestellung 1140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.5 EUR
60+	3.9 EUR
69+	3.11 EUR
200+	2.59 EUR
500+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 4145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.24 EUR
10+	3.14 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 17602 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.34 EUR
10+	4.14 EUR
50+	3.18 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.56 EUR
3000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 31000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10NF2SATMA1

IPB042N10NF2SATMA1

auf Bestellung 459200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

271+	2.38 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.9 EUR
10000+	1.67 EUR
100000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 271 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10NF2SATMA1

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB042N10NF2SATMA1

IPB042N10NF2SATMA1

auf Bestellung 898400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

271+	2.38 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.9 EUR
10000+	1.67 EUR
100000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 271 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2S

IFX FET >80 - 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.87 EUR
107+	1.55 EUR
109+	1.48 EUR
113+	1.37 EUR
158+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 92 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.78 EUR
67+	2.49 EUR
74+	2.2 EUR
135+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm

auf Bestellung 584 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.38 EUR
500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	1.58 EUR
110+	1.55 EUR
115+	1.45 EUR
160+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 104 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.15 EUR
10+	2.53 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.73 EUR
800+	1.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 135A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 4.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB043N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm

auf Bestellung 584 Stücke:

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40+	6.25 EUR
62+	3.76 EUR
100+	2.38 EUR
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IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB044N15N5

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPB044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm

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IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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25+	7.06 EUR

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IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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18+	9.89 EUR
26+	6.74 EUR
50+	6.5 EUR
100+	4.99 EUR

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IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 184000 Stücke:

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1000+	5.33 EUR
3000+	5.25 EUR

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IPB044N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7

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IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

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100+	7.31 EUR
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IPB044N15N5ATMA1