Produkte > MJD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| MJD31T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD31T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD32B | ST | TO-252 | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32BT4 | STM | 07+ TO-252 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C Produktcode: 191777
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD32C | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32C-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32C-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252; 2500pcs. Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Case: DPAK; TO252 Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Manufacturer standard package: 2500pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32C-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C-TP | Micro Computer Control | MJD32C-TP | auf Bestellung 67500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32C-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32C/J32C | MOTO | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD32C1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32C1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32C1 | auf Bestellung 17070 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD32C1 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CA | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CA | Nexperia | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CA | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 65 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CAJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CAJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT | auf Bestellung 837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CAJ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CAJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CAJ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CAJ Produktcode: 191470
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CG | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 10023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CG Produktcode: 117659
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP | auf Bestellung 4069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CG | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CG | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CJ | NXP | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD32CJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CJ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT | auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CJ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CQ-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 1968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252; 2500pcs. Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Manufacturer standard package: 2500pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CR | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD32CRL | MOTOROLA | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD32CRL | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CRLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP | auf Bestellung 2322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD32CRLG | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD32 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CRLG | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 50400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 43200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD32 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 51560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 187500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4 Produktcode: 113107
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 3573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch | auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STM | TRANS PNP 100V 3A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 187500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS | auf Bestellung 5440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, Тип монт. = smd, hFE = 10 @ 3 А, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 В @ 375 мА, 3 A, Тексп, °С = +150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 6197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4-A | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4-A Produktcode: 132425
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