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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K56CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
452+0.38 EUR
524+0.32 EUR
685+0.23 EUR
918+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3FToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.26 EUR
693+0.25 EUR
918+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.32 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 406 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.32 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 288095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.93 EUR
610+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1007+0.21 EUR
1087+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 288095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.93 EUR
610+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1007+0.21 EUR
1087+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FSToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
auf Bestellung 3940874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
68+0.31 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
auf Bestellung 58063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
11+0.31 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
auf Bestellung 3939000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 897 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.15 EUR
1223+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.186ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56FSLF(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM
auf Bestellung 5034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1004+0.18 EUR
1037+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 772 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K59CTB,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
auf Bestellung 16480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K59CTB,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K59CTB,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
auf Bestellung 9929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.68 EUR
50+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K62TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
auf Bestellung 3594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.45 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
318+0.73 EUR
466+0.46 EUR
663+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
318+0.73 EUR
466+0.46 EUR
663+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002AF(T5LFTToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BF(T5L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3226+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BF(T5LF)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BF,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFSToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFSLF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFUToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFU
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFU(T5L,FToshibaMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V .2A USM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFU(T5L,FToshibaN-Channel, SOT-323 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFU,LFToshibaMOSFET SS FET N-Ch 0.2A 60V 20V 17pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BFU,LF(TToshibaMOSFET N-Ch FET U-MOSIV 60V 200mA 17pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BS,LF(DToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9147+0.073 EUR
10274+0.064 EUR
100000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BS,LF(DToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 738000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9147+0.073 EUR
10274+0.064 EUR
100000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BSU
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002BSU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 8505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
23+0.14 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
9000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 92965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
143+0.14 EUR
164+0.13 EUR
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LF(BToshibaSSM3K7002CFU,LF(B
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2013+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 2013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K7002CFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
auf Bestellung 38953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.42 EUR
1387+0.17 EUR
1600+0.13 EUR
2218+0.096 EUR
2451+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K7002CFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
auf Bestellung 38953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.42 EUR
1387+0.17 EUR
1600+0.13 EUR
2218+0.096 EUR
2451+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LF(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002CFULF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FTOSHIBASOT23
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002F
Produktcode: 161892
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002F (T5L,F,T)ToshibaТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002F(T5LFT?TOSHIBA
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002F(TE85L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FT5L,F.T
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FUToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FUTOSHIBASOT323
auf Bestellung 387000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FU T5LF.TTOSHIBASOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FU(T5L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FUT5LFToshibaMOSFET Small-signal MOSFET 60V, 150mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FUT5LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A USM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002FUT5LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002KF LXHFToshiba N CHAN 60V SOT-346(S-MINI)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002KF,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002KF,LFToshibaMOSFETs Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002KF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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SSM3K7002KF,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
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SSM3K7002KF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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