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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
2N50CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N50 (MTP2N50)
Produktcode: 77943		FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 4
Ciss, pF/Qg, nC: 400/15
JHGF: THT
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2N500MOTCAN
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N500MOTOROLA
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2N5000Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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2N5000MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5000Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5001Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5001Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2N5001MOTOROLA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5002Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
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2N5002Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 51 Stücke:
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1+731.93 EUR
10+ 731.85 EUR
25+ 731.77 EUR
100+ 679.61 EUR
2N5002MOTOROLA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5002Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
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2N5003Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2N5003Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5003MOTOROLA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5004Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
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2N5004Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5004MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5004Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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2N5005Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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2N5005Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
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2N5005Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5006Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
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2N5006MOTOROLA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5006Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5007Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5007Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
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2N5007MOTOROLA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5008Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
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2N5008MOTOROLA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5008Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5009MOTOROLA
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2N500AMOTOROLA
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2N501MOTCAN
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2N501MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N5010MOTCAN
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5010Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5010Microsemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5010Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5010MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5010AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5010SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N5010SMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5010U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5010U4Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N5011MOTCAN
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5011Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5011MOTOROLA
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2N5011AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5011SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N5011SMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5011U4Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N5011U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5012Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5012MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
auf Bestellung 292 Stücke:
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5+36.65 EUR
25+ 22.1 EUR
100+ 17.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N5012VISHAYCAN
auf Bestellung 328 Stücke:
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2N5012MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5012Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
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2N5012MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5012Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5012AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5012SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
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2N5013MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5013MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2N5013Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5013Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
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2N5013AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5013SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
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2N5014MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5014Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
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2N5014Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5014MOTCAN
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5014AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5014SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
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2N5015MOTCAN
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5015Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
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2N5015MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5015MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5015Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5015AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5015SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
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2N5017MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5017AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5018MOTCAN
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5018MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5018AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5019InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 102-116 Tag (e)
2+31.15 EUR
10+ 26.68 EUR
25+ 24.21 EUR
100+ 22.23 EUR
250+ 20.93 EUR
500+ 19.63 EUR
750+ 17.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5019MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5019MOTCAN
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5019AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N501AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N501AMOTCAN
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N502MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5020InterFETJFET JFET P-Channel 25V Low Ciss
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+33.8 EUR
10+ 29.8 EUR
25+ 28.99 EUR
50+ 27.38 EUR
100+ 25.74 EUR
250+ 24.96 EUR
500+ 23.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5020MOTOROLA
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5020MOTCAN
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5020AMOTOROLA
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5021MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5021InterFETJFET JFET P-Channel 25V Low Ciss
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2N5021MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5021AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5022MOTCAN
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5022MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5022AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5023MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5023MOTCAN
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5023AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5024MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5024AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5027MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5027AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5028MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5028AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5029MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5029AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N502AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N502AMOTCAN
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N502BMOTCAN
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N503MOTCAN
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N503MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5030MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5031Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
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2N5031MicrosemiTrans RF BJT NPN 10V 0.02A 4-Pin TO-72
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2N5031Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB @ 400MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
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2N5031MOTOROLA
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5031MOTCAN
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5032MOTCAN
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5032MOTOROLA
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5033MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5034MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5035MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5036MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5037MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5038CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Case: TO3
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.43 EUR
26+ 2.83 EUR
31+ 2.35 EUR
33+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038Solid State Inc.Description: TRANS NPN TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2N5038CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Case: TO3
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.43 EUR
26+ 2.83 EUR
31+ 2.35 EUR
33+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 90V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-3 NPN POWER SW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038GonsemiBipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.42 EUR
10+ 21.09 EUR
100+ 18.38 EUR
200+ 17.76 EUR
500+ 16.64 EUR
1000+ 14.56 EUR
2500+ 14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N5038GonsemiDescription: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.21 EUR
10+ 22.47 EUR
25+ 20.93 EUR
100+ 18.73 EUR
300+ 17.63 EUR
500+ 16.52 EUR
1000+ 14.87 EUR
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5038GON
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5038G
Produktcode: 67440		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204AA
Uceo,V: 90
Ucbo,V: 150
Ic,A: 20
ZCODE: THT
verfügbar 26 Stück:
6 Stück - stock Köln
20 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+4.48 EUR
10+ 3.92 EUR
2N5039Central SemiconductorCentral Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5039Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
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2N5039Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N5039NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 75V 20A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.82 EUR
10+ 10.27 EUR
20+ 9.72 EUR
50+ 9.2 EUR
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2N5039MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5039Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5039Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5039Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 75V 20A TO3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
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2N503AMOTOROLA
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2N504MOTOROLA
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2N504MOTCAN
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2N5040MOTOROLA
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2N5040MOTCAN
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2N5040AMOTOROLA
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2N5041MOTOROLA
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2N5041MOTCAN
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2N5041AMOTOROLA
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2N5042MOTOROLA
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2N5042MOTCAN
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2N5042AMOTOROLA
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2N5043MOTCAN
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2N5043MOTOROLA
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2N5043AMOTOROLA
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2N5044MOTCAN
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2N5044MOTOROLA
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2N5044AMOTOROLA
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2N5045NSCAN
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2N5045MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5045AMOTOROLA
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2N5046NSCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
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2N5046MOTOROLA
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2N5046AMOTOROLA
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2N5047MOTOROLA
auf Bestellung 3890 Stücke:
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2N5047NSCAN
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2N5047AMOTOROLA
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2N5048Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
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2N5048MOTOROLA
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5048Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5048AMOTOROLA
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2N5049MOTOROLA
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5049Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5049AMOTOROLA
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N504AMOTOROLA
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2N505MOTCAN
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2N505MOTOROLA
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2N5050Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5050MOT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5050Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5050 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
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2N5050 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
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2N5051Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5051Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5051Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 150V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66
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2N5051 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
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2N5051 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
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2N5052Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5052Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5052 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
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2N5052 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 2A 40000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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2N5052 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
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2N5053MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5053MOTCAN
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5054MOTCAN
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5054MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5055MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5056MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5056MOTCAN
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5057MOTCAN
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5057MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5058MOTCAN
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5058Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 300V 0.15A TO-39
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5058MOTOROLA
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5058 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 300V 0.15A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.86 EUR
10+ 13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5058 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.99 EUR
10+ 13.7 EUR
25+ 12.43 EUR
100+ 11.41 EUR
250+ 10.76 EUR
500+ 10.06 EUR
1000+ 8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N5058 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 1W
Case: TO39
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30...160MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N5058 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 1W
Case: TO39
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30...160MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N5059MOTCAN
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5059MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5059 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 0.15A 1000mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
2N5059 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
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2N505AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N506MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5060onsemiSCRs 30V 800mA
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060ON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 30V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
auf Bestellung 10414 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
21+ 1.25 EUR
100+ 0.86 EUR
2500+ 0.55 EUR
5000+ 0.52 EUR
10000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2N5060 PBFREECentral SemiconductorSilicon Controlled Rectifier 0.8 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 30V
auf Bestellung 4664 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.45 EUR
42+ 1.26 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.57 EUR
2500+ 0.55 EUR
5000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 36
2N5060 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 30Vdrm 0.8A Rms
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060GON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060GonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060GonsemiSCRs THY 0.8A 30V SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060GON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5060G
Produktcode: 22577		ONThyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 30V
I-auf,mA: 0,2mA
Imax,A: 0,8A
verfügbar 51 Stück:
30 Stück - stock Köln
21 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.16 EUR
2N5060GON SemiconductorSCR 30V 0.8A(RMS) 10A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5060G - Thyristor, 30 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 30
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RL1onsemiDescription: SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RLRAGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
auf Bestellung 66185 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1776+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1776
2N5060RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RLRAGON Semiconductor
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5060RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5060RLRAG - 2N5060RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 66185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5060RLRAGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RLRMonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RLRMON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Tape and Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RLRMON07+;
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5060RLRMGON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RLRMGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5060RLRMGON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061ON
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5061onsemiSCRs 50V 800mA Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061ON SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 60V
auf Bestellung 16868 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.45 EUR
42+ 1.26 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.55 EUR
2500+ 0.53 EUR
10000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36
2N5061 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
auf Bestellung 7139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
21+ 1.25 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.61 EUR
2500+ 0.55 EUR
5000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2N5061 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 60Vdrm 0.8A Rms
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2N5061 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
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2N5061 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
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2N5061G
Produktcode: 48398		Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 60V
I-auf,mA: 0,5mA
Imax,A: 1A
ZCODE: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061GonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061GON SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061GonsemiSCRs 50V 800mA Thyristor
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2N5061GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5061G - Thyristor, 60 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 60
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
2N5061RLRAonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
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2N5061RLRAGON10+ TSSOP
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5061RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5061RLRAGonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062onsemiSCRs 100V 800mA Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062
Produktcode: 175840		ONThyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 100 V
I-auf,mA: 510 mA
Imax,A: 10 A
auf Bestellung 1337 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5062LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
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2N5062 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
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2N5062 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
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2N5062 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
21+ 1.26 EUR
100+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2N5062 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92
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2N5062 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 100V
auf Bestellung 7568 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.45 EUR
42+ 1.27 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.62 EUR
2500+ 0.55 EUR
5000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 36
2N5062 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 100Vdrm 0.8A Rms
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2N5062 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
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2N5062G
Produktcode: 1012		Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062GonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062GON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062GON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062GonsemiSCRs 100V 800mA Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062RLRAonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
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2N5062RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5062RLRA - 2N5062RLRA, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5062RLRAonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2959+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
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Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5062RLRAG - 2N5062RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5062RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5062RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
auf Bestellung 6561 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1776+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1776
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5062RLRAG
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5062RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5063Central Semiconductor CorpDescription: SCR 0.8A 150V TO-92
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5063LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
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2N5063 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5063 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5063 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 150V
auf Bestellung 2699 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.38 EUR
43+ 1.22 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.69 EUR
2500+ 0.54 EUR
5000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 38
2N5063 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 150V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 150 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2N5063 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 150Vdrm 0.8A Rms
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2N5063 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5063 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064onsemiSCRs 200V 800mA Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064Littelfuse Inc.Description: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064LittelfuseThyristor SCR 200V 20A 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064LittelfuseSCRs 200V .8A 200uA Sensing
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2N5064 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 200V
auf Bestellung 6731 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.4 EUR
43+ 1.22 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.6 EUR
2500+ 0.5 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
2N5064 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 200Vdrm 0.8A Rms
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.4 EUR
42+ 1.24 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.6 EUR
2000+ 0.57 EUR
4000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38
2N5064 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064,112NXP SemiconductorsThyristor SCR 200V 10A 3-Pin SPT Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064,112NXP SemiconductorsSCRs BULK SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064,112NXP USA Inc.Description: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.71 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064GonsemiSCRs THY 0.8A 200V SCR
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064GonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064GON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064GOn Semiconductor
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5064GON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5064G - Thyristor, 200 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 200
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064G
Produktcode: 62224		Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Produkt ist nicht verfügbar
2N5064GMICIt=0,8A; Vdrm=200V; Igt=200uA *obsolete*2N5064G, 2N5064RLRMG, 2N5064RLRAG, 2N5064,112 2N5064 TO92 TY000.82n5064
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N5064RLRAonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
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Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
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2N5064RLRAGonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
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Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
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2N5064RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5064RLRAG
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N5064RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5064RLRMonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
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Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
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Part Status: Obsolete
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2N5064RLRMGON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5064RLRMGON07+;
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5064RLRMGonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
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Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
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2N5064RPLittelfuse Inc.Description: SCR 200V 800MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
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Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
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2N5065MOTCAN
auf Bestellung 391 Stücke:
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2N5066Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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2N5066MOTCAN
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5066Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.1A 3-Pin TO-46
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2N5066Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
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2N5067Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5068Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5068Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
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Power - Max: 87 W
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2N5069Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
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2N5069Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N5069Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N506AMOTOROLA
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2N507MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5071Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5073MOTCAN
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5074Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 40 W
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2N5074Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5075Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5075Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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Power - Max: 40 W
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2N5076Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5076Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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Power - Max: 40 W
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2N5077Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5077General SemiconductorDescription: TRANS 250V 3A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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Power - Max: 40 W
auf Bestellung 32 Stücke:
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2+658.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5078MOTOROLA
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2N5078MOTCAN
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2N5079MOTCAN
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2N507AMOTOROLA
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2N508MOTCAN
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2N508MOTOROLA
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2N5080MOTCAN
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2N5081MOTCAN
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2N5082MOTCAN
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5083Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5083Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
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2N5084Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
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2N5084Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5085Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5085Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
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Power - Max: 20 W
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2N5086Fairchild SemiconductorDescription: 2N5086 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
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2N5086ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2N5086onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92
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2N5086 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
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2N5086 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
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2N5086 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
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2N5086 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
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2N5086 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
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2N5086 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
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2N5086 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
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2N5086 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
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2N5086 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
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2N5086 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
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2N5086 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
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2N5086 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
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2N5086 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
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2N5086BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5086BU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 96478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5086BUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 96478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2N5086TAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
2N5086TARonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5086TFonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5086TFRonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Produkt ist nicht verfügbar
2N5087onsemiBipolar Transistors - BJT SS T092 LN XSTR PNP 50V
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2N5087ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2N5087MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL
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2N5087
Produktcode: 144832		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N5087Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
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2N5087 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
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2N5087 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
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2N5087 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.44 EUR
2500+ 0.37 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2N5087 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
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Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 5730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
28+ 0.96 EUR
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2500+ 0.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 24
2N5087 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5W
auf Bestellung 3717 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.38 EUR
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2000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 38
2N5087 TRA PBFREECentral Semiconductor2N5087 TRA PBFREE
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2N5087 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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47+ 1.11 EUR
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2500+ 0.46 EUR
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2N5087BUonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
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Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Produkt ist nicht verfügbar
2N5087BUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5087BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 40
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N5087GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
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2N5087GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087RLRAGON09+
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5087RLRAG
Produktcode: 18859		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 40 MHz
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.05
h21,max: 250
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087TAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087TARonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087TFonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
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2N5087TFRON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087TFRonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087_J18ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087_J61ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5087_S00ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
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2N5088onsemiBipolar Transistors - BJT
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2N5088FAIRCHILD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5088
Produktcode: 161421		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 35 V
Ic,A: 0,05 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 84 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5088onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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2N5088 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5088 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
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2N5088 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
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2N5088 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
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2N5088 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300...900
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
94+ 0.76 EUR
135+ 0.53 EUR
196+ 0.37 EUR
207+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 71
2N5088 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300...900
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
94+ 0.76 EUR
135+ 0.53 EUR
196+ 0.37 EUR
207+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 71
2N5088 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 6674 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
54+ 0.96 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.65 EUR
2500+ 0.36 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2N5088 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
28+ 0.96 EUR
100+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2N5088 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW
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2N5088 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
auf Bestellung 3704 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
54+ 0.97 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.45 EUR
2000+ 0.38 EUR
10000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2N5088 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
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2N5088 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5088 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5088BUonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088BUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5088GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29368		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 35
Ic,A: 0,05
h21: 900
verfügbar 120 Stück:
1+0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
100+ 0.032 EUR
2N5088RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088RLRA
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5088RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 3531 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2N5088TAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5088TA - 2N5088TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5088TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TARonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TARON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TARonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TARON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 39320 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2N5088TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 6289 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2N5088TFonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2N5088TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088TFRonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088_D11ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088_D81ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5088_J61ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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2N5089Central SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Box
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2N5089FSC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5089Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N5089onsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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2N5089onsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
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2N5089 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 36987		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 25
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,05
h21: 1200
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2N5089 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
auf Bestellung 4690 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
54+ 0.97 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.45 EUR
2000+ 0.38 EUR
10000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2N5089 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5089 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
95+ 0.76 EUR
136+ 0.53 EUR
197+ 0.36 EUR
208+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 72
2N5089 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 10969 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
54+ 0.96 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.46 EUR
2500+ 0.36 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2N5089 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 14612 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
28+ 0.96 EUR
100+ 0.67 EUR
2500+ 0.38 EUR
5000+ 0.36 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2N5089 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
95+ 0.76 EUR
136+ 0.53 EUR
197+ 0.36 EUR
208+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 72
2N5089 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
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2N5089 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.28 EUR
47+ 1.11 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.5 EUR
2500+ 0.46 EUR
10000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 41
2N5089 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5089 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5089BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089BUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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2N5089GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N5089GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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2N5089GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089TAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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2N5089TAFairchild
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5089TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089TARonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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2N5089TA_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN 25V 100mA HFE/12
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089TFonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089TFRonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5089_J18ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N508AMOTCAN
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N508AMOTOROLA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N509MOTCAN
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N509MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5090Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5091Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5091MOTCAN
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5092Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5092MOTCAN
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5093MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5093MOTCAN
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5094MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5094MOTCAN
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5095Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 500V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 4 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5095MOTCAN
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5096MOTCAN
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5096Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 500V 1A 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
2N5096Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5097MOTCAN
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5097Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 600V 1A 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
2N5097MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5098MOTCAN
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5099Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 800V 1A 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
2N5099MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5099MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5099Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 4 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5099MOTOROLA
auf Bestellung 680 Stücke:
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2N5099AMOTOROLA
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N509AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N50EPH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N51CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N510MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5103MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5103MOTCAN
auf Bestellung 987 Stücke:
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2N5104MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2N5104MOTCAN
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5105MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2N5105MOTCAN
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5106MOTCAN
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5106MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5106AMOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5107MOTOROLA
auf Bestellung 15000 Stücke:
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2N5107MOTCAN
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5108MOTCAN
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5108MOTOROLA
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5109MICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109Microchip TechnologyTrans RF BJT NPN 20V 0.4A 2500mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31239		Central SemiconductorTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
fT: 1.2 GHz
Uceo,V: 20
Ucbo,V: 40
Ic,A: 0,4
h21: 120
Bem.: 1Wt
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2N5109 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN RF 40Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 400mA 1.0W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5109JANIR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5109JANTXIR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5109UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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2N5109UB BKCentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: UB
Part Status: Obsolete
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2N510AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N511MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5110MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5110MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5111MOTCAN
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5111MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5112MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5113MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5114Microchip TechnologyJFET JFET
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2N5114Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5114Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N5114Microchip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
2N5114VISHAY
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5114VISHAYCAN
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5114InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.54 EUR
10+ 27.79 EUR
25+ 27.04 EUR
50+ 25.53 EUR
100+ 24.02 EUR
250+ 23.27 EUR
500+ 21.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5114MOTCAN3
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5114Vishay SemiconductorsJFET 30V 10pA
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2N5114VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
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2N5114Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
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2N5114Vishay2002
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5114 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.85 EUR
10+ 17.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5114 TO-18 3L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.91 EUR
10+ 13.65 EUR
100+ 11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5114-E3VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
Produkt ist nicht verfügbar
2N5114-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
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2N5114E3MicrosemiTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18
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2N5114JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
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2N5114JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
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2N5114JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N5114JTX02Vishay19500/476 JANTX2N5114
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2N5114JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
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2N5114JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
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2N5114UBMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
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2N5114UBMicrosemiTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+164.02 EUR
2N5114UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
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2N5114UB/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
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2N5114UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Qualification: MIL-PRF-19500
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2N5115MOTO
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5115Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5115VISHAY0018+ TO-18
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5115Central Semiconductor CorpDescription: IC JUNCTION FET P-CH TO-18
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2N5115Microchip TechnologyJFET JFET
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2N5115Vishay00+/01
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5115VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
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2N5115VISHAYCAN
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5115InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.54 EUR
10+ 27.79 EUR
25+ 27.04 EUR
50+ 25.53 EUR
100+ 24.02 EUR
250+ 23.27 EUR
500+ 21.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5115Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5115Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5115 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.76 EUR
10+ 13.5 EUR
100+ 11.25 EUR
500+ 9.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5115-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5115-E3VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
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2N5115E3Microchip TechnologyJFET JFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 448-462 Tag (e)
1+92.53 EUR
100+ 85.96 EUR
2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5115JANVishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
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2N5115JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5115JANTXVishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
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2N5115JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5115JTX02VishayTrans JFET
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2N5115JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5115JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
Produkt ist nicht verfügbar
2N5115JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5115UBMicrochip TechnologyJFET JFET
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2N5115UBMicrosemi CorporationDescription: P CHANNEL JFET
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2N5115UBMicrochip / MicrosemiJFET JFETs
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2N5115UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
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2N5115UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET
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2N5115UB/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
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2N5116VISHAY
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5116VISHAYCAN
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5116SIL
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5116InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.54 EUR
10+ 27.79 EUR
25+ 27.04 EUR
50+ 25.53 EUR
100+ 24.02 EUR
250+ 23.27 EUR
500+ 21.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5116Vishay2002
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5116Solid State Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 mV
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+13.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2N5116VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
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2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5116 BK PBFREECentral SemiconductorJFET P-Ch Junc FET
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2N5116 PBFREECentral SemiconductorTrans JFET P-CH Si 3-Pin TO-18
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2N5116 PBFREECentral SemiconductorJFET
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2N5116 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
auf Bestellung 4621 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5116 TO-18 3L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.2 EUR
10+ 16.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5116-E3VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
Produkt ist nicht verfügbar
2N5116-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5116JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5116JANTXVishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
Produkt ist nicht verfügbar
2N5116JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
Produkt ist nicht verfügbar
2N5116JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
Produkt ist nicht verfügbar
2N5116JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
Produkt ist nicht verfügbar
2N5116JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
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2N5116UAMicrochip TechnologyJFET JFET
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2N5116UA/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET
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2N5116UA/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
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2N5116UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
Produkt ist nicht verfügbar
2N5116UBMicrochip TechnologyJFET JFETs
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2N5116UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
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2N5116UBMicrochip TechnologyDescription: P CHANNEL JFET
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2N5116UB/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
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2N5116UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET
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2N5117MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5117MOTCAN
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5118MOTCAN
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5118MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5119MOTCAN
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5119MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N511AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N512MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5120MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5120MOTCAN
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5121MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5121MOTCAN
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5122MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5122MOTCAN
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5123MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5124MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5125MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5126MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5127MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5128MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5129MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N512AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N513MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5130MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5131MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5132MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5133NSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5134MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5135MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5136MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5137MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5138MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5139MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N513AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N514MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5140MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5141MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5142MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5143MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5144MOTCAN
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5144MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5145MOTCAN
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5145MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5147MOTCAN
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5147Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5147Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5147MOTOROLA
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2N5148Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 7 W
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2N5148Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5148MOTOROLA
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2N5148Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5148Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5148MOTCAN
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2N5149Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5149MOTOROLA
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2N5149MOTCAN
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2N5149Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N514AMOTOROLA
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2N515MOTOROLA
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2N5150
Produktcode: 140183		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N5150MOTCAN
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2N5150Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5150Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5150MOTOROLA
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2N5151Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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1+66.2 EUR
25+ 66.17 EUR
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500+ 61.44 EUR
2N5151Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5151Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5151MOTCAN
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2N5151Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/545
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2N5151TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
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2N5151Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5151STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5151MOTOROLA
auf Bestellung 8800 Stücke:
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2N5151LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
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2N5151LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5151LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5151U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5151U3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
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2N5152MOTOROLA
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2N5152Microsemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5152Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5152MOTCAN
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2N5152Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+80.11 EUR
100+ 74.36 EUR
2N5152LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5152LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5152LMicrosemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5152U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5153Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5153MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5153TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
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2N5153Microchip TechnologyDescription: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5153MOTCAN
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2N5153STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5153NECCAN
auf Bestellung 155 Stücke:
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2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5153Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5153-220MTT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
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2N5153-220MSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 80V 5A 4400mW 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
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2N5153-220MIgnionBipolar Transistors - BJT
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2N5153ESYSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip
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2N5153ESYHRB - 5204/002/04STMicroelectronics2N5153ESYHRB - 5204/002/04
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2N5153HR - 5204/002/02STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip
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2N5153LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5153LMicrochip TechnologyDescription: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5153LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5153RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
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2N5153RESYHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
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2N5153RSHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
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2N5153RSRHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 Strip
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2N5153S1STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
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2N5153SHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
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2N5153SMD05Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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2N5153SR1STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
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2N5153U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5153U3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
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2N5153U3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
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2N5153U3Microchip TechnologyDescription: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5154MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5154Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5154STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5154Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+57.56 EUR
2N5154MOTCAN
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5154Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+55.48 EUR
25+ 55.46 EUR
100+ 53.85 EUR
2N5154Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5154Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2N5154 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
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2N5154 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
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2N5154ESYSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip
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2N5154ESYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5154ESY1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
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2N5154ESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
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2N5154ESYHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
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2N5154HR - 5203/010/01STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip
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2N5154HR - 5203/010/02STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip
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2N5154LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5154LMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5154LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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2N5154RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
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2N5154RESYHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
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2N5154RSRHRTSTMicroelectronics2N5154RSRHRT
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2N5154S1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
1+490.85 EUR
10+ 467.35 EUR
25+ 455.08 EUR
50+ 450.19 EUR
100+ 447.85 EUR
250+ 447.77 EUR
500+ 447.72 EUR
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+280.03 EUR
10+ 259.56 EUR
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+280.03 EUR
10+ 259.56 EUR
2N5154S1STMicroelectronicsDescription: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+449.96 EUR
10+ 430.96 EUR
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
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2N5154SHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
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2N5154SR1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
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2N5154T2ASemelabTrans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-39
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2N5154T2ASemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
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2N5154U3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 0.001A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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2N5154U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+273.6 EUR
100+ 254.05 EUR
2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
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2N5155MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5156MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5157MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5158MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5158MOTCAN
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5159MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5159MOTCAN
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N515AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N516MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5160MOTCAN3
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5160SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N5160 - TO 3 Silicon Transistor PNP 10P5440
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5160MOTOROLA
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5160MOTCAN
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5160AMOTOROLA
auf Bestellung 12850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5161MOT89+ SOP
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5163MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5163NS
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5164MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5165MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5166SSI0339
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5167MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5168MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5168Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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2N5169MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5169Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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2N516AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N517MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5170Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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2N5171Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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2N5172Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5172Good-Ark SemiconductorDescription: TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 25V, TO-9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
39+0.68 EUR
57+ 0.46 EUR
117+ 0.22 EUR
500+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39
2N5172ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
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2N5172Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2N5172onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5172 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5172 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N5172 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92
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2N5172 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4272 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
21+ 1.29 EUR
100+ 0.9 EUR
2500+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2N5172 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 4255 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.5 EUR
41+ 1.29 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.67 EUR
2500+ 0.48 EUR
10000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 35
2N5172 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5172_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
2N5176MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5177MOTOROLA
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5179MicrosemiTrans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.96 EUR
20+ 7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2N5179Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5179Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 20dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N5179MICROSEMITO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N5179Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5179Microchip TechnologyTrans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
Produkt ist nicht verfügbar
2N5179 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.71 EUR
10+ 10.68 EUR
100+ 8.64 EUR
500+ 7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5179 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.82 EUR
10+ 10.76 EUR
100+ 8.71 EUR
500+ 7.75 EUR
1000+ 6.66 EUR
2000+ 6.24 EUR
4000+ 6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20Vcbo 12Vceo 2.5Vebo 50mA 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2N5179-NRCMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-72
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5179AMOTOROLA
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N517AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N518MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5180MOTCAN
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5180MOTOROLA
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5181MOTCAN
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5181MOTOROLA
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5182MOTOROLA
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5182MOTCAN
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5183MOTOROLA
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5183MOTCAN
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5184MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5184MOTCAN
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5185MOTCAN
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5185MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5186MOTCAN
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5186MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5187MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5187MOTCAN
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5188MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5188MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5189MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5189MOTCAN
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5189 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.37 EUR
10+ 13.16 EUR
25+ 11.93 EUR
100+ 10.97 EUR
250+ 10.32 EUR
500+ 8.76 EUR
1000+ 8.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N5189 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 35V 5000mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 35Vceo 5.0Vebo 5.0W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2N518AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N519MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N519MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5190Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5190Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5190Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5190onsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5190onsemiBipolar Transistors - BJT BIP C77 NPN 4A 40V
Produkt ist nicht verfügbar
2N5190GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.05 EUR
16+ 1.68 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5190GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.08 EUR
31+ 1.69 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.91 EUR
2000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 25
2N5190GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5191STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.33 EUR
23+ 1.13 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2N5191onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5191STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
Produkt ist nicht verfügbar
2N5191MOTOROLA
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5191GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
31+ 2.3 EUR
85+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 4163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.05 EUR
16+ 1.68 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5191GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
auf Bestellung 22804 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.52 EUR
39+ 1.35 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.87 EUR
2000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35
2N5191GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5192onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
2N5192STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2N5192Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5192STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5192STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
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2N5192Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2N5192STNPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N5192 SL HCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5192 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
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2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.27 EUR
150+ 1.01 EUR
184+ 0.79 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 123
2N5192GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.91 EUR
33+ 1.61 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N5192GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5192GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
76+ 0.95 EUR
106+ 0.68 EUR
112+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 45
2N5192GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.29 EUR
14+ 1.87 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2N5192GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
76+ 0.95 EUR
106+ 0.68 EUR
112+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 45
2N5192G
Produktcode: 178450		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.04 EUR
184+ 0.82 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 150
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5192RCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
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2N5193Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5193MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5193CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N5193CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N5193STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5193Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5193 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
Produkt ist nicht verfügbar
2N5194onsemiDescription: TRANS PNP PWR GP 4A 60V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2049+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2049