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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BCY-59Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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BCY-59Microchip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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BCY10MOTOROLA
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BCY11MOTOROLA
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BCY12MOTOROLA
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BCY14MOTOROLA
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BCY15MOTOROLA
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BCY16MOTOROLA
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BCY17MOTOROLA
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BCY20MOTOROLA
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BCY21MOTOROLA
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BCY22MOTOROLA
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BCY23MOTOROLA
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BCY24MOTOROLA
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BCY25MOTOROLA
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BCY26MOTOROLA
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BCY27MOTOROLA
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BCY28MOTOROLA
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BCY288PHILIPS1981+ QFN
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BCY29MOTOROLA
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BCY30MOTOROLA
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BCY30APHCAN
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BCY31MOTOROLA
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BCY31APHCAN
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BCY32MOTOROLA
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BCY32APHCAN
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BCY33MOTOROLA
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BCY33APHCAN
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BCY34MOTOROLA
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BCY34APHCAN
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BCY35MOTOROLA
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BCY36MOT
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BCY37MOTOROLA
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BCY38MOTOROLA
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BCY39MOTOROLA
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BCY39IMOTOROLA
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BCY39IIIMOTOROLA
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BCY40MOTOROLA
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BCY41MOTOROLA
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BCY42MOTOROLA
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BCY42P
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BCY43MOTOROLA
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BCY43P
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BCY44MOTOROLA
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BCY45MOTOROLA
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BCY47MOTOROLA
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BCY48MOTOROLA
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BCY49MOTOROLA
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BCY50MOTOROLA
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BCY51MOTOROLA
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BCY52MOTOROLA
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BCY53MOTOROLA
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BCY54MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BCY54SMOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BCY55MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BCY56MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BCY57MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BCY58MOTOROLA
auf Bestellung 56500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-10TOS90+ DIP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-IX PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.45 EUR
100+2.76 EUR
250+2.56 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.98 EUR
2000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-IX PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 340 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-IX TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-IX TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VII PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+3.39 EUR
100+2.7 EUR
250+2.49 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.07 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VII PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VII TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VII TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VIII PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
auf Bestellung 1833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.45 EUR
100+2.76 EUR
250+2.56 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.98 EUR
2000+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VIII PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Supplier Device Package: TO-18
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VIII TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-VIII TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-X
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-X PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 340 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-X PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+3.39 EUR
100+2.7 EUR
250+2.49 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.07 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-X TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58-X TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58?MOTOROLA
auf Bestellung 41500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58CN/A
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58C
Produktcode: 90591
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58IXMOTOROLA
auf Bestellung 35980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58VCAN
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58VIIIST
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58XMOTOROLA
auf Bestellung 39800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY58ZPHILIPS
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59N/A
auf Bestellung 66800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59
Produktcode: 126521
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.42 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 45V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 45V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59-9-TMOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCY59-IXCentral Semiconductor CorpDescription: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BCY59-IXSTMNPN, Uкэ=45V, Iк=0.2A, h21=120...520, 0.39Вт, 200МГц, TO-18 (круглый) Транзистори
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BCY59-IX PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 45V 0.1A TO-18
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 630 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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BCY59-IX PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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BCY59-IX TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 45V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
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BCY59-IX TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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