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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUZ-ACGravitechPiezo Buzzers & Audio Indicators AC BUZZER 4V-8V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 130-134 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+5.09 EUR
25+4.71 EUR
50+4.41 EUR
100+4.14 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 50 Volt 23 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10STMIRFZ24N Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10SIEMENS04+
auf Bestellung 33302 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10 (Transistor)
Produktcode: 49816
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/
Montage: THT
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1+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100
Produktcode: 57646
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SiemensTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 60 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
10+2.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100L
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100SINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100SInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375 pF @ 25 V
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
373+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100SInfineon TechnologiesBUZ100S
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
467+1.42 EUR
518+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 467 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100S-409+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100S-E3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
373+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100S4SIEMENS
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100SE3045AInfineon TechnologiesBUZ100S-E3045A
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
467+1.42 EUR
518+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 467 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100SLINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100SL-409+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ100SL4SIEMENS
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ101LInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
709+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 709 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ101LInfineon TechnologiesBUZ101L
auf Bestellung 5075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
985+0.67 EUR
1068+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ101SLInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±14V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ101SL-409+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ101SL4SIEMENS
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102SIEMENS09+
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102
Produktcode: 165051
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102SINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102S-409+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102S4SIEMENS
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102SL
Produktcode: 27207
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SiemensTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1620/ -
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102SLInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±14V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102SLINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ102SL-E3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±14V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ103SIE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ103S-4INFINEON09+ SOP28
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ103S4SIEMENS
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ103SLInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ103SL-E3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ104SIEMENS09+
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ104
Produktcode: 152609
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ104LINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ104SINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ104SLINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ104SL-409+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ104SL4SIEMENS
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10AA
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10LSIEMENS06+ 100
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ10S2
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11
Produktcode: 30902
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/ -
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11STMN-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11STMicroelectronicsMOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11-CN CHIPNOBO TBUZ11 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941
Produktcode: 184234
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
50+1.51 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON-SemiconductorN-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941onsemiMOSFETs N-Channel 50V 33A
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+1.49 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ONSEMIDescription: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 119517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
131+1.78 EUR
153+1.4 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON-SemiconductorN-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON-SemiconductorN-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON-SemiconductorN-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON-SemiconductorN-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941ON-SemiconductorN-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
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50+2.49 EUR
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BUZ11-NR4941ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ11-NR4941ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.09 EUR
53+1.62 EUR
61+1.4 EUR
85+1.01 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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BUZ110SINFINEON09+
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BUZ110SLINFINEON09+
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BUZ111SINFINEON09+
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BUZ111SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.2 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
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BUZ111SInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
240+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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BUZ111SROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ111S - BUZ111 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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BUZ111SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1942 Stücke:
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301+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
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BUZ111SLINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
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BUZ111SL
Produktcode: 118789
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUZ111SL-E3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
240+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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BUZ111SLE3045ASiemens Wireless ModulesBUZ111SLE3045A
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303+2.18 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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BUZ111SLE3045AInfineon TechnologiesBUZ111SL-E3045A
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
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BUZ111SLE3045ASiemensDescription: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
242+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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BUZ11A
Produktcode: 77764
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 26 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+3 EUR
10+2.69 EUR
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BUZ11ASTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 50 Volt 26 Amp
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BUZ11ACHIP
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ11AL
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ11CHIP
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ11CHP
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ11FIPS2FI
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ11S2
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ11S2537Harris CorporationDescription: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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194+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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BUZ11_NR4941ONS/FAITO220 Транзистори
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BUZ11_R4941onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ12
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ12A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ12AL
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ12AL
Produktcode: 77765
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SiemensTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2100/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.17 EUR
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BUZ14PHIL\MOT01+ TO-3
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