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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
DGT-2DPWiremoldWire Ducting & Raceways PLATE
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DGT-BWiremoldWire Ducting & Raceways PLATE
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DGT-DP/BWiremoldWire Ducting & Raceways PLATE
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DGTD120T25S1PTDIODES INCORPORATEDCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 367ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
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DGTD120T25S1PTDIODES INCORPORATEDCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 367ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DGTD120T25S1PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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DGTD120T25S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 73ns/269ns
Switching Energy: 1.44mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 204 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 348 W
auf Bestellung 282597 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.56 EUR
10+ 15.9 EUR
100+ 13.25 EUR
500+ 11.69 EUR
1000+ 10.52 EUR
2000+ 9.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DGTD120T25S1PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
auf Bestellung 450 Stücke:
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3+18.85 EUR
10+ 16.17 EUR
25+ 16.15 EUR
100+ 15.73 EUR
450+ 11.65 EUR
900+ 11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DGTD120T40S1PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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DGTD120T40S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/308ns
Switching Energy: 1.96mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 341 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 357 W
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DGTD120T40S1PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
auf Bestellung 387 Stücke:
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3+24.02 EUR
10+ 21.74 EUR
25+ 20.72 EUR
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900+ 13.81 EUR
2700+ 13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DGTD65T15H2TFDIODES INCORPORATEDCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 24W
Case: ITO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 280ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 702 Stücke:
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38+1.89 EUR
43+ 1.7 EUR
55+ 1.32 EUR
58+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38
DGTD65T15H2TFDIODES INC.Description: DIODES INC. - DGTD65T15H2TF - IGBT, 30 A, 1.65 V, 48 W, 650 V, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: ITO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 850 Stücke:
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DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
auf Bestellung 23000 Stücke:
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86+1.82 EUR
95+ 1.59 EUR
108+ 1.35 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 1.03 EUR
3000+ 0.98 EUR
5000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 86
DGTD65T15H2TFDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X
auf Bestellung 742 Stücke:
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14+3.74 EUR
16+ 3.3 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.83 EUR
1000+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
DGTD65T15H2TF
Produktcode: 188218		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
auf Bestellung 220000 Stücke:
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1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
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DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
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DGTD65T15H2TFDIODES INCORPORATEDCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 24W
Case: ITO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 280ns
auf Bestellung 702 Stücke:
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38+1.89 EUR
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DGTD65T15H2TFDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
auf Bestellung 22995 Stücke:
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93+1.69 EUR
102+ 1.48 EUR
116+ 1.26 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.96 EUR
3000+ 0.91 EUR
5000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 93
DGTD65T15H2TFDiodes IncorporatedDescription: IGBT600V-XITO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: ITO-220AB
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/128ns
Switching Energy: 270µJ (on), 86µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 48 W
auf Bestellung 220329 Stücke:
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6+4.58 EUR
10+ 4.1 EUR
25+ 3.87 EUR
100+ 3.29 EUR
250+ 3.09 EUR
500+ 2.71 EUR
1000+ 2.24 EUR
2500+ 2.09 EUR
5000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
DGTD65T40S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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DGTD65T40S1PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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DGTD65T40S2PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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DGTD65T40S2PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X
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DGTD65T40S2PTDiodes Inc650V Field Stop Igbt in To247 Type Mc
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DGTD65T50S1PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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DGTD65T50S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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DGTD65T50S1PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.28 EUR
10+ 14.64 EUR
25+ 13.86 EUR
100+ 12.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4
DGTD65T60S2PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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DGTD65T60S2PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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DGTD65T60S2PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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DGTLP6C816
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DGTZ-GF-20-90-P-AFesto CorporationDescription: TWIN CYLINDER
Packaging: Bulk
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DGTZ-GF-32-40-P-AFesto CorporationDescription: TWIN CYLINDER
Packaging: Bulk
Features: ISO Standardized
Operating Pressure: 14.5 ~ 116 PSI (1 ~ 8 bar)
Type: Linear Actuator
Operating Temperature: -10°C ~ 80°C
Stroke Length: 1.575" (40.00mm)
Connection Method: G1/8
Operation: Double Acting
Construction: Guided Cylinder
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