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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DMWHoneywellSensor Fixings & Accessories FEMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-02-V0Adam TechDescription: CONNECTOR, WIRE TO WIRE HOUSING,
Packaging: Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10InterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10 BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10EInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10E BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10GKInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10GK BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10PPInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10PP BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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DMW2013UFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWC3770MTripp LiteMounting Fixings DMWC3770M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWKZLumberg AutomationSpanners
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWP811VESAMBTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+62.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWP811VESAMBTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers Black Frame
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWP811VESAMWTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers White Frame
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWP811VESAMWTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+62.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.82 EUR
30+20.7 EUR
120+19.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWS120H100SM4Diodes IncTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 37.2A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.66 EUR
10+31.64 EUR
30+23.9 EUR
60+21.12 EUR
120+20.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H23SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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DMWSH120H28SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.74 EUR
10+36.56 EUR
120+31.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.66 EUR
10+51.23 EUR
30+47.8 EUR
60+46.31 EUR
120+44.79 EUR
270+41.82 EUR
510+38.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.74 EUR
10+36.56 EUR
120+31.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.45 EUR
30+37.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4QDiodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156.3 nC @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H43SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.96 EUR
10+21.58 EUR
120+18.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H43SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H43SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.96 EUR
10+21.58 EUR
120+18.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.54 EUR
10+11.02 EUR
100+9.17 EUR
500+8.17 EUR
1000+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+9.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.58 EUR
10+14.33 EUR
100+11.92 EUR
500+10.63 EUR
1000+9.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.11 EUR
10+13.38 EUR
120+11.14 EUR
510+9.93 EUR
1020+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.81 EUR
30+11.72 EUR
120+10.81 EUR
510+10.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.23 EUR
10+15.84 EUR
120+13.68 EUR
510+12.95 EUR
1020+12.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.63 EUR
30+14.15 EUR
120+13.3 EUR
510+13.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
auf Bestellung 120320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.81 EUR
30+11.72 EUR
120+10.81 EUR
510+10.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.11 EUR
10+13.38 EUR
120+11.14 EUR
510+9.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.26 EUR
10+13.92 EUR
120+12.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.63 EUR
30+14.17 EUR
120+10.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH