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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMWHoneywellSensor Fixings & Accessories FEMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-02-V0Adam TechDescription: CONNECTOR, WIRE TO WIRE HOUSING,
Packaging: Bag
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-04Adam TechDescription: CONNECTOR, WIRE TO WIRE HOUSING,
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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DMW-06-V0Adam TechDescription: 4.14MM LATCHING HSG M 6P WIRE V-
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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DMW-BLD10InterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
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DMW-BLD10 BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
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DMW-BLD10EInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
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DMW-BLD10E BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
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DMW-BLD10GKInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
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DMW-BLD10GK BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
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DMW-BLD10PPInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMW-BLD10PP BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
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DMW2013UFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMWC3770MTripp LiteMounting Fixings DMWC3770M
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DMWKZLumberg AutomationSpanners
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+982.38 EUR
5+945.31 EUR
10+929.58 EUR
25+929.47 EUR
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DMWP811VESAMBTripp LiteMounting Fixings DMWP811VESAMB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWP811VESAMBTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+73.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWP811VESAMWTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+73.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWP811VESAMWTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers White Frame
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.43 EUR
10+24.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.57 EUR
30+23.06 EUR
120+21.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H18HM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H18HM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H18HM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H23SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.05 EUR
10+43.51 EUR
120+38.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H23SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.05 EUR
10+43.51 EUR
120+38.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.52 EUR
10+55.19 EUR
120+48.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.05 EUR
10+43.51 EUR
120+38.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156.3 nC @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.42 EUR
10+45.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H37SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H37SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.58 EUR
10+19.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H37SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H43SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.08 EUR
10+25.68 EUR
120+22.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H43SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H43SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.08 EUR
10+25.68 EUR
120+22.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H43SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H80SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H80SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.3 EUR
10+11.25 EUR
100+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+14.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.92 EUR
10+14.01 EUR
100+11.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
auf Bestellung 5070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20 EUR
30+13.95 EUR
120+12.86 EUR
510+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.36 EUR
10+15.92 EUR
120+13.26 EUR
510+11.82 EUR
1020+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+18.85 EUR
120+16.28 EUR
510+15.41 EUR
1020+14.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.55 EUR
30+16.84 EUR
120+15.83 EUR
510+15.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
auf Bestellung 120320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20 EUR
30+13.95 EUR
120+12.86 EUR
510+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.36 EUR
10+15.92 EUR
120+13.26 EUR
510+11.82 EUR
1020+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.55 EUR
30+16.86 EUR
120+12.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
auf Bestellung 60 Stücke:
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DMWSH170H850HM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
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DMWSH170H850HM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
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DMWSH170H850HM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
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