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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DN30-20P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-20P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-26P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-26P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-36P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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DN30-36P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-36P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-36P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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DN30-36PBHirose ConnectorBench Top Tools
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-50P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 3A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Type
Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm)
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated
Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row
Part Status: Active
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.5 EUR
20+30.77 EUR
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DN30-50P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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DN30-50P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN30-50P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3020MolexConn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change®
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+87.37 EUR
3+82.55 EUR
5+77.9 EUR
10+73.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3020CAPMolexMC 5P Tee Passive
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+93.54 EUR
4+88.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3020PM-1MolexConn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change®
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+209.86 EUR
3+194.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+209.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+209.86 EUR
3+194.28 EUR
10+179.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3022MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+86.68 EUR
4+81.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+86.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DN3135K1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYDN3135K1-G SMD N channel transistors
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 33959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
25+0.9 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+0.94 EUR
149+0.89 EUR
151+0.84 EUR
154+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.03 EUR
1000+0.97 EUR
3000+0.91 EUR
6000+0.85 EUR
9000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
auf Bestellung 29772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.04 EUR
25+0.88 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GSUPERTEX
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 15243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
25+1.12 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
auf Bestellung 4176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
25+1.04 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.18 EUR
4000+1.11 EUR
6000+1.04 EUR
8000+0.97 EUR
10000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYDN3135N8-G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.09 EUR
134+1.03 EUR
136+0.98 EUR
138+0.93 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.78 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-gSUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.23 EUR
119+1.16 EUR
121+1.1 EUR
123+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-gMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 60Ohm
auf Bestellung 61841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+1.21 EUR
25+1.1 EUR
100+1.04 EUR
1000+1.03 EUR
4000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.1 EUR
4000+1.04 EUR
6000+0.99 EUR
8000+0.94 EUR
10000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 35294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
25+1.27 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYDN3145N8-G SMD N channel transistors
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DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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117+1.23 EUR
119+1.16 EUR
121+1.1 EUR
123+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.93 EUR
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DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.16 EUR
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DN3200MolexConn Circular Adapter PIN/SKT 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
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2+124.24 EUR
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DN3200MolexConn Circular Adapter PIN/SKT 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
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Mindestbestellmenge: 2
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DN32CH432G50BTKYOCERA05+NOP
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DN32W5R104K100BTKYOCERA05+NOP
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DN32W5R124K25BT
auf Bestellung 7900 Stücke:
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.05 EUR
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
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DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 387000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
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DN350T05-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DN350T05-7onsemiBipolar Transistors - BJT
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.1 EUR
6000+0.05 EUR
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
40+0.45 EUR
100+0.22 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN350T05-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
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5+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
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3000+0.1 EUR
6000+0.051 EUR
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DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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2850+0.05 EUR
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DN3525N8SUPER
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DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.22 EUR
119+1.16 EUR
121+1.1 EUR
123+1.04 EUR
250+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 118
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DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT89-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6Ω
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT89-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6Ω
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.18 EUR
4000+1.12 EUR
6000+1.07 EUR
8000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-G
Produktcode: 165361
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
25+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 250V 6Ohm
auf Bestellung 110219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
25+1.11 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3525NDMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8Microchip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.46 EUR
25+1.23 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 0.5A
Kind of channel: depletion
Power dissipation: 1.6W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 350V
auf Bestellung 1637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.33 EUR
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 10Ohm
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
25+1.15 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.14 EUR
127+1.09 EUR
128+1.04 EUR
129+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 0.5A
Kind of channel: depletion
Power dissipation: 1.6W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 350V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1637 Stücke:
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54+1.33 EUR
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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98+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.14 EUR
127+1.09 EUR
128+1.04 EUR
129+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.33 EUR
8000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3Microchip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
auf Bestellung 3310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
25+1.27 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.56 EUR
250+1.26 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 4515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.46 EUR
25+1.23 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 136mA; Idm: 1.6A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 136mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.74W
Pulsed drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 450V
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
72+1 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 136mA; Idm: 1.6A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 136mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.74W
Pulsed drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 450V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
72+1 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-G P002Microchip TechnologyMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-G P003Microchip TechnologyMOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-G P005Microchip TechnologyMOSFETs 3L TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-G P013Microchip TechnologyMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N3-G P014Microchip TechnologyMOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8Microchip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.35 EUR
108+1.28 EUR
109+1.22 EUR
111+1.15 EUR
250+1.09 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-G
Produktcode: 176174
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
auf Bestellung 6532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
25+1.23 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.35 EUR
108+1.28 EUR
109+1.22 EUR
111+1.15 EUR
250+1.09 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 18856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
25+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.23 EUR
1000+1.19 EUR
1500+1.14 EUR
2000+1.09 EUR
4000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYDN3545N8-G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3545N8-G D561Microchip TechnologyMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3687GFPVRenesasMCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.76 EUR
10+17.47 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3687GFPVRenesas Electronics CorporationDescription: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 56KB (56K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 512 x 8
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SCI
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10)
Number of I/O: 43
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3687GFPVRENESASQFP 07+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3687GFPVRenesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3694GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYDN3765K4-G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
auf Bestellung 1727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.07 EUR
25+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3765K4-GMicrochip TechnologyMOSFETs NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
25+4.36 EUR
100+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
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