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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
DN30-20P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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DN30-20P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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DN30-26P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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DN30-26P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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DN30-36P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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DN30-36P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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DN30-36P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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DN30-36P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
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DN30-36PBHirose ConnectorBench Top Tools
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DN30-50P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 3A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Type
Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm)
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated
Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row
Part Status: Active
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+52.44 EUR
20+ 45.45 EUR
DN30-50P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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DN30-50P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
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DN30-50P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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DN3020MolexConn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change®
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+95.59 EUR
3+ 90.32 EUR
5+ 85.23 EUR
10+ 80.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DN3020CAPMolexMC 5P Tee Passive
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+102.34 EUR
4+ 96.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DN3020PM-1MolexConn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change®
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+229.61 EUR
3+ 212.57 EUR
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+229.61 EUR
3+ 212.57 EUR
10+ 196.51 EUR
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+229.61 EUR
DN3022MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+94.84 EUR
4+ 89.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+94.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DN3135K1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
60+ 1.2 EUR
67+ 1.07 EUR
71+ 1.02 EUR
100+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 57
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 129376 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.66 EUR
25+ 1.39 EUR
100+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
60+ 1.2 EUR
67+ 1.07 EUR
71+ 1.02 EUR
100+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 57
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
auf Bestellung 4758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.03 EUR
149+ 0.98 EUR
151+ 0.92 EUR
154+ 0.87 EUR
250+ 0.82 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.76 EUR
3000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 146
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.13 EUR
1000+ 1.06 EUR
3000+ 1 EUR
6000+ 0.93 EUR
9000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 500
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
auf Bestellung 4758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 35Ohm
auf Bestellung 36399 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.67 EUR
38+ 1.4 EUR
100+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 32
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 143
DN3135N8SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3135N8-GSUPERTEX
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.95 EUR
25+ 1.66 EUR
100+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.29 EUR
4000+ 1.21 EUR
6000+ 1.14 EUR
8000+ 1.07 EUR
10000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 35Ohm
auf Bestellung 11175 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
32+ 1.67 EUR
100+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 27
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Produkt ist nicht verfügbar
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.19 EUR
134+ 1.13 EUR
136+ 1.07 EUR
138+ 1.01 EUR
250+ 0.96 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.85 EUR
3000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 132
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 127
DN3145N8SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.43 EUR
4000+ 1.32 EUR
6000+ 1.22 EUR
8000+ 1.13 EUR
10000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3145N8-gMicrochip TechnologyMOSFET 450V 60Ohm
auf Bestellung 77208 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.94 EUR
29+ 1.8 EUR
100+ 1.67 EUR
4000+ 1.6 EUR
10000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Produkt ist nicht verfügbar
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 89900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
25+ 1.82 EUR
100+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 111
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.19 EUR
128+ 1.09 EUR
250+ 1.05 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 127
DN3145N8-gSUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3200MolexConn Circular Adapter M/F 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+98.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DN32CH432G50BTKYOCERA05+NOP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN32W5R104K100BTKYOCERA05+NOP
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN32W5R124K25BT
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
75000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.39 EUR
548+ 0.28 EUR
552+ 0.26 EUR
1304+ 0.11 EUR
1318+ 0.1 EUR
1332+ 0.096 EUR
2170+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 400
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.55 EUR
447+ 0.34 EUR
992+ 0.15 EUR
1537+ 0.091 EUR
3000+ 0.056 EUR
9000+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 283
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 97929 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
40+ 0.65 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DN350T05-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
auf Bestellung 5586 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
89+ 0.59 EUR
199+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2434+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 2434
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DN350T05-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.22 EUR
130+ 1.12 EUR
131+ 1.07 EUR
250+ 1.02 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.93 EUR
6000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 129
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 250V 6Ohm
auf Bestellung 139216 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.13 EUR
30+ 1.77 EUR
100+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-G
Produktcode: 165361		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.11 EUR
25+ 1.75 EUR
100+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.22 EUR
130+ 1.12 EUR
131+ 1.07 EUR
250+ 1.02 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.93 EUR
6000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 129
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3525NDMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3535N8Microchip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
61+ 1.17 EUR
72+ 1 EUR
75+ 0.96 EUR
100+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.46 EUR
4000+ 1.37 EUR
6000+ 1.29 EUR
8000+ 1.2 EUR
10000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
61+ 1.17 EUR
72+ 1 EUR
75+ 0.96 EUR
100+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
DN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
auf Bestellung 16978 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.18 EUR
29+ 1.84 EUR
100+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 24
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.4 EUR
118+ 1.28 EUR
120+ 1.22 EUR
122+ 1.15 EUR
250+ 1.08 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 112
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.4 EUR
118+ 1.28 EUR
120+ 1.22 EUR
122+ 1.15 EUR
250+ 1.08 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 112
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.82 EUR
100+ 1.68 EUR
250+ 1.56 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 86
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 6845 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
25+ 1.82 EUR
100+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
DN3545N3Microchip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
65+ 1.1 EUR
74+ 0.97 EUR
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DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
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124+1.26 EUR
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DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
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DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
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84+1.87 EUR
100+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 84
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
25+ 1.82 EUR
100+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
DN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.18 EUR
29+ 1.84 EUR
100+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 24
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 893 Stücke:
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124+1.26 EUR
129+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 124
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
65+ 1.1 EUR
74+ 0.97 EUR
79+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 59
DN3545N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3545N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET 3L TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8Microchip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.59 EUR
2000+ 1.5 EUR
4000+ 1.42 EUR
6000+ 1.33 EUR
8000+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 500
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8-G
Produktcode: 176174		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
auf Bestellung 6353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.46 EUR
111+ 1.36 EUR
112+ 1.3 EUR
113+ 1.23 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 1.05 EUR
3000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 107
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 33791 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.37 EUR
25+ 1.94 EUR
100+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11
DN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
auf Bestellung 18015 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.39 EUR
100+ 1.96 EUR
500+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 22
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
auf Bestellung 6353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3687GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3687GFPVRenesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
DN3687GFPVRENESASQFP 07+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3687GFPVRenesasMCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.62 EUR
10+ 19.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
DN3694GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP
Produkt ist nicht verfügbar
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.83 EUR
25+ 6.56 EUR
100+ 5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3765K4-GMicrochip TechnologyMOSFET NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
auf Bestellung 2952 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.16 EUR
25+ 6.84 EUR
100+ 6.34 EUR
4000+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7