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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDH-610AUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Cover
Type of sensors accessories: cover
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FDH-610AUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Cover
Type of sensors accessories: cover
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDH038AN08A1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
auf Bestellung 6156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
49+15.5 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDH038AN08A1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH038AN08A1ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH038AN08A1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH038AN08A1onsemi / FairchildITT Cannon
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FDH038AN08A1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.73 EUR
39+ 3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDH047AN08A0ONSEMIFDH047AN08A0 THT N channel transistors
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FDH047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH047AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDH047AN08A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.34 EUR
10+ 13.13 EUR
100+ 10.95 EUR
250+ 9.91 EUR
450+ 9.15 EUR
900+ 8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDH047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.29 EUR
10+ 13.1 EUR
100+ 10.92 EUR
500+ 9.63 EUR
1000+ 8.67 EUR
2000+ 8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDH047AN08ADFairchild SemiconductorDescription: FDH047AN08A0 - 75V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.34 EUR
21+ 7.53 EUR
30+ 6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.34 EUR
21+ 7.53 EUR
30+ 6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDH055N15AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.37 EUR
11+ 6.84 EUR
12+ 6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDH055N15AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.37 EUR
11+ 6.84 EUR
12+ 6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH055N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V
auf Bestellung 15359 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.21 EUR
30+ 13.73 EUR
120+ 12.29 EUR
510+ 10.84 EUR
1020+ 9.76 EUR
2010+ 9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDH055N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH055N15Aonsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11506 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.07 EUR
10+ 17.37 EUR
30+ 15.44 EUR
120+ 14.56 EUR
510+ 13.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH055N15A-SN00358ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
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FDH055N15A-SN00358ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
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FDH1040-R56M=P3
auf Bestellung 56750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH1040B-R14M=P3
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH1055B-R56M=P3TOKO2005+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH1055B-R56M=P3TOKO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH1065-R91M=P3
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
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FDH210N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V TO247-3
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FDH210N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 132A; Idm: 840A; 462W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 840A
Power dissipation: 462W
Gate charge: 301nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 132A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 5.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
FDH210N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 132A; Idm: 840A; 462W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 840A
Power dissipation: 462W
Gate charge: 301nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 132A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 5.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDH210N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDH210N08onsemi / FairchildMOSFET 75V, 210A NCH MOSFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.71 EUR
10+ 15.94 EUR
25+ 15.44 EUR
100+ 13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDH210N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDH210N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
FDH210N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH27N50onsemi / FairchildMOSFET 500V 27a 0.19Ohms/VGS=10
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FDH27N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDH27N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDH300Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH300AONSEMIDescription: ONSEMI - FDH300A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDH30
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH300AON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.38 EUR
598+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 411
FDH300AonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
42+0.62 EUR
52+ 0.51 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 42
FDH300Aonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
auf Bestellung 18908 Stücke:
Lieferzeit 422-436 Tag (e)
59+0.88 EUR
78+ 0.67 EUR
137+ 0.38 EUR
500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 59
FDH300AON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH300AON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
auf Bestellung 18298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4167+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 4167
FDH300ATRonsemiDescription: RECTIFIER DIODE, 0.2A, 125V, DO-
auf Bestellung 44611 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH300ATRonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
auf Bestellung 16222 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
98+0.53 EUR
145+ 0.36 EUR
351+ 0.15 EUR
1000+ 0.088 EUR
2500+ 0.083 EUR
10000+ 0.065 EUR
20000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 98
FDH300ATRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH300ATRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDH300ATRFairchild SemiconductorDescription: RECTIFIER DIODE, 0.2A, 125V, DO-
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH300ATRONSEMIDescription: ONSEMI - FDH300ATR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDH300A_NLFairchild SemiconductorDescription: DIODE SMALL SIGNAL SWITCHING 150
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
566+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 566
FDH300A_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH300TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+0.29 EUR
637+ 0.24 EUR
640+ 0.23 EUR
1710+ 0.082 EUR
1731+ 0.077 EUR
1749+ 0.073 EUR
2565+ 0.048 EUR
3000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 538
FDH300TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH300TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDH300TRonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
auf Bestellung 26532 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
74+0.71 EUR
92+ 0.57 EUR
173+ 0.3 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.14 EUR
2500+ 0.12 EUR
10000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 74
FDH300TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
auf Bestellung 27357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH300_QFairchild SemiconductorDescription: DIODE 125V 0.2A 2-PIN DO-35 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
263+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 263
FDH300_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
auf Bestellung 7262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+0.47 EUR
400+ 0.38 EUR
755+ 0.19 EUR
1207+ 0.12 EUR
1852+ 0.072 EUR
2500+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 331
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+0.51 EUR
376+ 0.4 EUR
710+ 0.2 EUR
1136+ 0.12 EUR
1678+ 0.08 EUR
2500+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 307
FDH333Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
693+0.23 EUR
1058+ 0.14 EUR
1681+ 0.086 EUR
2500+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 693
FDH333onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
auf Bestellung 19860 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
65+0.81 EUR
78+ 0.67 EUR
145+ 0.36 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.16 EUR
5000+ 0.14 EUR
10000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 65
FDH333onsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
auf Bestellung 7638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
37+ 0.72 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
5000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333ONSEMIFDH333 THT universal diodes
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
1211+ 0.059 EUR
1283+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 173
FDH333-T50RON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333TRonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
auf Bestellung 24792 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
69+0.76 EUR
84+ 0.62 EUR
158+ 0.33 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.14 EUR
2500+ 0.12 EUR
10000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 69
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 7113 Stücke:
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335+0.47 EUR
441+ 0.34 EUR
446+ 0.33 EUR
734+ 0.19 EUR
741+ 0.18 EUR
1114+ 0.12 EUR
1799+ 0.068 EUR
3000+ 0.06 EUR
6000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 335
FDH333TRONSEMIDescription: ONSEMI - FDH333TR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333TR
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH333TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
auf Bestellung 3959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
33+0.81 EUR
40+ 0.66 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.16 EUR
2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 7113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+0.23 EUR
1000+ 0.15 EUR
1456+ 0.1 EUR
3000+ 0.075 EUR
6000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 667
FDH333TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDH333_NLFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1110+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
FDH333_QFairchild SemiconductorDescription: RECTIFIER, SCHOTTKY, SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
525+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 525
FDH333_T50RonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDH33_Qonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3595
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH3595onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
auf Bestellung 8259 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
68+0.77 EUR
98+ 0.53 EUR
200+ 0.26 EUR
1000+ 0.15 EUR
5000+ 0.13 EUR
10000+ 0.099 EUR
30000+ 0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDH3595ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3595onsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8172+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8172
FDH3595ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3595ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3595onsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3595_Qonsemi / FairchildRectifiers High Conductance Low Leakage
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 32190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.9 EUR
29+ 5.09 EUR
100+ 4.41 EUR
250+ 4.1 EUR
450+ 3.56 EUR
900+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDH3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 31493 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.62 EUR
30+ 9.2 EUR
120+ 7.89 EUR
510+ 7.01 EUR
1020+ 6 EUR
2010+ 5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDH3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDH3632onsemi / FairchildMOSFET TO-247 / FDH3632
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.48 EUR
10+ 10.37 EUR
25+ 8.81 EUR
100+ 7.8 EUR
250+ 7.46 EUR
450+ 6.71 EUR
900+ 5.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDH3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 32190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.9 EUR
29+ 5.09 EUR
100+ 4.41 EUR
250+ 4.1 EUR
450+ 3.56 EUR
900+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDH3632FAIRCHILDTO-3PL
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDH400onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
auf Bestellung 42395 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
68+0.77 EUR
99+ 0.53 EUR
241+ 0.22 EUR
1000+ 0.13 EUR
5000+ 0.12 EUR
10000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDH400ON SemiconductorDiode Small Signal Switching 150V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
FDH400onsemiDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
auf Bestellung 19850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
50+ 0.53 EUR
102+ 0.26 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
2000+ 0.13 EUR
5000+ 0.12 EUR
10000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 35
FDH400ON SemiconductorDiode Small Signal Switching 150V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
FDH400TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDH400TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 150V 0.5A 50ns 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 21727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3096+0.05 EUR
4505+ 0.033 EUR
11236+ 0.013 EUR
15874+ 0.0088 EUR
Mindestbestellmenge: 3096
FDH400TRON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
auf Bestellung 22455 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDH400TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
auf Bestellung 9725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.14 EUR
2000+ 0.13 EUR
5000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35
FDH400TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 150V 0.5A 50ns 2-Pin DO-35 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDH400_T50AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH400_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH4246
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH444ON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 150V SNGL JUNCTION
auf Bestellung 26096 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDH444
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDH444ON SemiconductorDiode Small Signal Switching 125V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
FDH444Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9072+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 9072
FDH444TRON Semiconductor150V DIODE RECT
Produkt ist nicht verfügbar
FDH444TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
FDH444TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9043+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 9043
FDH444TRON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V/0.2A Sm Signal Diode
auf Bestellung 10244 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDH444TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+0.83 EUR
39+ 0.68 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.16 EUR
2000+ 0.15 EUR
5000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
FDH444TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.2A 60ns 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH444_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH44N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDH44N50
Produktcode: 63451		Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5335/90
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
FDH44N50onsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
auf Bestellung 8388 Stücke:
Lieferzeit 998-1012 Tag (e)
3+22.36 EUR
10+ 20.25 EUR
25+ 16.61 EUR
100+ 15.96 EUR
250+ 14.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDH44N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 750
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15
Verlustleistung: 750
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDH44N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FDH44N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDH44N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 25 V
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FDH44N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH44N50_Qonsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
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FDH45N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
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FDH45N50FON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET FRFET
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FDH45N50F-F133ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH45N50F-F133onsemi / FairchildMOSFET 500V N Channel MOSFET FRFET
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.69 EUR
10+ 13.55 EUR
25+ 10.56 EUR
100+ 10.09 EUR
250+ 9.49 EUR
450+ 8.81 EUR
900+ 8.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDH45N50F-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 25 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.59 EUR
30+ 11.64 EUR
120+ 10.41 EUR
510+ 9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDH45N50F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH45N50F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH45N50F_F133Fairchild SemiconductorDescription: 455000.12OHN-CHANNPOWMOSFETO-247
Packaging: Bulk
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FDH45N50F_F133
Produktcode: 116040		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDH50N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
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FDH50N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
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FDH50N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel UniFET
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FDH50N50-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.03 EUR
10+ 18.03 EUR
100+ 15.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDH50N50-F133onsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/50A
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.4 EUR
10+ 18.33 EUR
25+ 16.64 EUR
100+ 15.29 EUR
250+ 13.94 EUR
450+ 13.86 EUR
900+ 13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDH50N50-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+11.34 EUR
16+ 9.6 EUR
25+ 8.47 EUR
100+ 7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDH50N50-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.38 EUR
15+ 10.48 EUR
25+ 9.24 EUR
100+ 8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDH50N50-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH50N50_F133Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDH5500onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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FDH5500
Produktcode: 147797		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDH5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH5500Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 3149 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
177+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 177
FDH5500onsemi / FairchildMOSFET 55V N-Channel UltraFET Power
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FDH5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDH5500-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FDH5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDH5500-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 55V 75A
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDH5500-SB82257onsemionsemi
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FDH5500_SB82257onsemi / Fairchildonsemi
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FDH600Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
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FDH600_T50AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH600_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH633605Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH700Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 20V 150MA DO35
auf Bestellung 47408 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
251+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 251
FDH700_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 20V 150MA DO35
Produkt ist nicht verfügbar
FDH9931
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDHC-100MEAN WELLLED Power Supplies
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FDHC-100HMEAN WELL USA Inc.Description: LED DRVR AC
Produkt ist nicht verfügbar
FDHC-100HMEAN WELLLED Power Supplies 96-142V 490-1050mA 100W CP LED Driver
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FDHC-100LMEAN WELL USA Inc.Description: LED DRVR AC
Produkt ist nicht verfügbar
FDHC-100LMEAN WELLLED Power Supplies 30-54V 1300-3000mA 100W CP LED Driver
Produkt ist nicht verfügbar