Produkte > GE0

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
GE002AEssentra ComponentsDescription: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.039" ~ 0.047" (0.99mm ~ 1.20mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.19 EUR
10+47.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE003AEssentra ComponentsDescription: GROMMET STRIP, ROLL, PE, UNSERRA
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.047" ~ 0.063" (1.19mm ~ 1.60mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE004AEssentra ComponentsDescription: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.063" ~ 0.079" (1.60mm ~ 2.01mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE005AEssentra ComponentsDescription: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.079" ~ 0.094" (2.01mm ~ 2.39mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.68 EUR
10+50.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE005S-5.0-24P-13-00A(H) Штирі на плату до клемника GE005(24 конт.)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 7A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+2.53 EUR
25+2.41 EUR
100+2.22 EUR
250+2.09 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+3.18 EUR
25+3.01 EUR
100+2.77 EUR
250+2.62 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.41 EUR
2500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06EGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.62 EUR
25+2.46 EUR
100+2.27 EUR
250+2.15 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.9 EUR
10+2.52 EUR
25+2.38 EUR
100+2.19 EUR
250+2.07 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06EGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06QGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06QGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06Q-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 3294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.15 EUR
10+3.62 EUR
25+3.43 EUR
100+3.15 EUR
250+2.99 EUR
500+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06AGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06EGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06EGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06EGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06EGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+3.24 EUR
25+3.06 EUR
50+2.82 EUR
100+2.66 EUR
250+2.57 EUR
500+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.3 EUR
10+4.04 EUR
25+3.45 EUR
100+2.79 EUR
250+2.46 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.69 EUR
25+2.53 EUR
100+2.32 EUR
250+2.22 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06QGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06Q-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE0800DT4LOVATO ELECTRICCategory: Disconnectors
Description: Switch-disconnector; Poles: 4; screw type; 800A; IP20; GE; 1000VDC
Type of protection: switch-disconnector
Number of poles: 4
Mounting: screw type
Current rating: 800A
IP rating: IP20
Mechanical durability: 20000 cycles
Manufacturer series: GE
Breaker features: without handle
Application: photovoltaics
Rated voltage: 1kV DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06AGENESICDescription: GENESIC - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06EGENESICDescription: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06EGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+3.84 EUR
25+3.64 EUR
100+3.36 EUR
250+3.19 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06EGENESICDescription: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06EGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06QGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06QGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE08MPS06Q-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH