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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
S4DTaiwan SemiconductorRectifiers 4A, 200V, Standard Recovery Rectifier
auf Bestellung 3153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.49 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D M6GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D R6Taiwan SemiconductorRectifiers 4A, 200V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D R6GTaiwan SemiconductorRectifiers 4A, 200V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D R7Taiwan SemiconductorRectifiers 4A 200V Standard Rec overy Rectifier
auf Bestellung 1056 Stücke:
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4+0.78 EUR
10+0.67 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
850+0.3 EUR
1700+0.28 EUR
4250+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D R7GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
auf Bestellung 2550 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D R7GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
auf Bestellung 3343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D R7GTaiwan SemiconductorRectifiers 4A, 200V, Standard Recovery Rectifier
auf Bestellung 16 Stücke:
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5+0.65 EUR
10+0.46 EUR
100+0.35 EUR
500+0.34 EUR
850+0.31 EUR
1700+0.3 EUR
4250+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D V7GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D02120ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 116pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220AC (TO-220-2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.08 EUR
10+2.63 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D02120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 116pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D02120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 116pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 6717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.91 EUR
10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D02120ETRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D02120FSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 9A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D05120ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC (TO-220-2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.36 EUR
50+2.71 EUR
100+2.23 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D05120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
14+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D05120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D05120E1SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D05120E1SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D05120GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D05120GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.12 EUR
10+4.01 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D08120ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC (TO-220-2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.47 EUR
10+2.22 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D08120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.23 EUR
10+2.07 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D08120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC (TO-220-2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.96 EUR
10+2.54 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120DSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 5A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120ESMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120ETRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120FSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120G0SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120G0SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120HSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
25+5.91 EUR
100+5.06 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120L1SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D10120L1SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D15120ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC (TO-220-2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 1200 V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.99 EUR
10+10.83 EUR
100+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D15120DSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 8A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.48 EUR
25+3.68 EUR
100+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D15120HSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 1200 V
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.42 EUR
10+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D200-AH14-01ebm-papstAC Fans AC Axial Fan, IP44 Rated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D20120ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC (TO-220-2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D20120DSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D20120GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D20120GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D20120G-ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: D2PAK
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D20120GTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.53 EUR
10+11.25 EUR
100+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D20120HSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.97 EUR
10+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26CSF372PJM
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26CSF49PJMTI
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF129PJMR
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF144PJM
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF191PJM
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF214PJM
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF321PJM
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF323PJM
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF327PJM
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D26SF374PJM
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D27F56PJM
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D27RF231PJMR
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D300-AR34-17ebm-papst Inc.Description: FAN AXIAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120DSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.54 EUR
10+13.32 EUR
300+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120FSMC Diode SolutionsDescription: 1200V, 30A, ITO-220AC, SIC SCHOT
Packaging: Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.12 EUR
10+12.09 EUR
100+10.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120GSMC Diode SolutionsDescription: 1200V, 30A, D2PAK, SIC SCHOTTKY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2581pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 20 µA
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.13 EUR
10+12.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120GSMC Diode SolutionsDescription: 1200V, 30A, D2PAK, SIC SCHOTTKY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2581pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 20 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120G0SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120G0SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120HSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2581pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.64 EUR
10+12.9 EUR
300+8.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D30120H2SMC Diode SolutionsDescription: 1200V, 30A, TO-247AC, SIC SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2581pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.2 kV
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.04 EUR
10+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D350-AN22-67ebm-papstAC Fans AC Axial Fan, 350x350x85mm, 400VAC, 812CFM, 95W, 930RPM, Ball Bearing, IP44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D350-BA06-08ebm-papst Inc.Description: FAN AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 190W
Features: Dual Voltage
Voltage - Rated: 230/400VAC
Size / Dimension: Round - 422mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1620 RPM
Air Flow: 1186.8 CFM (33.23m³/min)
Width: 167.0mm
Operating Temperature: -13 ~ 122°F (-25 ~ 50°C)
Termination: 7 Wire Leads with Splice Terminals
Approval Agency: CCC
Ingress Protection: IP44
Fan Type: Tubeaxial, 3 Phase
Static Pressure: 0.602 in H2O (150.0 Pa)
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+632.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D350-BA06-08ebm-papstAC Fans Axial Fan, 422x167mm Round, 230VAC/400VAC, 1186CFM, 190W, 1620RPM, 150Pa, IP44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D37RF187PJM
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D400-AP12-30ebm-papstAC Fans AC Axial Fan
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D400-AP12-30ebm-papst Inc.Description: AC AXIAL FAN
Power (Watts): 185W
Features: Dual Voltage
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 230VAC/400VAC
Size / Dimension: Round - 470mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1690 RPM
Air Flow: 1666.9 CFM (46.67m³/min)
Width: 152.0mm
Operating Temperature: -13 ~ 104°F (-25 ~ 40°C)
Termination: 7 Wire Leads
Approval Agency: CCC, CE
Ingress Protection: IP44
Fan Type: Tubeaxial, 3 Phase
Static Pressure: 0.482 in H2O (120.0 Pa)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D400-AP12-77ebm-papstAC Fans AC Axial Fan, 470x132mm Round, 460VAC, 2718CFM, 235W, 1695RPM, Ball, IP44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D400-AP12-78ebm-papstAC Fans AC Axial Fan, 470x132mm Round, 230VAC, 2718CFM, 235W, 1695RPM, Ball, IP44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D40120DSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.56 EUR
10+29.93 EUR
100+25.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D40120HSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIC 1.2KV 128A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3227pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 128A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
25+15.92 EUR
100+13.7 EUR
500+13.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D41M
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D450-AP01-06ebm-papst Inc.Description: AC AXIAL FAN
Packaging: Bulk
Power (Watts): 285W
Features: Dual Voltage
Voltage - Rated: 230VAC/400VAC
Size / Dimension: Round - 522mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1540 RPM
Air Flow: 2235.3 CFM (62.59m³/min)
Width: 200.5mm
Operating Temperature: -13 ~ 122°C (-25 ~ 50°C)
Termination: Terminal Block
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP44
Fan Type: Tubeaxial, 3 Phase
Static Pressure: 0.280 in H2O (69.7 Pa)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D450-AP03-10ebm-papstAC Fans AC Axial Fan, 450mm Round, 3240CFM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D450-AP03-10ebm-papst Inc.Description: FAN AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 380W
Voltage - Rated: 460VAC
Size / Dimension: Round - 522mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1460 RPM
Width: 200.5mm
Operating Temperature: -13 ~ 131°F (-25 ~ 55°C)
Termination: Terminal Block
Ingress Protection: IP44
Fan Type: Tubeaxial, 3 Phase
Static Pressure: 0.301 in H2O (75.0 Pa)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1055.3 EUR
10+940.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S4D450-AP03-10EBM-PAPSTDescription: EBM-PAPST - S4D450-AP03-10 - AXIAL FAN, 450MM, 460VAC, 3266.6CFM
tariffCode: 84145925
Stromanschluss: Terminals
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Art des Lagers: Ball Bearing
Nennleistung: 380W
IP-Schutzart: IP44
usEccn: EAR99
Luftstrom - m3/min: 92.5m³/min
Nennstrom: 600mA
AC-Nennspannung: 460V
Außentiefe: 174.5mm
Geräuschentwicklung: -
euEccn: NLR
Luftstrom - CFM: 3266.6cu.ft/min
Lüfterrahmen: Circular
Produktpalette: S4D450 Series
productTraceability: No
Rahmengröße: 450mm
Nenndrehzahl: 1460rpm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5 Stücke:
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S4D450-AU01-01ebm-papstAC Fans AC Axial Fan
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S4D450-HA14-01ebm-papstAC Fans Axial, 450mm, 400V, 585/660W, 1.1/1.16A, 1330/1540RPM, w/Guard for Full Nozzle
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S4D47F311PJM
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S4D80120S2SMC Diode SolutionsDescription: 1200V, 80A, SOT-227, SIC SCHOTTK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 128A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
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S4DB
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S4DC12VPanasonic Industrial DevicesPanasonic
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S4DF006X1
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S4DNF30LST
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S4DNF60LST01+ SOP
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S4DNF60LSTSOP-8
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S4DPF30LOO
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S4DSP2
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