Produkte > SQ1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| SQ1.5 | TEKO | SQ1.5 Enclosures with Panel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1.9 | TEKO | SQ1.9 Enclosures with Panel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ100 | Pimoroni Ltd | Description: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR Packaging: Bulk Tool Type: Logic Analyzer, Signal Generator Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ100 | IKALOGIC | Description: IKALOGIC - SQ100 - Logikanalysator, 4, 8kB, 100 MHz, 15 mm tariffCode: 90308900 Stromverbrauch: - hazardous: false usEccn: 3A992.a Frequenz: 100 Außenbreite: 50 Außentiefe: 50 euEccn: NLR Datenspeichergröße: 8kB Außenhöhe: 15 Produktpalette: ScanaQuad Anzahl der Takteingänge: - Gewicht: 80 Anzahl der Datenkanäle: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ100A | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1012,131102720075010 | auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1012.131102720075010 | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ10A-R33MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: FIXED IND 330NH 33A 1.3MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Operating Temperature: -55°C ~ 130°C DC Resistance (DCR): 1.3mOhm Current - Saturation (Isat): 50A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm) Part Status: Active Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 33 A | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ10A-R33MHF-CT | ITG Electronics, Inc. | Description: 0.33uH, 20%, 1.3mOhm, 50Amp Max Packaging: Strip Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Molded Operating Temperature: -55°C ~ 130°C DC Resistance (DCR): 1.3mOhm Current - Saturation (Isat): 50A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 33 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ10A-R47MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: FIXED IND 470NH 25A 2.3MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.492" L x 0.327" W (12.50mm x 8.30mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Operating Temperature: -55°C ~ 130°C DC Resistance (DCR): 2.3mOhm Current - Saturation (Isat): 40A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm) Part Status: Active Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 25 A | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ113-A3 | auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ113-A3.1 | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ113C | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ12-12D250 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ12-12S500-V21 | ASIA | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SQ12-5S1000 | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1202************ | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1213 | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1218 | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ124.5 | TEKO | SQ124.5 Enclosures with Panel | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQ124.9 | TEKO | Category: Enclosures with Panel Description: Enclosure: with panel; SQUID1; X: 60mm; Y: 100mm; Z: 21mm; ABS; black Enclosure material: ABS Body colour: black Type of enclosure: with panel Dimension Y: 100mm Dimension X: 60mm Dimension Z: 21mm Version: with battery compartment; with button; with flap Manufacturer series: SQUID1 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ124.9 | TEKO | Category: Enclosures with Panel Description: Enclosure: with panel; SQUID1; X: 60mm; Y: 100mm; Z: 21mm; ABS; black Enclosure material: ABS Body colour: black Type of enclosure: with panel Dimension Y: 100mm Dimension X: 60mm Dimension Z: 21mm Version: with battery compartment; with button; with flap Manufacturer series: SQUID1 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQ124C-L | auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1303-101KSB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1303-330KSB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1303-470KSB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1355 | Klein Tools, Inc. | Description: BIT POWER SQUARE #1 3.5" | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1420EEH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1421EDH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 26535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1421EDH-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 318352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1421EDH-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1421EDH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1421EDH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 26535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1421EDH-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQ1421EDH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V | auf Bestellung 3607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1431EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70 | auf Bestellung 906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1431EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1431EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70 | auf Bestellung 906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1431EH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 3735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1431EH-T1_GE3 | VISHAY | SQ1431EH-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1431EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V | auf Bestellung 16828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1431EH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1431EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 3A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1431EH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 180871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1431EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1440EH-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1440EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1440EH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1440EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1440EH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-363 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 12545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1464EEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1464EEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70 | auf Bestellung 6328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1470AEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 268633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1470AEH-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 209136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1470AEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1470AEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 267000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1470AEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1470AEH-T1_GE3 | VISHAY | SQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ147M1R0BATME | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 10528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1539EH-T1_GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 850/-850mA Power dissipation: 1.5W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.6/1.4nC Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1539EH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 162308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1539EH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1539EH-T1_GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 850/-850mA Power dissipation: 1.5W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.6/1.4nC Technology: TrenchFET® | auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1563AEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 4899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1563AEH-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 365132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1563AEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1563AEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1563AEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1643CA | PRO POWER | Description: PRO POWER - SQ1643CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 110 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Gelb tariffCode: 85444995 Steckverbinder-Ausführung: Steckdose productTraceability: No IP-Schutzart: IP44 Steckverbinderfarbe: Gelb rohsCompliant: YES Nennstrom: 16A Nennspannung V AC: 110V Pinbelegung: 2P+E euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: SQ SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1662-3 | Grayhill Inc. | Description: MACH SCR P HD HREAD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1662-3 | Grayhill | Screws & Fasteners MACH SCR P HD hread | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1662-4 | Grayhill Inc. | Description: MACH SCR P HD HREAD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1662-4 | Grayhill | Screws & Fasteners MACH SCR P HD hread | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1663C | ILME | Description: ILME - SQ1663C - CEE-Steckvorrichtung, Steckdose mit Verriegelung und Schalter, 16 A, 240 V, Steckdose, 2P+E, Blau Steckverbinder-Ausführung: Steckdose IP-Schutzart: IP44 Steckverbinderfarbe: Blau Nennstrom: 16 Nennspannung V AC: 240 Pinbelegung: 2P+E Steckverbindermontage: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1663CA | PRO POWER | Description: PRO POWER - SQ1663CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 240 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Blau tariffCode: 85444995 Steckverbinder-Ausführung: Steckdose productTraceability: No IP-Schutzart: IP44 Steckverbinderfarbe: Blau rohsCompliant: YES Nennstrom: 16A Nennspannung V AC: 240V Pinbelegung: 2P+E euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1665CA | PRO POWER | Description: PRO POWER - SQ1665CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 415 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 3P+N+E, Rot tariffCode: 85444995 Steckverbinder-Ausführung: Steckdose productTraceability: No IP-Schutzart: IP44 Steckverbinderfarbe: Rot rohsCompliant: YES Nennstrom: 16A Nennspannung V AC: 415V Pinbelegung: 3P+N+E euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1712-1 | Grayhill | Switch Fixings KNURLED FASTENER hread | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1712-1 | Grayhill Inc. | Description: MACHINE SCREW KNURLED Packaging: Bulk Type: Machine Screw | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1712PV12NF | TE Connectivity Laird | Description: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT Packaging: Bulk Features: Cable - 305mm Mounting Type: Chassis Mount Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz Gain: 2dBi Termination: N Type Female Number of Bands: 1 VSWR: 1.5 Antenna Type: Panel Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz) Frequency (Center/Band): 1.8GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1713P12NF | TE Connectivity Laird | Description: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT Packaging: Bulk Features: Cable - 305mm Mounting Type: Chassis Mount Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz Gain: 3.5dBi Termination: N Type Female Number of Bands: 1 VSWR: 1.5 Antenna Type: Panel Height (Max): 1.250" (31.75mm) Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz) Frequency (Center/Band): 1.8GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1713PNF | TE Connectivity Laird | Description: RF ANT 1.8GHZ PANEL CHAS MT Packaging: Bulk Mounting Type: Chassis Mount Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz Gain: 3.5dBi Number of Bands: 1 VSWR: 1.5 Antenna Type: Panel Height (Max): 1.250" (31.75mm) Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz) Frequency (Center/Band): 1.8GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1713PP36SMM | TE Connectivity Laird | Description: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT Packaging: Bulk Features: Cable - 914mm Mounting Type: Chassis Mount Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz Gain: 3.5dBi Termination: SMA Male Number of Bands: 1 VSWR: 1.5 Antenna Type: Panel Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz) Frequency (Center/Band): 1.8GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1852PG12NF | Laird Technologies IAS | Description: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1852PG12SMM | Laird Technologies IAS | Description: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1852PG36SMM | Laird Technologies IAS | Description: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1852PV12NF | Laird Technologies IAS | Description: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1853P12NF | Laird Technologies IAS | Description: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1853P12NF | Laird | Antennas Omni,Squint,12in,NF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1853PIHK | Laird Technologies IAS | Description: HARDWARE KIT S2403BP ANT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1853PNF | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,0,NF | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1853PNF | Laird Technologies IAS | Description: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1853PP36SMM | Laird Connectivity Inc. | Description: RF ANT 1.9GHZ PANEL CAB CHAS MT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1853PP36SMM | Laird | Antennas Omni,Squint,36in,SMA M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1855DD12NF | Laird Technologies IAS | Description: ANTENNA 1850-1990MHZ 5DBI N FML | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 10750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 430mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 10750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1902AEL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 430mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912AEEH-T1/GE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912AEEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1912AEEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912AEEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 12615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912AEEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1912AEEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912AEEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 12615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912AEEH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 151487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1912AEEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912EEH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 185315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922AEEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922AEEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 7245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922AEEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1922AEEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922AEEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922AEEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1922AEEH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual Nch 20V Vds SOT-363 | auf Bestellung 144558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 1159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1922EEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 1159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 346899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ1A41N-5LO1-C6-Q | SMC | SQ1A41N-5LO1-C6-Q Valve and Manifolds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQ1V-07B | IDEC | Description: IDEC - SQ1V-07B - RELAY SOCKET, 5PIN, 12A, 300V tariffCode: 85364110 productTraceability: No rohsCompliant: YES Nennstrom: 12A Nennspannung: 300V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Anschlussklemmen: Screw euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Sockelmontage: DIN Rail usEccn: EAR99 Produktpalette: RQ Series SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |