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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJK-ST11L
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK002N06
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK004N03T146
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK005N03ROHM10+ROHS SMT3
auf Bestellung 66000 Stücke:
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RJK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03FRAT146ROHMDescription: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
auf Bestellung 3878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03FRAT146ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.49 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03FRAT146ROHMDescription: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03T146ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 500MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 16238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
43+0.49 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03T146
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0202DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0204
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0204DPA
auf Bestellung 5555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0204DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
296+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0204DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 50A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0204DPA-00-J53
auf Bestellung 5645 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0206
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0206DPA
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0206DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 70A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0208
auf Bestellung 4784 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0208DPA
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0208DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 65A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0208DPA-00-J5A
auf Bestellung 4226 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0210
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0210DPA
auf Bestellung 3432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0210DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0211
auf Bestellung 4222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0211DPA
auf Bestellung 4322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0211DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Supplier Device Package: WPAK(3)
Part Status: Active
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
439+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0212DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH WPAK
Supplier Device Package: WPAK(3)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
524+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0214DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/45A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0214DPA-00-J53
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0215DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/40A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0216DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 10W, 20W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
255+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0222DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8W, 10W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 340000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0223DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0225DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0225DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0225DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0226DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0226DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0226DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0226DNS-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0230DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A/50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-WPAK-D
Part Status: Active
auf Bestellung 213000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
140+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0230DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
181+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0236DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-00#J0Renesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-00#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
auf Bestellung 19786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
148+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-00#JO
auf Bestellung 9765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-00-J0RenesasLFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0301
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-02#J0Renesas ElectronicsMOSFET POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-02#J0California Eastern LaboratoriesPOWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-E-L
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-OO-J0
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0301DPB-WS#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
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RJK0305DPB-00#J0RenesasLFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0305
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RJK0305DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
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Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
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