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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UC3843BVNG ON Semiconductor UC3842-43_ons.pdf ШІМ-регулятор, Fosc = 275 кГц, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, Скв, % = 96, Тексп, °С = -40...+105, Тип вих. каск. = Струм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3844BDG ON Semiconductor uc3844b-d.pdf ШИМ контроллер высокоскоростной (Uout=5V, Io=1A, Fosc=52kHz, t=0...+70С)... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-14 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
verfügbar 2159 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BD1G ON Semiconductor UC3844B-D_ONS.PDF ШІМ-регулятор, Fosc = 500 кГц, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 48, Тексп, °С = 0...+70, Функц. = Підвищуючий/Понижуючий СН,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BD1R2G ON Semiconductor UC3844B-D_ONS.PDF ШІМ-регулятор, Fosc = 500 кГц, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 48, Тексп, °С = 0...+70, Функц. = Підвищуючий/Понижуючий СН,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BVD1 ON Semiconductor UC3844B-D.pdf ШІМ-контроллер, Fosc = 275 кГц, Iвих = 1 А, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 50, Тексп, °С = -40...+105,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845D ON Semiconductor suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Fuc3842 uc3845 UC384x.pdf ШИМ контроллер высокоскоростной (Uout=5V, Io=1A, Fosc=52kHz, t=0...+70С)... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-14 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FODM8071R2 ON Semiconductor FODM8071_Fairchild.pdf Оптрон із логічним виходом, Тип вх. сигн. = однонапрямлений, If, мА = 20, Iвих, мА = 10, tпошир. = 55 нс, Uf, В = 1,35, Uiso, кВ = 3,75, Uживл, В = 3,0...5,5, Тексп, °С = -40...+110, Тип виходу = 2-тактний, 2-каскадний,... Оптоелектроніка Корпус: SOIC-6 (
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HCPL0600 ON Semiconductor HCPL0639-D.pdf Оптрон із логічним виходом, Тип вх. сигн. = односпрямований, If, A = 0,05, I = 50 мА, tпошир. = 75 нс, Uiso, кВ = 3 750, Uживл, В = 4.5...5.5, Опис Оптрон із логічним виходом, Тексп, °C = -40...+85, Шв. перед. даних = 10 Мбт/с,... Оптоелектроніка Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HCPL2601SD ON Semiconductor 6N137_OnSemi.pdf Оптрон із логічним виходом, If, мА = 50, Iвих, мА = 50, tпошир. = 75 нс, Uf, В = 1,4, Uiso, кВ = 2,5, Uживл, В = 4,5...5,5, Тексп, °С = -40...+85, Тип виходу = З відкритим колектором, Шв. перед. даних = 10 Мбіт/с,... Оптоелектроніка Корпус: SMD-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOC3082M ON Semiconductor MOC3083M_ONS.pdf Оптрон із симісторним виходом, Iвх, мА = 60, Udrm, В = 800, Uf, В = 1,3, Uiso, кВ = 4,17, К-ть кан. = 1, Контр. пер. через "0" = Так, Тексп, °C = -40...+85, Ih = 500 мкА,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FODM121A ON Semiconductor FODM2705-D.pdf Оптрон із транзисторним виходом, Uк, В = 80, Кп = 100...300% @ 5 мА, Iвих, мА = 80, Iвх, мА = 50, Uiso, кВ = 3,75, Uвх, В = 1,3, Тексп, °C = -40...+110,... Оптоелектроніка Корпус: SMD-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FODM217A ON Semiconductor FODM217A_ONS.pdf Оптрон із транзисторним виходом, Uк, В = 80, Тип вх. сигн. = однонапрямлений, Кп = 80...160% @ 5 мА, Iвих, мА = 50, Iвх, мА = 50, Uiso, кВ = 3,75, Uвх, В = 1,2, Тексп, °C = -55...+110,... Оптоелектроніка Корпус: SOIC-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HMHA281R2 ON Semiconductor HMHA281_OnSemi.pdf Оптрон із транзисторним виходом, Uк, В = 80, Кп = 50...600% @ 5 мА, Iвих, мА = 50, Iвх, мА = 50, Uiso, кВ = 3,75, Uвх, В = 1,3, Тексп, °C = -55...+100,... Оптоелектроніка Корпус: SOIC-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 39 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QRD1114 ON Semiconductor QRD1113-14_ONS.pdf description Оптопара із фототранзисторним виходом/Датчик, Uвих, В = 30, If, мА = 50, Тексп, °С = -40...+85, Метод детектування = Відбивання, В-нь вим. = 1,27 мм,... Оптоелектроніка Корпус: DIP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-600CW ON Semiconductor BTA16-600CW3-D.pdf Тиристор (альтерністор) вивідний, Udrm, В = 600, It(rms), А = 16, dIT/dt = 8,5 В/мс, dVD/dt = 40 В/мкс, Igt, мА = 35, Ih, мА = 35, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC08MT1 ON Semiconductor MAC08BT1_MT1.pdf Симистор (триак) smd (Vdrm=600V(max), It=0.8A(max), Vt... Тиристори і симістори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC212A10G ON Semiconductor media?resourcetype=datasheets&itemid=4a207f22-308f-4057-bcbc-3e26961e890d&filename=littelfuse_thyristor_mac212a8_d_datasheet.pdf ONSMS32745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description THYRISTOR TRIAC 12A 800V... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A4G ON Semiconductor MAC97-D.PDF THYRISTOR TRIAC .6A 200V TO92, VDRM,В 200v, IT(RMS),А 6a,... Тиристори і симістори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6RL1G ON Semiconductor MAC97-D.pdf Тиристор, Igt,мА = 5, Ih,мА = 10, It(rms), А = 0.6, Vdrm, В = 400, Тэксп, °С = -40...+150,... Тиристори і симістори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC9M ON Semiconductor ONSMS32295-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C).... Тиристори і симістори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCR22-6G ON Semiconductor MCR22-6-D.PDF description Тиристор, Udrm, В = 400, It(rms), А = 1,5, Igt, мА = 0,2, Ih, мА = 5, Тексп, °С = -40...+110,... Тиристори і симістори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MKP1V160G ON Semiconductor MKP1V120-D.pdf Сідактор, Udrm, В = 170, It(rms), А = 0,1, Ih, мА = 100, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: DO-41 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPD ON Semiconductor FGH50T65UPD-D.pdf Транзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 100 А, Pmax, Вт = 340, tз, мс = 32, Uce(on), В = 2,3, Р, Вт = 340, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-247AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G ON Semiconductor 2N7002E-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1597 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G ON Semiconductor 2N7002K-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5, Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G ON Semiconductor 2N7002L-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3G ON Semiconductor 2N7002L-D.PDF description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 1256 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002W ON Semiconductor 2N7002W_ONS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002WT1G ON Semiconductor 2N7002W_ONS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E ON Semiconductor 2SA2040-TL-E.PDF Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 8, ft, МГц = 290, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 40 мA, 2 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 700 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-E ON Semiconductor 2SC3648.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 700 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 400mV @ 25 мA, 250 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-E ON Semiconductor 2SC5707-TL-E.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC807-25LT1G ON Semiconductor BC807-16LT1-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0.3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC807-40LT1G ON Semiconductor BC807-16LT1-D.pdf description Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-16LT1G ON Semiconductor BC817-16LT1-D.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 51 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40LT1G ON Semiconductor BC817-40_ONS.pdf description Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40LT3G ON Semiconductor BC817-40_ONS.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC818-40LT1G ON Semiconductor BC818-40LT1-D.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 25, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846ALT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 3000 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3935 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1G ON Semiconductor BC846ALT1.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847ALT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BDW1T1G ON Semiconductor BC847BDW1T1G_ONS.PDF Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,38 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, 2 NPN (здвоєний),... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BLT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BLT3G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BTT1G ON Semiconductor BC847ATT1-D.PDF Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SC-75-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC847CLT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC848CLT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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BC849BLT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.PDF Транзистор NPN, ft,МГц =100, Ic =100mA, Ptot,Вт =225mW, VCEO,В =30, Тип монт. smd,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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BC849CLT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC856ALT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC856BLT1 ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC856BLT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC856BLT3G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC857ALT ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC857BLT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC857CLT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf description Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BCP53-10T1 ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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BCP53-10T1G ON Semiconductor BCP53T1-D.PDF Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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BCP53-16T1G ON Semiconductor BCP53T1_ONS.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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BCP53-16T3G ON Semiconductor BCP53T1_ONS.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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UC3843BVNG UC3842-43_ons.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
ШІМ-регулятор, Fosc = 275 кГц, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, Скв, % = 96, Тексп, °С = -40...+105, Тип вих. каск. = Струм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
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UC3844BDG uc3844b-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
ШИМ контроллер высокоскоростной (Uout=5V, Io=1A, Fosc=52kHz, t=0...+70С)... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-14 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BD1G UC3844B-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
ШІМ-регулятор, Fosc = 500 кГц, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 48, Тексп, °С = 0...+70, Функц. = Підвищуючий/Понижуючий СН,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BD1R2G UC3844B-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
ШІМ-регулятор, Fosc = 500 кГц, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 48, Тексп, °С = 0...+70, Функц. = Підвищуючий/Понижуючий СН,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BVD1 UC3844B-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
ШІМ-контроллер, Fosc = 275 кГц, Iвих = 1 А, Uживл, В = 7,6...30, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 50, Тексп, °С = -40...+105,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
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UC3845D suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Fuc3842 uc3845 UC384x.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
ШИМ контроллер высокоскоростной (Uout=5V, Io=1A, Fosc=52kHz, t=0...+70С)... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-14 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FODM8071R2 FODM8071_Fairchild.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптрон із логічним виходом, Тип вх. сигн. = однонапрямлений, If, мА = 20, Iвих, мА = 10, tпошир. = 55 нс, Uf, В = 1,35, Uiso, кВ = 3,75, Uживл, В = 3,0...5,5, Тексп, °С = -40...+110, Тип виходу = 2-тактний, 2-каскадний,... Оптоелектроніка Корпус: SOIC-6 (
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HCPL0600 HCPL0639-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптрон із логічним виходом, Тип вх. сигн. = односпрямований, If, A = 0,05, I = 50 мА, tпошир. = 75 нс, Uiso, кВ = 3 750, Uживл, В = 4.5...5.5, Опис Оптрон із логічним виходом, Тексп, °C = -40...+85, Шв. перед. даних = 10 Мбт/с,... Оптоелектроніка Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HCPL2601SD 6N137_OnSemi.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптрон із логічним виходом, If, мА = 50, Iвих, мА = 50, tпошир. = 75 нс, Uf, В = 1,4, Uiso, кВ = 2,5, Uживл, В = 4,5...5,5, Тексп, °С = -40...+85, Тип виходу = З відкритим колектором, Шв. перед. даних = 10 Мбіт/с,... Оптоелектроніка Корпус: SMD-8 Од. вим:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOC3082M MOC3083M_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптрон із симісторним виходом, Iвх, мА = 60, Udrm, В = 800, Uf, В = 1,3, Uiso, кВ = 4,17, К-ть кан. = 1, Контр. пер. через "0" = Так, Тексп, °C = -40...+85, Ih = 500 мкА,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FODM121A FODM2705-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом, Uк, В = 80, Кп = 100...300% @ 5 мА, Iвих, мА = 80, Iвх, мА = 50, Uiso, кВ = 3,75, Uвх, В = 1,3, Тексп, °C = -40...+110,... Оптоелектроніка Корпус: SMD-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FODM217A FODM217A_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом, Uк, В = 80, Тип вх. сигн. = однонапрямлений, Кп = 80...160% @ 5 мА, Iвих, мА = 50, Iвх, мА = 50, Uiso, кВ = 3,75, Uвх, В = 1,2, Тексп, °C = -55...+110,... Оптоелектроніка Корпус: SOIC-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HMHA281R2 HMHA281_OnSemi.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом, Uк, В = 80, Кп = 50...600% @ 5 мА, Iвих, мА = 50, Iвх, мА = 50, Uiso, кВ = 3,75, Uвх, В = 1,3, Тексп, °C = -55...+100,... Оптоелектроніка Корпус: SOIC-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 39 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QRD1114 description QRD1113-14_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Оптопара із фототранзисторним виходом/Датчик, Uвих, В = 30, If, мА = 50, Тексп, °С = -40...+85, Метод детектування = Відбивання, В-нь вим. = 1,27 мм,... Оптоелектроніка Корпус: DIP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-600CW BTA16-600CW3-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Тиристор (альтерністор) вивідний, Udrm, В = 600, It(rms), А = 16, dIT/dt = 8,5 В/мс, dVD/dt = 40 В/мкс, Igt, мА = 35, Ih, мА = 35, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC08MT1 MAC08BT1_MT1.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Симистор (триак) smd (Vdrm=600V(max), It=0.8A(max), Vt... Тиристори і симістори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC212A10G description media?resourcetype=datasheets&itemid=4a207f22-308f-4057-bcbc-3e26961e890d&filename=littelfuse_thyristor_mac212a8_d_datasheet.pdf ONSMS32745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
THYRISTOR TRIAC 12A 800V... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A4G MAC97-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
THYRISTOR TRIAC .6A 200V TO92, VDRM,В 200v, IT(RMS),А 6a,... Тиристори і симістори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6RL1G MAC97-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Тиристор, Igt,мА = 5, Ih,мА = 10, It(rms), А = 0.6, Vdrm, В = 400, Тэксп, °С = -40...+150,... Тиристори і симістори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC9M ONSMS32295-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C).... Тиристори і симістори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCR22-6G description MCR22-6-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Тиристор, Udrm, В = 400, It(rms), А = 1,5, Igt, мА = 0,2, Ih, мА = 5, Тексп, °С = -40...+110,... Тиристори і симістори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MKP1V160G MKP1V120-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Сідактор, Udrm, В = 170, It(rms), А = 0,1, Ih, мА = 100, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: DO-41 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPD FGH50T65UPD-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 100 А, Pmax, Вт = 340, tз, мс = 32, Uce(on), В = 2,3, Р, Вт = 340, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-247AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2N7002E-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1597 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2N7002K-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5, Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3G description 2N7002L-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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verfügbar 1256 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002W 2N7002W_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002WT1G 2N7002W_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 8, ft, МГц = 290, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 40 мA, 2 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 700 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-E 2SC3648.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 700 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 400mV @ 25 мA, 250 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC807-25LT1G BC807-16LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0.3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC807-40LT1G description BC807-16LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-16LT1G BC817-16LT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40LT1G description BC817-40_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40LT3G BC817-40_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC818-40LT1G BC818-40LT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 25, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846ALT1G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 3000 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1G BC846ALT1.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847ALT1G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,38 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, 2 NPN (здвоєний),... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BLT1G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BLT3G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BTT1G BC847ATT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SC-75-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847CLT1G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 104 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848CLT1G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849BLT1G BC846ALT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, ft,МГц =100, Ic =100mA, Ptot,Вт =225mW, VCEO,В =30, Тип монт. smd,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849CLT1G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3192 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1 bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 120 Stücke:
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1750 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT3G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857ALT BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 691 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1 bcp53t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1G BCP53T1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T1G BCP53T1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T3G BCP53T1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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