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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC489AZL1 ON Semiconductor BC489_on.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 160 @ Ic = 100 mA, Uce = 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 38 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC546ABU ON Semiconductor BC546-50_ONS.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC547BZL1G ON Semiconductor BC546-548_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC556BG ON Semiconductor BC556B-D_7_8_ONS.PDF Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 280, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC557BRL1G ON Semiconductor BC556B-557A-558B_ONS.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 320, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC557C ON Semiconductor BC556B-D.PDF bc556.pdf Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, f>150MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC557CZL1G ON Semiconductor BC556B-D_ONS.PDF Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 320, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1G ON Semiconductor BC639_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639G ON Semiconductor BC635-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639RL1G ON Semiconductor BC635-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139G ON Semiconductor BD135-D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD179G ON Semiconductor BD179-D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 30, Uceo, В = 80, Ic = 3 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD234G ON Semiconductor BD237-D_ONS.PDF Транзистор PNP, Ptot, Вт = 25, Uceo, В = 45, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD242CG ON Semiconductor BD241C-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 300 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 600 мA, 3 А, Р, Вт = 40, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS107ARL1G ON Semiconductor BS107-D.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 250 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Rds = 6,4 Ом @ 250 мA, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 522 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS107G ON Semiconductor BS107-D.PDF description N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ON Semiconductor BS170-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 10, Rds = 5 Ом @ 200 мA, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 1000 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1381ESTU ON Semiconductor KSA1381-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, hFE = 100 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 2 мA, 20 мА, Р, Вт = 7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA916YTA ON Semiconductor KSA916_ONS.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 120, Ic = 800 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,8 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2316YTA ON Semiconductor KSC2316_ONS.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 120, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 120 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2383YTA ON Semiconductor KSC2383-889452_ONS.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 200 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92L-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ15024 ON Semiconductor MJ15024.PDF?rlkey=1h6dfov7vcdkkvfdiuvb1177b&st=0zrnpazn&dl=0 Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-204AA Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ15024G ON Semiconductor MJ15022-D.PDF description Транзистор NPN, Uceo, В = 250, Ic = 16 А, ft, МГц = 4, Icutoff-max = 500 мкА, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3(TO-204AA) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 99 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ15025 ON Semiconductor MJ15025.PDF?rlkey=gbbiyhe0ljjjmpi8hejg8zf4r&st=pgecc21u&dl=0 Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-3 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1G ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf description Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13003G ON Semiconductor mje13003-d.pdf description Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13005 ON Semiconductor mje13005-d.pdf Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13005G ON Semiconductor mje13005-d.pdf description Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C). Pb-Free... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007G ON Semiconductor MJE13007_ons.pdf description Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=8A, P=80W, B=8-40, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030G ON Semiconductor MJE15028-31D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031G ON Semiconductor MJE15028-31D_ONS.PDF Транзистор PNP, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032G ON Semiconductor mje15032.pdf Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15033G ON Semiconductor MJE15033.pdf Транзистор PNP, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц = 30, hFE = 10 (при 2A, 5 В), VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мА, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Транзистор PNP , Тип монт. выводной, VCEO,В x, Ic x, Ptot,Вт x, ft,МГц x,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243G ON Semiconductor MJE243-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253G ON Semiconductor MJE243-D_ONS.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340 ON Semiconductor en.CD00000930.pdf MJE340.pdf Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350 ON Semiconductor en.CD00000930.pdf MJE350.pdf Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350G ON Semiconductor MJE350.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4343G ON Semiconductor mje4343-d.pdf Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO–218 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730G ON Semiconductor mje5730-d.pdf Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS651RLRMG ON Semiconductor MPS650-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мА, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS751G ON Semiconductor MPS650-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 200 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA18 ON Semiconductor mpsa18-d-304602.pdf Транзистор NPN малошумний, Uceo, В = 45, Ic = 250 мА, ft, МГц = 160, hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA92 ON Semiconductor MPSA92-D.PDF Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,62, Uceo, В = -300, Ic = -500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = -250 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA92G ON Semiconductor MPSA92-D.PDF description Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA92RL1G ON Semiconductor MPSA92-D.PDF Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 25 @ 30 мА, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 2 мА, 20 мА, Р, Вт = 0,265 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 2272 Stücke:
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MPSW92 ON Semiconductor MPSW92-D.PDF Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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MTP6N60E ON Semiconductor N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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P2N2222ARL1 ON Semiconductor P2N2222A%20Rev3.pdf Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
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MCH6541-TL-E ON Semiconductor MCH6541-TL-E.pdf Транзисторна збірка NPN-PNP, Uceo, В = 30, Ic = 700 мА, hFE = 300 @ 50 мA, 2 В / 200 @ 10 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,19 @ 10 мA, 200 мA / 0,22 @ 10 мA, 200 мА, Р, Вт = 0,55, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ft, МГц =
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMUN2211LT1 ON Semiconductor MMUN2211LT1-D.pdf description Транзистор NPN з BRT, Ptot, Вт = 0,246, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 35...60 @ 5 mA, 10 V, Icutoff-max = 500 нА, Тексп, °С = -55...+150, R1, kOm = 10, R1/R2 = 1,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NSVMMUN2212LT1G ON Semiconductor DTC124E-D.pdf Транзистор NPN з BRT, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 60, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA, Р, Вт = 0,246, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 25 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BD681G ON Semiconductor BD675-D.PDF Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-12
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BDX33B ON Semiconductor bdx33b-d.pdf Транзистор NPN составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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BDX33C ON Semiconductor BDX33B-D.pdf Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 V @ 6 мA, 3 A, Р, Вт = 70 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BDX34B ON Semiconductor bdx33b-d.pdf Транзистор PNP составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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BSP52 ON Semiconductor BSP52.pdf Транзистор биполярный составной (Дарлингтона), Ic = 0.8, Ptot,Вт = 1, VCEO,В = 80, VCEO(sat),В = 1 @ 500 мкА, 500 мА, Тип монт. = smd, Тип стр. = N-P-N,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MJD112 ON Semiconductor description Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
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MJD117 ON Semiconductor mjd112-d.pdf Транзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
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BC489AZL1 BC489_on.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 160 @ Ic = 100 mA, Uce = 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC546ABU BC546-50_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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BC547BZL1G BC546-548_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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BC556BG BC556B-D_7_8_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 280, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BC557BRL1G BC556B-557A-558B_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 320, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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BC557C BC556B-D.PDF bc556.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, f>150MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC557CZL1G BC556B-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 320, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1G BC639_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639G BC635-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639RL1G BC635-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139G BD135-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD179G BD179-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 30, Uceo, В = 80, Ic = 3 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD234G BD237-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 25, Uceo, В = 45, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD242CG BD241C-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 300 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 600 мA, 3 А, Р, Вт = 40, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS107ARL1G description BS107-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 250 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Rds = 6,4 Ом @ 250 мA, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 522 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS107G description BS107-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 10, Rds = 5 Ом @ 200 мA, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 1000 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1381ESTU KSA1381-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, hFE = 100 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 2 мA, 20 мА, Р, Вт = 7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA916YTA KSA916_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 120, Ic = 800 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,8 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2316YTA KSC2316_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 120, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 120 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2383YTA KSC2383-889452_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 200 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92L-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ15024 MJ15024.PDF?rlkey=1h6dfov7vcdkkvfdiuvb1177b&st=0zrnpazn&dl=0
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-204AA Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ15024G description MJ15022-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 250, Ic = 16 А, ft, МГц = 4, Icutoff-max = 500 мкА, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3(TO-204AA) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 99 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ15025 MJ15025.PDF?rlkey=gbbiyhe0ljjjmpi8hejg8zf4r&st=pgecc21u&dl=0
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-3 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1G description MJD44H11-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13003G description mje13003-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13005 mje13005-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13005G description mje13005-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C). Pb-Free... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007G description MJE13007_ons.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=8A, P=80W, B=8-40, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030G MJE15028-31D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031G MJE15028-31D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032G mje15032.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15033G MJE15033.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц = 30, hFE = 10 (при 2A, 5 В), VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мА, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G mje15034-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP , Тип монт. выводной, VCEO,В x, Ic x, Ptot,Вт x, ft,МГц x,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243G MJE243-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253G MJE243-D_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340 en.CD00000930.pdf MJE340.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350 en.CD00000930.pdf MJE350.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350G MJE350.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4343G mje4343-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO–218 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730G mje5730-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS651RLRMG MPS650-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мА, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS751G MPS650-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 200 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA18 mpsa18-d-304602.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN малошумний, Uceo, В = 45, Ic = 250 мА, ft, МГц = 160, hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA92 MPSA92-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,62, Uceo, В = -300, Ic = -500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = -250 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA92G description MPSA92-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA92RL1G MPSA92-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 25 @ 30 мА, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 2 мА, 20 мА, Р, Вт = 0,265 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 2272 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW92 MPSW92-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 966 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP6N60E
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2N2222ARL1 P2N2222A%20Rev3.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCH6541-TL-E MCH6541-TL-E.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзисторна збірка NPN-PNP, Uceo, В = 30, Ic = 700 мА, hFE = 300 @ 50 мA, 2 В / 200 @ 10 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,19 @ 10 мA, 200 мA / 0,22 @ 10 мA, 200 мА, Р, Вт = 0,55, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ft, МГц =
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1 description MMUN2211LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN з BRT, Ptot, Вт = 0,246, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 35...60 @ 5 mA, 10 V, Icutoff-max = 500 нА, Тексп, °С = -55...+150, R1, kOm = 10, R1/R2 = 1,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2212LT1G DTC124E-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN з BRT, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 60, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA, Р, Вт = 0,246, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 25 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD681G BD675-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-12
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33B bdx33b-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33C BDX33B-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 V @ 6 мA, 3 A, Р, Вт = 70 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX34B bdx33b-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52 BSP52.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор биполярный составной (Дарлингтона), Ic = 0.8, Ptot,Вт = 1, VCEO,В = 80, VCEO(sat),В = 1 @ 500 мкА, 500 мА, Тип монт. = smd, Тип стр. = N-P-N,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112 description
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117 mjd112-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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