| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MURB1620CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 975mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FFD10UP20S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFD10UP20S - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, 1.15 V, 35 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: FFD10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTBGS1D5N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 211W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm |
auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTBGS1D5N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 211W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm |
auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTBGS2D5N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 349 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
MBRF30H100CTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRF30H100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
MAX810MTRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MAX810MTRG - Überwachungsschaltung, Stromversorgung, MCU, 1.2V-5.5Vsupp., 4.38V Schwellenspannung/460ms, SOT-23-3tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 460ms Qualifikation: - Bauform - digitaler IC: SOT-23 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Reset-Ausgang: Aktiv-High MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.38V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schwellenspannung: 4.38V Betriebstemperatur, max.: 105°C |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MC10H107FNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC10H107FNG - MC10H107FNG, LOGICtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
MC10101PG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC10101PG - MC10101PG, LOGICtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
MC10H100M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC10H100M - MC10H100M, LOGICtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| MC10E107FNR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC10E107FNR2 - MC10E107FNR2, LOGICtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
1SMB5918BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
auf Bestellung 93690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
1SMB5918BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
auf Bestellung 93690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| LB8649FN-TLM-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LB8649FN-TLM-E - LB8649 - SYSTEM MOTOR DRIVERtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| TND508S-R-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TND508S-R-TL-E - TND508S-R-TL-E, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| LB11823M-TLM-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LB11823M-TLM-E - 3PHASE MOTOR DRIVERtariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
NRVTSAF5100ET3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMA-FL Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 690mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NRVTSAF5100ET3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMA-FL Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 690mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
BC857ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BC857ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
MC74HC165ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC165ADTR2G - Schieberegister, Baureihe HC, 74HC165, Parallel zu seriell, seriell zu seriell, 1 Element, 8 bittariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74165 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Differenz Anzahl der Elemente: 1 Element Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell, seriell zu seriell hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC165 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Bits pro Element: 8bit |
auf Bestellung 9506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTMYS025N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTMYS025N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 24W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
1SMA5929BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
auf Bestellung 4194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
1SMA5918BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA59xxBT3G productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
auf Bestellung 33915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SZ1SMA5929BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
1SMA5918BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA59xxBT3G productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
auf Bestellung 33915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
1SMA5929BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
auf Bestellung 4194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
1SMA5942BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1SMA59xxBT3G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 51V SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
1SMA5913BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5913BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.3 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SZ1SMA5929BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
1SMA5942BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1SMA59xxBT3G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 51V SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
BZX84B8V2LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B8V2LT1G - Zener-Diode, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 8.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| LA5757TP-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LA5757TP-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: NO Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 39900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| LA72670BM-F-MPB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LA72670BM-F-MPB-E - EACHtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2073 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| LA5759-MDB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LA5759-MDB-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: NO Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
FDB2532 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB3632 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 310W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB2532 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB28N30TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDBL0150N80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: MO-299A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDBL86363-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 357W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm |
auf Bestellung 7176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB38N30U | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB110N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB0250N807L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB2614 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB0250N807L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB110N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB050AN06A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 245W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB060AN08A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 255W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDB38N30U | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
MC74HC1G08DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC1G08DFT1G - AND-Gatter, 74HC1G08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-353-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 74HC1G08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
BC548CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| NCP583XV30T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP583XV30T2G - NCP583XV30T2G, SHIFT REGISTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 129574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4771144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
KSC5026MOS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDMS0308CS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS0308CS - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 14783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NSVR351SDSA3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVR351SDSA3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 5 V, 30 mA, Zwei in Reihe, SC-59, 3 Pin(s), 230 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-59 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 230mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
CAT4104VP2-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT4104VP2-GT3 - LED-Treiber, 3V bis 5.5Vin, 4 Ausgänge, 700mAout, TDFN-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 25V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TDFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 700mA Eingangsspannung, min.: 3V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.3 EUR |
| 106+ | 2.02 EUR |
| 250+ | 1.99 EUR |
| FFD10UP20S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFD10UP20S - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, 1.15 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252AA
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FFD10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FFD10UP20S - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, 1.15 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252AA
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FFD10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 3.15 EUR |
| 104+ | 2.24 EUR |
| 145+ | 1.48 EUR |
| NTBGS1D5N06C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.02 EUR |
| 26+ | 9.21 EUR |
| 100+ | 6.58 EUR |
| 500+ | 5.3 EUR |
| NTBGS1D5N06C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.02 EUR |
| 26+ | 9.21 EUR |
| 100+ | 6.58 EUR |
| 500+ | 5.3 EUR |
| NTBGS2D5N06C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MBRF30H100CTG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRF30H100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 930mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRF30H100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 930mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 72+ | 3.5 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |
| 151+ | 1.42 EUR |
| MAX810MTRG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MAX810MTRG - Überwachungsschaltung, Stromversorgung, MCU, 1.2V-5.5Vsupp., 4.38V Schwellenspannung/460ms, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
Bauform - digitaler IC: SOT-23
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-High
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.38V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 4.38V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ONSEMI - MAX810MTRG - Überwachungsschaltung, Stromversorgung, MCU, 1.2V-5.5Vsupp., 4.38V Schwellenspannung/460ms, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
Bauform - digitaler IC: SOT-23
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-High
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.38V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 4.38V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MC10H107FNG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10H107FNG - MC10H107FNG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC10H107FNG - MC10H107FNG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 184+ | 7.2 EUR |
| MC10101PG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10101PG - MC10101PG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC10101PG - MC10101PG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 241+ | 3.38 EUR |
| MC10H100M |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10H100M - MC10H100M, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC10H100M - MC10H100M, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 6.47 EUR |
| MC10E107FNR2 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10E107FNR2 - MC10E107FNR2, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC10E107FNR2 - MC10E107FNR2, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 8.25 EUR |
| 1SMB5918BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
auf Bestellung 93690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 1.17 EUR |
| 363+ | 0.64 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 1SMB5918BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
auf Bestellung 93690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 1.17 EUR |
| 363+ | 0.64 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| LB8649FN-TLM-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB8649FN-TLM-E - LB8649 - SYSTEM MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - LB8649FN-TLM-E - LB8649 - SYSTEM MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 10.4 EUR |
| TND508S-R-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TND508S-R-TL-E - TND508S-R-TL-E, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - TND508S-R-TL-E - TND508S-R-TL-E, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 458+ | 2.09 EUR |
| LB11823M-TLM-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB11823M-TLM-E - 3PHASE MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - LB11823M-TLM-E - 3PHASE MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.07 EUR |
| NRVTSAF5100ET3G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NRVTSAF5100ET3G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC857ALT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 870+ | 0.29 EUR |
| 1578+ | 0.14 EUR |
| 2539+ | 0.084 EUR |
| 3473+ | 0.062 EUR |
| 4000+ | 0.054 EUR |
| BC857ALT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 870+ | 0.29 EUR |
| 1578+ | 0.14 EUR |
| 2539+ | 0.084 EUR |
| 3473+ | 0.062 EUR |
| 4000+ | 0.054 EUR |
| MC74HC165ADTR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC165ADTR2G - Schieberegister, Baureihe HC, 74HC165, Parallel zu seriell, seriell zu seriell, 1 Element, 8 bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74165
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Differenz
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell, seriell zu seriell
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC165
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
Description: ONSEMI - MC74HC165ADTR2G - Schieberegister, Baureihe HC, 74HC165, Parallel zu seriell, seriell zu seriell, 1 Element, 8 bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74165
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Differenz
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell, seriell zu seriell
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC165
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
auf Bestellung 9506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 311+ | 0.81 EUR |
| 449+ | 0.51 EUR |
| 654+ | 0.33 EUR |
| 690+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| NTMYS025N06CLTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5 EUR |
| 80+ | 2.9 EUR |
| 122+ | 1.76 EUR |
| NTMYS025N06CLTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.9 EUR |
| 122+ | 1.76 EUR |
| 1SMA5929BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
auf Bestellung 4194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 206+ | 1.21 EUR |
| 348+ | 0.67 EUR |
| 513+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 1SMA5918BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
auf Bestellung 33915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 204+ | 1.23 EUR |
| 345+ | 0.68 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| SZ1SMA5929BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1SMA5918BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
auf Bestellung 33915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 204+ | 1.23 EUR |
| 345+ | 0.68 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 1SMA5929BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
auf Bestellung 4194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 206+ | 1.21 EUR |
| 348+ | 0.67 EUR |
| 513+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 1SMA5942BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1SMA5913BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5913BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.3 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1SMA5913BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.3 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 304+ | 0.82 EUR |
| 496+ | 0.46 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| 1019+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| SZ1SMA5929BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1SMA5942BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BZX84B8V2LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B8V2LT1G - Zener-Diode, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84B8V2LT1G - Zener-Diode, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 770+ | 0.32 EUR |
| 1165+ | 0.2 EUR |
| 2507+ | 0.086 EUR |
| 2786+ | 0.077 EUR |
| 3216+ | 0.067 EUR |
| LA5757TP-TL-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA5757TP-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - LA5757TP-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 2.93 EUR |
| LA72670BM-F-MPB-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA72670BM-F-MPB-E - EACH
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - LA72670BM-F-MPB-E - EACH
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 214+ | 3.82 EUR |
| LA5759-MDB-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA5759-MDB-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - LA5759-MDB-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 3.62 EUR |
| FDB2532 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.59 EUR |
| 37+ | 6.31 EUR |
| 50+ | 5.38 EUR |
| 100+ | 4.93 EUR |
| 250+ | 4.52 EUR |
| FDB3632 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 310W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 310W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.7 EUR |
| 41+ | 5.74 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 3.15 EUR |
| FDB2532 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.93 EUR |
| 250+ | 4.52 EUR |
| FDB28N30TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
| FDBL0150N80 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.08 EUR |
| 500+ | 5.01 EUR |
| 1000+ | 4.95 EUR |
| FDB075N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 7.76 EUR |
| 250+ | 7.6 EUR |
| FDBL86363-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.84 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
| 1000+ | 3.86 EUR |
| FDB38N30U |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.09 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| FDB110N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.11 EUR |
| 29+ | 8.12 EUR |
| 100+ | 6.26 EUR |
| 500+ | 5.95 EUR |
| FDB0250N807L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 13.09 EUR |
| 29+ | 8.12 EUR |
| 100+ | 6.02 EUR |
| FDB2614 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.83 EUR |
| 500+ | 4.87 EUR |
| 1000+ | 4.84 EUR |
| FDB0250N807L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6.02 EUR |
| FDB110N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6.26 EUR |
| 500+ | 5.95 EUR |
| FDB050AN06A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.94 EUR |
| FDB060AN08A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.95 EUR |
| FDB38N30U |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.2 EUR |
| 38+ | 6.22 EUR |
| 100+ | 4.09 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| MC74HC1G08DFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC1G08DFT1G - AND-Gatter, 74HC1G08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74HC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74HC1G08DFT1G - AND-Gatter, 74HC1G08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74HC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC548CTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 422+ | 0.6 EUR |
| 676+ | 0.35 EUR |
| 1055+ | 0.2 EUR |
| 1425+ | 0.15 EUR |
| 1629+ | 0.13 EUR |
| NCP583XV30T2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP583XV30T2G - NCP583XV30T2G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP583XV30T2G - NCP583XV30T2G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 129574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.51 EUR |
| NSBC143TPDXV6T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4771144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.14 EUR |
| KSC5026MOS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 3.2 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 186+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| FDMS0308CS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0308CS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS0308CS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 241+ | 3.47 EUR |
| NSVR351SDSA3T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR351SDSA3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 5 V, 30 mA, Zwei in Reihe, SC-59, 3 Pin(s), 230 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-59
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 230mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSVR351SDSA3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 5 V, 30 mA, Zwei in Reihe, SC-59, 3 Pin(s), 230 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-59
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 230mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 219+ | 1.14 EUR |
| 255+ | 0.92 EUR |
| 410+ | 0.52 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| CAT4104VP2-GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT4104VP2-GT3 - LED-Treiber, 3V bis 5.5Vin, 4 Ausgänge, 700mAout, TDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - CAT4104VP2-GT3 - LED-Treiber, 3V bis 5.5Vin, 4 Ausgänge, 700mAout, TDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.94 EUR |
| 181+ | 1.29 EUR |
| 228+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| 2500+ | 0.86 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |


























