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0805S8F100JT5E

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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
0805S8F100JT5E 0805S8F100JT5E Royal Ohm general.pdf 0805S8F100JT5E 10 Ом 100 ШТ. 0805 1 % Резистори та cбірки постійні
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0805S8F100JT5E 0805S8F100JT5E ROYALOHM ROYALOHM-THICKFILM.pdf POWER_RATING-DTE.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10Ω; SMD; 0805; 0.125W; ±1%; 150V; -55÷125°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Max. overload voltage: 300V
Operating temperature: -55...125°C
Temperature coefficient: 400ppm/°C
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0805S8F100JT5E Royal ohm Res Thick Film 0805 10 Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±400ppm/C Pad SMD T/R
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0805S8F100JT5E Royal ohm Res Thick Film 0805 10 Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±400ppm/C Pad SMD T/R
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Hersteller: Royal Ohm
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Hersteller: ROYALOHM
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10Ω; SMD; 0805; 0.125W; ±1%; 150V; -55÷125°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Max. overload voltage: 300V
Operating temperature: -55...125°C
Temperature coefficient: 400ppm/°C
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Hersteller: Royal ohm
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E32-433T30S V8 (Ebyte) UART Modul on chip SX1278 433MHz SMD
Produktcode: 168413
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e32-433t30s_usermanual_en_v1_6.pdf
E32-433T30S V8 (Ebyte) UART Modul on chip SX1278 433MHz SMDE32-433T30S V8 (Ebyte) UART Modul on chip SX1278 433MHz SMD
E32-433T30S V8 (Ebyte) UART Modul on chip SX1278 433MHz SMDE32-433T30S V8 (Ebyte) UART Modul on chip SX1278 433MHz SMD
Hersteller: Ebyte
Modulare Elemente > IC Radiomodule
Funktionsbeschreibung: Drahtloser SMD Sendeempfänger 433MHz auf Basis von SX1278. Anschlussschnittstellen: UART. Unterstützt Protokoll: LoRa. Unterstützt Verschlüsselung und Datenkompression. Sendeleistung: 21-30dBm (standardmäßig 30dBm ca. 1W), Empfängerempfindlichkeit: -147 dBm (Übertragung über die Luft 0.3kbps), Übertragungsreichweite: ~ 8km im Freien mit Antenne. Antennenanschluss: IPX. Stromversorgung: 3,3 ... 5,2 VDC. Abmessungen: 40,3x25 mm.
Abmessungen: 40,3x25 мм
Versorgung, V: 3,3...5,2 V
T, °C: -40...+85°C
Verbindungsart: RF
Frequenz: 410...441 MHz
Schnittstelle: UART
Gerätetyp: Transceiver
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  • 100 St. - erwartet 22.11.2026
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10+21.66 EUR
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IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
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description infineon-irf7832-datasheet-en.pdf
IRF7832TRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
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erwartet: 300 St.
  • 300 St. - erwartet 28.10.2026
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 600 St.
  • 600 St. - erwartet 28.10.2026
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100+0.79 EUR
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