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2SK2161

2SK2161 Sanyo

2sk2161_datasheet.pdf
Produktcode: 84157
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Hersteller: Sanyo
Gehäuse: TO-220ML
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK2161 2SK2161 onsemi SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 49687 Stücke:
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2SK2161 ONSEMI SNYOS12769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK2161 - 2SK2161, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45850 Stücke:
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250+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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2SK2161 ON Semiconductor SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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2SK2161 ON Semiconductor SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+2.08 EUR
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2SK2161 SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK2161
Hersteller: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 49687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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222+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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2SK2161 SNYOS12769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK2161 - 2SK2161, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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250+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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2SK2161 SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 837 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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2SK2161 SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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Produktcode: 184919
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/25
Montage: THT
erwartet: 10 St.
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IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.98 EUR
10+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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2SK794
Produktcode: 81895
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2sk794.pdf
2SK794
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm
Bemerkung: 150W
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 13 St.
  • 13 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.83 EUR
10+1.5 EUR
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2SK3878
Produktcode: 56955
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2sk3878-datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 62 St.
  • 62 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.37 EUR
10+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NF06
Produktcode: 46845
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en.CD00002501.pdf
STP16NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 315/10
Montage: THT
auf Bestellung: 21 St.
  • 21 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH