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2SK2161

2SK2161 Sanyo

2sk2161_datasheet.pdf
Produktcode: 84157
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Hersteller: Sanyo
Gehäuse: TO-220ML
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
auf Bestellung 38 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK2161 2SK2161 onsemi SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 49687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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2SK2161 ON Semiconductor SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.38 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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2SK2161 ON Semiconductor SNYOS12769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.38 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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2SK2161
Hersteller: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
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Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/25
Montage: THT
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung 7 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 81895
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm
Bemerkung: 150W
Montage: THT
verfügbar: 19 St.
  • 6 St. - stock Köln
  • 13 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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2SK3878
Produktcode: 56955
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2sk3878-datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
auf Bestellung 97 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NF06
Produktcode: 46845
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STP16NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 315/10
Montage: THT
auf Bestellung 21 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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