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BD912

BD912 ST

BD909,910,911,912.pdf
Produktcode: 2464
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250
auf Bestellung 530 Stück:
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Technische Details BD912 ST

  • TRANSISTOR, PNP, TO-220
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
  • Max Current Ic Continuous a:15A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:90W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:3MHz
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Application Code:GP
  • Current Ic @ Vce Sat:5A
  • Current Ic hFE:0.5A
  • Device Marking:BD912
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Gain Hfe:250
  • Max Current Ic:15A
  • Max Power Dissipation Ptot:90W
  • Min Gain Bandwidth ft:3MHz
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Voltage Vcbo:100V

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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11450 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 174
BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics BD911.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2198 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 41
BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics bd911-1849142.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
auf Bestellung 1992 Stücke:
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2+2.38 EUR
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2000+ 1.08 EUR
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001277.pdf Description: TRANS PNP 100V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 90 W
auf Bestellung 578 Stücke:
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8+2.39 EUR
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100+ 1.58 EUR
500+ 1.34 EUR
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11450 Stücke:
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63+2.41 EUR
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250+ 1.4 EUR
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2000+ 0.83 EUR
10000+ 0.81 EUR
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BD912 BD912
Produktcode: 123127 		Hersteller : CYD tbd912-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 15 A
h21,max: 250
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BD912 BD912 Hersteller : NTE Electronics BD911_12.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO220
Current gain: 5...250
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics 5356.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD912 BD912 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00001277.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD912 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3823 Stücke:
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BD912 Hersteller : JSMicro Semiconductor en.CD00001277.pdf Transistor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; BD912 JSMICRO TBD912 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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50+0.94 EUR
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BD912 Hersteller : ARK en.CD00001277.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 c TBD912 c
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BD912 Hersteller : CDIL en.CD00001277.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 TBD912
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BD912 Hersteller : ST en.CD00001277.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 sgs TBD912sgs
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BD912 Hersteller : ST en.CD00001277.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 sgs TBD912sgs
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BD912 Hersteller : ARK en.CD00001277.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 c TBD912 c
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BD912 Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00001277.pdf TRANS PNP 100V 15A TO-220
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BD912 BD912
Produktcode: 190956 		Hersteller : CDIL en.CD00001277.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 15 A
h21,max: 250
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics BD911.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 2198 Stücke:
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59+ 1.22 EUR
110+ 0.65 EUR
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BD912 BD912 Hersteller : NTE Electronics BD911_12.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO220
Current gain: 5...250
Mounting: THT
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BD912 Hersteller : ST en.CD00001277.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 sgs TBD912sgs
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BD912 Hersteller : onsemi / Fairchild en.CD00001277.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD911
Produktcode: 183683		 description info-tbd911.pdf
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Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 436 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 4745		 cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
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fT: 190 MHz
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Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 8 Stück
7 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
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Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 825 Stück
104 Stück - stock Köln
721 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet 19.10.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 9461 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
0,1 Ohm 5% 2W (MOR200SJTB-0R1-Hitano)
Produktcode: 25198		 MOR_080911.pdf
0,1 Ohm 5% 2W (MOR200SJTB-0R1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
verfügbar: 890 Stück
120 Stück - stock Köln
770 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet 20.10.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.068 EUR
10+ 0.055 EUR
100+ 0.042 EUR