IRF640 ST
Produktcode: 7926
Hersteller: STGehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
auf Bestellung 446 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
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Technische Details IRF640 ST
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:18A
- On State Resistance:0.18ohm
- Case Style:TO-220 (SOT-78B)
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Power Dissipation Ptot:125W
- Max Voltage Vds:200V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:72A
- Typ Capacitance Ciss:1200pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
- Transistor Case Style:TO-220
Möglichen Substitutionen IRF640 ST
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IRF640N Produktcode: 30510 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 JHGF: THT |
verfügbar: 12 Stück
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IRF640NPBF Produktcode: 42934 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Bem.: P=150W, -55...170 C JHGF: THT |
verfügbar: 623 Stück
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Analogon IRF640 ST
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF640 Produktcode: 192240 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57 JHGF: THT |
auf Bestellung 52 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRF640 nach Preis ab 1.33 EUR bis 2.66 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IRF640 Produktcode: 192240 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57 JHGF: THT |
auf Bestellung 52 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF640 | Hersteller : SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640 | Hersteller : IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640 | транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220 |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF640 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF640PBF |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640 | Hersteller : NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRF9640PBF Produktcode: 22646 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
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Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
auf Bestellung 238 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.75 EUR |
10+ | 0.67 EUR |
IRF640NPBF Produktcode: 42934 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 623 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.36 EUR |
1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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auf Bestellung 38605 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)LM358P Produktcode: 24924 |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
verfügbar: 573 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.15 EUR |
NE555P IC Timer Produktcode: 26138 |
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2719 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |