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IRL1404ZPBF

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Produktcode: 34998
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3363594.pdf MOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
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On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526		 RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 26474 Stück
erwartet: 40000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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10+ 1.45 EUR
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IRF1010NPBF
Produktcode: 26804		 description irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
IRF1010NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar: 109 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.72 EUR
IRL3803PBF
Produktcode: 28690		 description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
IRL3803PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.2 EUR
IRF1404PBF
Produktcode: 31360		 irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 815 Stück:
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