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BCX42E6327

BCX42E6327 Infineon

bcx42-55872-datasheet.pdf
Produktcode: 122762
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 150 МГц
Spannung Uce, V: 125 В
Spannung Ucb, V: 125 В
Strom Ic, A: 1 A
auf Bestellung 479 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCX42E6327 BCX42E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX42E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 125V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
290+0.3 EUR
468+0.18 EUR
562+0.15 EUR
650+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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BCX 42 E6327 Infineon Technologies BCX42_Infineon.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мA, 300 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 61 Stücke:
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BCX42E6327 BCX42E6327.pdf
BCX42E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 125V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
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193+0.44 EUR
290+0.3 EUR
468+0.18 EUR
562+0.15 EUR
650+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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BCX 42 E6327 BCX42_Infineon.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мA, 300 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 61 Stücke:
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BCX41E6327 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 25121
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BCX41E6327 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 125 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 125 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 40
Montage: SMD
auf Bestellung 872 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.095 EUR
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BSS123-E6327
Produktcode: 98887
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datasheet-bss123-e4.pdf
BSS123-E6327
Hersteller: Siemens
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 0,17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 55/1.78
Montage: SMD
auf Bestellung 7 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.04 EUR
10+0.033 EUR
100+0.03 EUR
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Kontakte für HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL)
Produktcode: 8246
14 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Kontakte für HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für Steckverbinder mit Raster 2.54mm auf Draht: 22-28AWG
Stecker/Buchse: Kontakte / Aderendhülsen
Anzahl Kontakte: -
Kontaktabstand: 2,54 мм
Steckverbinder-Serie: Kontakte für HU
Montage: Kabelmontage
verfügbar: 35 St.
    erwartet: 100000 St.
    • 100000 St. - erwartet 22.10.2026
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.024 EUR
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    IRF630NPBF
    Produktcode: 15961
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    		description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
    IRF630NPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
    Montage: THT
    verfügbar: 223 St.
    • 2 St. - stock Köln
    • 221 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.43 EUR
    10+0.42 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BDX53C
    Produktcode: 123175
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    		tbdx53c-datasheet.pdf
    BDX53C
    Hersteller: ST
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-220
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 В
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
    Kollektorstrom Ic, A: 8 A
    Bemerkung: Darlington
    Montage: THT
    auf Bestellung 100 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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