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BUL45D2G (Bipolartransistor NPN)

BUL45D2G (Bipolartransistor NPN) ON

BUL45D2.PDF
Produktcode: 20850
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 700
Ic,A: 5
h21: 29
ZCODE: THT
verfügbar 6 Stück:
Anzahl Preis
1+0.96 EUR
10+0.84 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUL45D2G BUL45D2G Hersteller : onsemi bul45d2-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BUL45D2G BUL45D2G Hersteller : ONSEMI bul45d2-d.pdf Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUL45D2G BUL45D2G Hersteller : ON Semiconductor bul45d2-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL45D2G BUL45D2G Hersteller : ON Semiconductor bul45d2-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL45D2G BUL45D2G Hersteller : onsemi BUL45D2_D-1802886.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 400V 75W NPN
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Produktcode: 31995
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2sc5200.pdf
2SC5200O (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
fT: 30 MHz
Uceo,V: 230
Ucbo,V: 230
Ic,A: 15
h21: 160
ZCODE: 8541290090
verfügbar: 42 Stück
10 Stück - stock Köln
32 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+4.5 EUR
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Produktcode: 28060
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MJE15032,15033.pdf
MJE15032G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250
Ucbo,V: 250
Ic,A: 8
h21: 70
ZCODE: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.8 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 2368 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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IRF710
Produktcode: 23685
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description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
IRF710
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 2
Rds(on), Ohm: 03.06.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.53 EUR
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 229 Stück
2 Stück - stock Köln
227 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
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