BUL45D2G (Bipolartransistor NPN) (ON) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
BUL45D2G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20850
Hersteller: ONGehäuse: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 700
Ic,A: 5
h21: 29
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Technische Details BUL45D2G (Bipolartransistor NPN)
- RF Bipolar Transistor
- Transistor Polarity:NPN
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V
- Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):22V
- Power Dissipation, Pd:75W
- DC Current Gain Min (hfe):22
- Package/Case:3-TO-220
Preis BUL45D2G (Bipolartransistor NPN) ab 0.58 EUR bis 3.29 EUR
 Hersteller: onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN/500V
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auf Bestellung 5034 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUL45D2G Hersteller: ONSEMI Material: BUL45D2G NPN THT transistors
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 Hersteller: ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 5A 400V 75W NPN
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auf Bestellung 4040 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: ONSEMI Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Through Hole Transistor Polarity: NPN Product Range: - Power Dissipation Pd: 75 DC Current Gain hFE: 10 Operating Temperature Max: 150 Transistor Mounting: Through Hole MSL: - Automotive Qualification Standard: - DC Collector Current: 5 Transistor Case Style: TO-220 Transition Frequency ft: 13 No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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BUL45D2G Hersteller: BUL45D2G TRANS NPN 5A 700V 75W TO220AB
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BUL45D2G Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL45D2G Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 70 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUL45D2G Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 50 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUL45D2G Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220AB Supplier Device Package: TO-220AB Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Frequency - Transition: 13MHz Power - Max: 75W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V Current - Collector (Ic) (Max): 5A Transistor Type: NPN Part Status: Active Packaging: Tube
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 18
№ 8: 8541100090
120 Stück - stock KölnDioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
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U Durchbruch: 18
№ 8: 8541100090
1975 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 19732 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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