BUL45D2G (Bipolartransistor NPN) (ON) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BUL45D2G (Bipolartransistor NPN)

BUL45D2G (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 20850
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 700
Ic,A: 5
h21: 29

BUL45D2.PDF
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Technische Details BUL45D2G (Bipolartransistor NPN)

  • RF Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):22V
  • Power Dissipation, Pd:75W
  • DC Current Gain Min (hfe):22
  • Package/Case:3-TO-220

Preis BUL45D2G (Bipolartransistor NPN) ab 0.58 EUR bis 3.29 EUR

BUL45D2G
BUL45D2G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN/500V
FJT44_D-2313659.pdf
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BUL45D2G
Hersteller: ONSEMI
Material: BUL45D2G NPN THT transistors
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BUL45D2G
BUL45D2G
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 5A 400V 75W NPN
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BUL45D2G
BUL45D2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 75
DC Current Gain hFE: 10
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 5
Transistor Case Style: TO-220
Transition Frequency ft: 13
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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BUL45D2G
Hersteller:
BUL45D2G TRANS NPN 5A 700V 75W TO220AB
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BUL45D2G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL45D2G
BUL45D2G
Hersteller: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 13MHz
Power - Max: 75W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tube
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Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
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P, Wt: 600
U Durchbruch: 18
№ 8: 8541100090
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1975 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 19732 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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10+ 0.29 EUR