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IRF710

IRF710

HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Produktcode: 23685
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/17
Montage: THT
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Technische Details IRF710 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:1.5A
  • On State Resistance:3.6ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:400V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:20W
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:6A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF710 IRF710 Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 18893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710 IRF710 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
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IRF710 IRF710 onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
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IRF710 IRF710 Siliconix info-tirf710.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRF710 FAIRCHILD HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
auf Bestellung 18893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
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IRF710 ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4400 Stücke:
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1000+0.84 EUR
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IRF710 HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
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1000+0.84 EUR
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IRF710 ONSEMI MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
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IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
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IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
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IRF710 description info-tirf710.pdf
IRF710
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
IRF710
auf Bestellung 18893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
701+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
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IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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701+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
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IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF710
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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701+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710 description MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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243+1.04 EUR
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2SC5200O (NPN-Bipolartransistor)
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 230 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 230 V
Kollektorstrom Ic, A: 15 A
Stromverstärkung h21: 160
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 250 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 250 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 70
Montage: THT
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1238 St.
  • 1238 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
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Hersteller: ON
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Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 13 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 29
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+1.18 EUR
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Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 221 St.
  • 221 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH