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IRF710

IRF710

HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Produktcode: 23685
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 2
Rds(on), Ohm: 03.06.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
JHGF: THT
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Technische Details IRF710 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:1.5A
  • On State Resistance:3.6ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:400V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:20W
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:6A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF710 IRF710 Hersteller : Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
505+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 505
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IRF710 IRF710 Hersteller : onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
505+0.89 EUR
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IRF710 IRF710 Hersteller : Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
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IRF710 IRF710 Hersteller : Siliconix info-tirf710.pdf N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
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IRF710 Hersteller : ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF710 Hersteller : HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf IRF710
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IRF710 Hersteller : ONSEMI MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF710 IRF710
Produktcode: 123225
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Hersteller : SILI 91041-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
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IRF710 IRF710 Hersteller : Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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IRF710 IRF710 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
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fT: 30 MHz
Uceo,V: 230
Ucbo,V: 230
Ic,A: 15
h21: 160
ZCODE: 8541290090
verfügbar: 22 St.
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Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250
Ucbo,V: 250
Ic,A: 8
h21: 70
ZCODE: THT
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Rds(on), Ohm: 0.0065
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JHGF: THT
auf Bestellung 1546 St.:
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Gehäuse: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 400
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Ic,A: 5
h21: 29
ZCODE: THT
verfügbar: 6 St.
Anzahl Preis
1+0.96 EUR
10+0.84 EUR
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verfügbar: 227 St.
2 St. - stock Köln
225 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.35 EUR
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