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BUL45D2G (NPN-Bipolartransistor)

BUL45D2G (NPN-Bipolartransistor) ON

BUL45D2.PDF
Produktcode: 20850
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 13 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 29
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+1.18 EUR
10+1.06 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUL45D2G BUL45D2G onsemi bul45d2-d.pdf description Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BUL45D2G BUL45D2G ONSEMI bul45d2-d.pdf description Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
55+4.27 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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BUL45D2G description bul45d2-d.pdf
BUL45D2G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BUL45D2G description bul45d2-d.pdf
BUL45D2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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55+4.27 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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Produktcode: 31995
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 230 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 230 V
Kollektorstrom Ic, A: 15 A
Stromverstärkung h21: 160
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 42 St.
  • 42 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.95 EUR
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Produktcode: 28060
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MJE15032,15033.pdf
MJE15032G (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 250 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 250 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 70
Montage: THT
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.05 EUR
10+0.95 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1231 St.
  • 1231 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
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IRF710
Produktcode: 23685
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description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
IRF710
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/17
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
10+0.63 EUR
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 221 St.
  • 221 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
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