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BUL45D2G (NPN-Bipolartransistor)

BUL45D2G (NPN-Bipolartransistor) ON

BUL45D2.PDF
Produktcode: 20850
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 13 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 29
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.14 EUR
    10+1 EUR
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    BUL45D2G BUL45D2G onsemi bul45d2-d.pdf description Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A
    Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V
    Frequency - Transition: 13MHz
    Supplier Device Package: TO-220
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
    Power - Max: 75 W
    auf Bestellung 20 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+5.11 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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    BUL45D2G description bul45d2-d.pdf
    BUL45D2G
    Hersteller: onsemi
    Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A
    Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V
    Frequency - Transition: 13MHz
    Supplier Device Package: TO-220
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
    Power - Max: 75 W
    auf Bestellung 20 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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    2SC5200O (NPN-Bipolartransistor)
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    2SC5200O (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: Toshiba
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-247
    Transitfrequenz fT: 30 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 230 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 230 V
    Kollektorstrom Ic, A: 15 A
    Stromverstärkung h21: 160
    Montage: THT
    verfügbar: 22 St.
    • 10 St. - stock Köln
    • 12 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 30 St.
    • 30 St. - erwartet 25.07.2026
    AnzahlPrivatkunde
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    10+5.36 EUR
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    MJE15032G (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 28060
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    		MJE15032,15033.pdf
    MJE15032G (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: ON
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-220
    Transitfrequenz fT: 30 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 250 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 250 V
    Kollektorstrom Ic, A: 8 A
    Stromverstärkung h21: 70
    Montage: THT
    auf Bestellung 100 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.05 EUR
    10+0.95 EUR
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    IRF3205PBF
    Produktcode: 25094
    17 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
    IRF3205PBF
    Hersteller: IR/Infineon
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
    Drain-Strom Idd, A: 110 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
    Montage: THT
    auf Bestellung 1240 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    erwartet 50 St.:
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.78 EUR
    10+1.73 EUR
    100+1.19 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF710
    Produktcode: 23685
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    		description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
    IRF710
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
    Drain-Strom Idd, A: 2 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/17
    Montage: THT
    Produkt ist nicht verfügbar
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.68 EUR
    10+0.63 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF630NPBF
    Produktcode: 15961
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
    IRF630NPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
    Montage: THT
    verfügbar: 223 St.
    • 2 St. - stock Köln
    • 221 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.43 EUR
    10+0.42 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH