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IRFB3306PBF

IRFB3306PBF

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Produktcode: 88656
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4520/85
Montage: THT
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 230W
Gate charge: 85nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 4.2mΩ
auf Bestellung 341 Stücke:
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28+3.13 EUR
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43+2.01 EUR
49+1.75 EUR
54+1.58 EUR
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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56+3.13 EUR
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
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5+4.65 EUR
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50+2.27 EUR
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500+1.63 EUR
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
50+4.74 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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127+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 527 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
93+1.88 EUR
103+1.67 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2976 Stücke:
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343+1.9 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
343+1.9 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29634 Stücke:
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81+2.15 EUR
100+1.88 EUR
500+1.51 EUR
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3000+1.19 EUR
5000+1.07 EUR
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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66+2.62 EUR
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IRFB3306PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 230W
Gate charge: 85nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 4.2mΩ
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33+2.65 EUR
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49+1.75 EUR
54+1.58 EUR
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 527 Stücke:
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56+3.13 EUR
93+1.81 EUR
103+1.57 EUR
500+1.29 EUR
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1159 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
47+3.75 EUR
85+1.98 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.77 EUR
85+2.03 EUR
100+1.77 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29635 Stücke:
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IRFB3306PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
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IRFB3306PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 959 Stücke:
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
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IRFB3307ZPBF
Produktcode: 37782
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IRFB3307ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4750/79
Montage: THT
auf Bestellung: 31 St.
  • 31 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+2.09 EUR
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2,4 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-2R4-Hitano)
Produktcode: 13645
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2,4 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-2R4-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 2,4 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1199 St.
  • 1199 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4290 St.
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100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
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2SC3320 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 13498
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2SC3320 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fujitsu
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 500 V
Kollektorstrom Ic, A: 15 A
Stromverstärkung h21: 10
Montage: THT
auf Bestellung: 77 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+6.46 EUR
10+5.95 EUR
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100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 3673
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100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 137 St.
  • 137 St. - stock Köln
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 01.11.2026
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AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
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