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IRFB3306PBF

IRFB3306PBF

irfs3306pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 88656
Hersteller: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
JHGF: THT
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.97 EUR
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302+1.84 EUR
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69+2.15 EUR
100+2.00 EUR
250+1.87 EUR
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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3000+0.81 EUR
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
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6+3.34 EUR
50+1.60 EUR
100+1.51 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3306_DataSheet_v01_01_EN-3363278.pdf MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
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1+3.47 EUR
10+2.08 EUR
100+1.78 EUR
250+1.65 EUR
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1000+1.28 EUR
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies 295irfs3306pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5800 Stück:
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10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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LNK306PN Aktive elektronische - IC - IC LED-Treiber
Produktcode: 29133
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description
LNK306PN Aktive elektronische - IC - IC LED-Treiber
Hersteller: PI
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: DIP-7
Vcc, V: 6...700V
Iausg., mA: 578mA
Fosc, kHz: 66
Kanalzahl: 1
Робоча температура, °С: -40…+150°C
auf Bestellung 107 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.90 EUR
10+2.50 EUR
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STGW50NC60W
Produktcode: 38440
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STGW50NC60W.pdf
STGW50NC60W
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,6
Ic 25: 100
Ic 100: 55
Pd 25: 285
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 52/31
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.10 EUR
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Ventilator 80x80x25 12V (GT2-7013 -12V)
Produktcode: 101219
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101219.jpg
Ventilator 80x80x25 12V (GT2-7013 -12V)
Hersteller: Global
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 80x80x25
Spannung, V: 12 DC
Leistung, Watt: 1.68 Вт
Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
auf Bestellung 1315 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF
Produktcode: 104275
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description irfb3077pbf-datasheet.pdf
IRFB3077PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 99 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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