IRFP264PBF (TO-247AC, IR)
Produktcode: 51613
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5400/210
Montage: THT
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Analogon IRFP264PBF (TO-247AC, IR) IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Produktcode: 156295
1
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В Drain-Strom Idd, A: 38 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5400/210 Montage: THT |
auf Bestellung 139 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Produktcode: 156295
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 38 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5400/210
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 38 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5400/210
Montage: THT
auf Bestellung 139 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Weitere Produktangebote IRFP264PBF (TO-247AC, IR) nach Preis ab 4.22 EUR bis 18.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFP264PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Power dissipation: 280W Gate charge: 0.21µC Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247AC |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP264PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 2533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP264PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP264PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP264PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Gate charge: 0.21µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Gate charge: 0.21µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 9.07 EUR |
| 14+ | 6.32 EUR |
| 25+ | 5.62 EUR |
| 100+ | 4.71 EUR |
| 125+ | 4.58 EUR |
| 250+ | 4.22 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.07 EUR |
| 10+ | 8.52 EUR |
| 100+ | 6.89 EUR |
| 500+ | 5.57 EUR |
| 1000+ | 5.43 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 14.97 EUR |
| 17+ | 10.25 EUR |
| 25+ | 8.92 EUR |
| 100+ | 7.34 EUR |
| 125+ | 7.02 EUR |
| 250+ | 6.38 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.21 EUR |
| 25+ | 9.7 EUR |
| 100+ | 8.14 EUR |
| IRFP264PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.24 EUR |
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| IRFP264NPBF Produktcode: 197506
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Reiniger für Leiterplatten 90мл (Isopropylalkohol) Produktcode: 170724
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Lieblingsprodukt
|
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Reiniger für Leiterplatten, gemäß GOST, eine 2-Komponenten-Zusammensetzung auf Basis von absolutem Isopropylalkohol (der Gehalt an Wasser und anderen Verunreinigungen übersteigt 0,5% nicht.) und Universalreiniger. Bei der Behandlung der Platine nach dem Löten von Funkkomponenten mit dieser Zusammensetzung spült der Alkohol Flussmittelrückstände (Kolophonium) ab, und der Reiniger entfernt die nach dem Löten entstehenden Verbrennungsrückstände. Der Leiterplattenreiniger ist ein ideales Mittel zum Spülen von Platinen, auf die Wasser gelangt ist, insbesondere von Platinen von Mobiltelefonen — "Ertrunkenen". Um die Platine zu spülen, genügt es, sie von beiden Seiten mit einer in den Reiniger getauchten Zahnbürste abzureiben.
Verwendung: Spült Flussmittelrückstände ab
Verpackung: 90ml
Typ: Reinigungsmittel
Beschreibung: Reiniger für Leiterplatten, gemäß GOST, eine 2-Komponenten-Zusammensetzung auf Basis von absolutem Isopropylalkohol (der Gehalt an Wasser und anderen Verunreinigungen übersteigt 0,5% nicht.) und Universalreiniger. Bei der Behandlung der Platine nach dem Löten von Funkkomponenten mit dieser Zusammensetzung spült der Alkohol Flussmittelrückstände (Kolophonium) ab, und der Reiniger entfernt die nach dem Löten entstehenden Verbrennungsrückstände. Der Leiterplattenreiniger ist ein ideales Mittel zum Spülen von Platinen, auf die Wasser gelangt ist, insbesondere von Platinen von Mobiltelefonen — "Ertrunkenen". Um die Platine zu spülen, genügt es, sie von beiden Seiten mit einer in den Reiniger getauchten Zahnbürste abzureiben.
Verwendung: Spült Flussmittelrückstände ab
Verpackung: 90ml
Typ: Reinigungsmittel
auf Bestellung 93 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| NE5532DR Produktcode: 27082
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 V
Bandbreite BW, MHz: 10 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,5 mV
Anstiegsrate, V/µs: 9 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 V
Bandbreite BW, MHz: 10 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,5 mV
Anstiegsrate, V/µs: 9 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung 191 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |









