IRFP264PBF (TO-247AC, IR)
Produktcode: 51613
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5400/210
Montage: THT
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Weitere Produktangebote IRFP264PBF (TO-247AC, IR) nach Preis ab 4.22 EUR bis 16.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP264PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 24A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP264PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 5521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP264PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP264PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 5.82 EUR |
| 100+ | 5.55 EUR |
| 500+ | 5.28 EUR |
| 1000+ | 4.71 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.1 EUR |
| 30+ | 5.88 EUR |
| 100+ | 5.7 EUR |
| 500+ | 5.51 EUR |
| 1000+ | 5.05 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 9.07 EUR |
| 14+ | 6.32 EUR |
| 25+ | 5.62 EUR |
| 100+ | 4.71 EUR |
| 125+ | 4.58 EUR |
| 250+ | 4.22 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.65 EUR |
| 10+ | 7.35 EUR |
| 100+ | 6.06 EUR |
| 500+ | 5.43 EUR |
| 1000+ | 5.13 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 14.95 EUR |
| 17+ | 10.25 EUR |
| 25+ | 8.92 EUR |
| 100+ | 7.32 EUR |
| 125+ | 7.01 EUR |
| 250+ | 6.37 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.15 EUR |
| 28+ | 8.38 EUR |
| 100+ | 6.43 EUR |
| IRFP264PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.54 EUR |
| 25+ | 9.89 EUR |
| 50+ | 9.03 EUR |
| 100+ | 8.31 EUR |
| 500+ | 7.04 EUR |
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| IRFP264NPBF Produktcode: 197506
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
- 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.13 EUR |
| 10+ | 2.9 EUR |
| Reiniger für Leiterplatten 90мл (Isopropylalkohol) Produktcode: 170724
10
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Lieblingsprodukt
|
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Reiniger für Leiterplatten, gemäß GOST, eine 2-Komponenten-Zusammensetzung auf Basis von absolutem Isopropylalkohol (der Gehalt an Wasser und anderen Verunreinigungen übersteigt 0,5% nicht.) und Universalreiniger. Bei der Behandlung der Platine nach dem Löten von Funkkomponenten mit dieser Zusammensetzung spült der Alkohol Flussmittelrückstände (Kolophonium) ab, und der Reiniger entfernt die nach dem Löten entstehenden Verbrennungsrückstände. Der Leiterplattenreiniger ist ein ideales Mittel zum Spülen von Platinen, auf die Wasser gelangt ist, insbesondere von Platinen von Mobiltelefonen — "Ertrunkenen". Um die Platine zu spülen, genügt es, sie von beiden Seiten mit einer in den Reiniger getauchten Zahnbürste abzureiben.
Verwendung: Spült Flussmittelrückstände ab
Verpackung: 90ml
Typ: Reinigungsmittel
Beschreibung: Reiniger für Leiterplatten, gemäß GOST, eine 2-Komponenten-Zusammensetzung auf Basis von absolutem Isopropylalkohol (der Gehalt an Wasser und anderen Verunreinigungen übersteigt 0,5% nicht.) und Universalreiniger. Bei der Behandlung der Platine nach dem Löten von Funkkomponenten mit dieser Zusammensetzung spült der Alkohol Flussmittelrückstände (Kolophonium) ab, und der Reiniger entfernt die nach dem Löten entstehenden Verbrennungsrückstände. Der Leiterplattenreiniger ist ein ideales Mittel zum Spülen von Platinen, auf die Wasser gelangt ist, insbesondere von Platinen von Mobiltelefonen — "Ertrunkenen". Um die Platine zu spülen, genügt es, sie von beiden Seiten mit einer in den Reiniger getauchten Zahnbürste abzureiben.
Verwendung: Spült Flussmittelrückstände ab
Verpackung: 90ml
Typ: Reinigungsmittel
auf Bestellung: 119 St.
- 119 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.74 EUR |
| NE5532DR Produktcode: 27082
2
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 V
Bandbreite BW, MHz: 10 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,5 mV
Anstiegsrate, V/µs: 9 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 V
Bandbreite BW, MHz: 10 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,5 mV
Anstiegsrate, V/µs: 9 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung: 171 St.
- 171 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.33 EUR |
| 10+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |









