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MD2001FX

MD2001FX ST

md2001fx-datasheet.pdf
Produktcode: 117283
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Hersteller: ST
Gehäuse: ISOWATT218FX
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 В
Kollektorstrom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21: 4,5
Montage: THT
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  • 203 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MD2001FX MD2001FX STMicroelectronics 2635cd00160932.pdf Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MD2001FX MD2001FX STMicroelectronics 2635cd00160932.pdf Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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MD2001FX MD2001FX STMICROELECTRONICS SGSTS27658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
47+5.01 EUR
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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MD2001FX 2635cd00160932.pdf
MD2001FX
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
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MD2001FX 2635cd00160932.pdf
MD2001FX
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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MD2001FX SGSTS27658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MD2001FX
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.32 EUR
47+5.01 EUR
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SS16
Produktcode: 16411
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ss16-vishay.pdf
SS16
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,7 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
21+0.058 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description infineon-irfz24n-datasheet-en.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 39 St.
  • 39 St. - stock Köln
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 26.11.2026
auf Bestellung: 95 St.
  • 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 2273
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10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
erwartet: 4010 St.
  • 10 St. - erwartet
  • 4000 St. - erwartet
auf Bestellung: 2056 St.
  • 2056 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.12 EUR
20+0.06 EUR
100+0.054 EUR
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP55NF06
Produktcode: 1982
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description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 130 St.
  • 130 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.92 EUR
10+0.86 EUR
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1158
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BC635,637,639.pdf
BC639 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 972 St.
  • 972 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH