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MD2001FX

MD2001FX ST

md2001fx-datasheet.pdf
Produktcode: 117283
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Hersteller: ST
Gehäuse: ISOWATT218FX
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 12 А
h21: 4,5
ZCODE: THT
auf Bestellung 219 St.:
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MD2001FX MD2001FX Hersteller : STMicroelectronics 2635cd00160932.pdf Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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MD2001FX MD2001FX Hersteller : STMicroelectronics en.CD00160932.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
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MD2001FX MD2001FX Hersteller : STMicroelectronics en.CD00160932.pdf Description: TRANS NPN 700V 12A ISOWATT-218FX
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT218FX
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218FX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 58 W
auf Bestellung 4027 Stücke:
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4+5.6 EUR
30+3.04 EUR
120+2.48 EUR
510+2.07 EUR
1020+1.92 EUR
2010+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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MD2001FX MD2001FX Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS27658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 417 Stücke:
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MD2001FX en.CD00160932.pdf
auf Bestellung 600 Stücke:
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MD2001FX Hersteller : STM en.CD00160932.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
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ST13009L(Bipolartransistor NPN)
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 12
h21: 28
ZCODE: THT
auf Bestellung 82 St.:
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10+0.53 EUR
100+0.38 EUR
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10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2273
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10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 6652 St.:
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10+0.05 EUR
100+0.045 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STP55NF06
Produktcode: 1982
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description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 201 St.:
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10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1158
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BC635,637,639.pdf
BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 1329 St.
50 St. - stock Köln
1279 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.09 EUR
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