MD2001FX ST
Produktcode: 117283
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: ISOWATT218FX
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 В
Kollektorstrom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21: 4,5
Montage: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote MD2001FX nach Preis ab 2.09 EUR bis 7.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MD2001FX | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MD2001FX | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MD2001FX | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor |
auf Bestellung 4672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MD2001FX | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 700V 12A ISOWATT-218FXPackaging: Tube Package / Case: ISOWATT218FX Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V Supplier Device Package: ISOWATT-218FX Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Power - Max: 58 W |
auf Bestellung 4027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MD2001FX | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MD2001FX |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MD2001FX |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 2.18 EUR |
| MD2001FX |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 2.18 EUR |
| MD2001FX |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 600+ | 2.09 EUR |
| MD2001FX |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 700V 12A ISOWATT-218FX
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT218FX
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218FX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 58 W
Description: TRANS NPN 700V 12A ISOWATT-218FX
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT218FX
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218FX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 58 W
auf Bestellung 4027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.66 EUR |
| 30+ | 3.62 EUR |
| 120+ | 2.95 EUR |
| 510+ | 2.46 EUR |
| 1020+ | 2.28 EUR |
| 2010+ | 2.13 EUR |
| MD2001FX |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.93 EUR |
| 65+ | 3.59 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| SS16 Produktcode: 16411
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,7 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,7 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 20 St.
- 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.046 EUR |
| 1000+ | 0.036 EUR |
| IRFZ24NPBF Produktcode: 4381
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 39 St.
- 39 St. - stock Köln
auf Bestellung: 326 St.
- 326 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 2273
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung: 6257 St.
- 6257 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.06 EUR |
| 100+ | 0.054 EUR |
| 1000+ | 0.048 EUR |
| STP55NF06 Produktcode: 1982
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
erwartet: 20 St.
- 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 169 St.
- 169 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| BC639 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 1158
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
- 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1222 St.
- 1222 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.13 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.075 EUR |









