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MD2001FX

MD2001FX ST

md2001fx-datasheet.pdf
Produktcode: 117283
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Hersteller: ST
Gehäuse: ISOWATT218FX
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 12 А
h21: 4,5
Montage: THT
auf Bestellung 219 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MD2001FX MD2001FX STMicroelectronics 2635cd00160932.pdf Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MD2001FX MD2001FX STMicroelectronics 2635cd00160932.pdf Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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MD2001FX MD2001FX STMicroelectronics en.CD00160932.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
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1+6.64 EUR
10+2.89 EUR
100+2.24 EUR
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MD2001FX MD2001FX STMicroelectronics en.CD00160932.pdf Description: TRANS NPN 700V 12A ISOWATT-218FX
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT218FX
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218FX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 58 W
auf Bestellung 4027 Stücke:
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4+6.66 EUR
30+3.62 EUR
120+2.95 EUR
510+2.46 EUR
1020+2.28 EUR
2010+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MD2001FX MD2001FX STMICROELECTRONICS SGSTS27658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MD2001FX
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MD2001FX
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 12A 58000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
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MD2001FX
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 700V 12A ISOWATT-218FX
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT218FX
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218FX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 58 W
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MD2001FX
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MD2001FX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4.5hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: ISOWATT-218FX
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 373 St.
  • 39 St. - stock Köln
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ST13009L (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3722
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ST13009.pdf
ST13009L (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 А
h21: 28
Montage: THT
auf Bestellung 75 St.:
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10+0.63 EUR
100+0.45 EUR
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10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 2273
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10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung 6572 St.:
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100+0.054 EUR
1000+0.048 EUR
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STP55NF06
Produktcode: 1982
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 196 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.51 EUR
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1158
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BC635,637,639.pdf
BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 1 А
h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 1305 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 1255 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.11 EUR
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