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MMBT2222ALT1G (ON) Bipolartransistor NPN

MMBT2222ALT1G (ON) Bipolartransistor NPN

Produktcode: 35896
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Montage: SMD
auf Bestellung 1475 St.:
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AnzahlPreis
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Möglichen Substitutionen MMBT2222ALT1G (ON) Bipolartransistor NPN ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MMBT2222 (Bipolartransistor NPN) MMBT2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 12976
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NXP MMBT2222.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
    1+0.04 EUR
    10+0.032 EUR
    100+0.03 EUR
    1000+0.025 EUR
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    MMBT2222A MMBT2222A
    Produktcode: 160580
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    		Yangjie mmbt2222a-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    fT: 300 MHz
    Uceo,V: 40 V
    Ucbo,V: 75 V
    Ic,A: 0,6 A
    h21: 300
    Montage: SMD
    auf Bestellung 1219 St.:
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    MMBT2222 (Bipolartransistor NPN)
    Produktcode: 12976
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    		MMBT2222.pdf
    MMBT2222 (Bipolartransistor NPN)
    Hersteller: NXP
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    fT: 300 MHz
    Uceo,V: 30 V
    Ucbo,V: 60 V
    Ic,A: 0,6 A
    h21: 300
    Montage: SMD
    verfügbar: 250 St.
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      MMBT2222A
      Produktcode: 160580
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      		mmbt2222a-sot23.pdf
      MMBT2222A
      Hersteller: Yangjie
      Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
      Gehäuse: SOT-23
      fT: 300 MHz
      Uceo,V: 40 V
      Ucbo,V: 75 V
      Ic,A: 0,6 A
      h21: 300
      Montage: SMD
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      Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 23460 Stücke:
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      Mindestbestellmenge: 11236 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 23686 Stücke:
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 1404000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      4256+0.034 EUR
      6000+0.029 EUR
      Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 1404000 Stücke:
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
      auf Bestellung 151642 Stücke:
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      3000+0.042 EUR
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      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 186000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      3106+0.047 EUR
      12000+0.022 EUR
      27000+0.021 EUR
      51000+0.02 EUR
      102000+0.019 EUR
      Mindestbestellmenge: 3106 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 76541 Stücke:
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      2445+0.06 EUR
      2786+0.052 EUR
      3718+0.038 EUR
      6000+0.033 EUR
      Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
      Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
      Type of transistor: NPN
      Polarisation: bipolar
      Collector-emitter voltage: 40V
      Collector current: 0.6A
      Power dissipation: 0.225/0.3W
      Case: SOT23; TO236AB
      Current gain: 100...300
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Frequency: 300MHz
      auf Bestellung 83014 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      455+0.16 EUR
      685+0.1 EUR
      1005+0.071 EUR
      1185+0.06 EUR
      1725+0.041 EUR
      2017+0.035 EUR
      3000+0.028 EUR
      6000+0.024 EUR
      9000+0.022 EUR
      Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 76541 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      669+0.22 EUR
      1102+0.13 EUR
      1789+0.076 EUR
      2445+0.053 EUR
      2786+0.045 EUR
      3718+0.032 EUR
      6000+0.028 EUR
      Mindestbestellmenge: 669 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
      auf Bestellung 1234088 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      13+0.23 EUR
      21+0.14 EUR
      100+0.086 EUR
      500+0.062 EUR
      1000+0.055 EUR
      3000+0.04 EUR
      6000+0.037 EUR
      Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
      auf Bestellung 151648 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      77+0.23 EUR
      127+0.14 EUR
      206+0.086 EUR
      500+0.062 EUR
      1000+0.054 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 546260 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: N
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 546260 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
      Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
      auf Bestellung 700 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      1000+0.045 EUR
      Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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      MMBT2222ALT1G ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
      auf Bestellung 10 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      10+0.77 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      auf Bestellung 11000 Stücke:
      Lieferzeit 18-25 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 23460 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      11236+0.013 EUR
      Mindestbestellmenge: 11236 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 23686 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      11364+0.013 EUR
      Mindestbestellmenge: 11364 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 1404000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      4256+0.034 EUR
      6000+0.029 EUR
      Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 1404000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      4256+0.034 EUR
      6000+0.03 EUR
      Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: onsemi
      Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
      auf Bestellung 151642 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPreis
      3000+0.042 EUR
      6000+0.037 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 186000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      3106+0.047 EUR
      12000+0.022 EUR
      27000+0.021 EUR
      51000+0.02 EUR
      102000+0.019 EUR
      Mindestbestellmenge: 3106 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 76541 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2445+0.06 EUR
      2786+0.052 EUR
      3718+0.038 EUR
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      Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G MMBT2222.PDF
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Category: NPN SMD transistors
      Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
      Type of transistor: NPN
      Polarisation: bipolar
      Collector-emitter voltage: 40V
      Collector current: 0.6A
      Power dissipation: 0.225/0.3W
      Case: SOT23; TO236AB
      Current gain: 100...300
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Frequency: 300MHz
      auf Bestellung 83014 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      455+0.16 EUR
      685+0.1 EUR
      1005+0.071 EUR
      1185+0.06 EUR
      1725+0.041 EUR
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      3000+0.028 EUR
      6000+0.024 EUR
      9000+0.022 EUR
      Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 76541 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      669+0.22 EUR
      1102+0.13 EUR
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      2786+0.045 EUR
      3718+0.032 EUR
      6000+0.028 EUR
      Mindestbestellmenge: 669 Stücke
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: onsemi
      Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
      auf Bestellung 1234088 Stücke:
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      3000+0.04 EUR
      6000+0.037 EUR
      Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: onsemi
      Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
      auf Bestellung 151648 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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      77+0.23 EUR
      127+0.14 EUR
      206+0.086 EUR
      500+0.062 EUR
      1000+0.054 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 546260 Stücke:
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      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: N
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 546260 Stücke:
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      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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      Hersteller: ON-Semiconductor
      Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
      Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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      Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
      Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
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      MMBT2907ALT1G
      Produktcode: 25960
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      MMBT2907ALT1G
      Hersteller: ON
      Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
      Gehäuse: SOT-23
      fT: 200 MHz
      U, V: 60
      U, V: 60
      I, А: 0.6
      h21,max: 300
      verfügbar: 5921 St.
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PMBT2907A
      Produktcode: 22304
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      		description PMBT2907, A.pdf
      PMBT2907A
      Hersteller: NXP
      Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
      Gehäuse: SOT-23
      fT: 200 MHz
      U, V: 60
      U, V: 60
      I, А: 0.6
      h21,max: 100
      auf Bestellung 284 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      LD1117S50TR
      Produktcode: 4565
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      		datasheetLD1117S50TR.pdf
      LD1117S50TR
      Hersteller: ST
      IC > IC lineare Spannungsregler
      Gehäuse: SOT-223
      Uin, V: 15
      Uout,V: 5
      Iout,A: 0.8
      Udrop, V: 1.1
      Bemerkung: Fixed
      Temperaturbereich: 0…150
      verfügbar: 2055 St.
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      • 2052 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
      erwartet: 50 St.
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        10+0.24 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
        Produktcode: 39088
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        		RC0603HIT.pdf
        6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
        Hersteller: Hitano
        Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
        Resistenz: 6,81 kOhm
        Präzision: ±1% F
        P Nenn.,W: 0,25W
        U Betriebs.,V: 200V
        Größe Typ: 1206
        auf Bestellung 8379 St.:
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        Mindestbestellmenge: 10 St.
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
        Produktcode: 48855
        10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		cl_series_mlcc_datasheet.pdf
        0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
        Hersteller: Samsung
        Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
        Kapazität: 100 nF
        Nennspannung: 50 V
        Dielektrikum: X7R
        Präzision: ±10% K
        Gro?entyp: 1206
        auf Bestellung 66252 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH