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SI2301-TP

SI2301(SOT-23).pdf
Produktcode: 190375
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2301-TP SI2301-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2301(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2301-TP SI2301-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2301(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
auf Bestellung 21745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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SI2301-TP SI2301-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) SI2301(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
506+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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SI2301-TP SI2301-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) SI2301(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
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isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2485 Stücke:
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308+0.81 EUR
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SI2301-TP Micro Computer Control SI2301(SOT-23).pdf SI2301-TP
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2301-TP SI2301(SOT-23).pdf
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI2301-TP SI2301(SOT-23).pdf
SI2301-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
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SI2301-TP SI2301(SOT-23).pdf
SI2301-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
auf Bestellung 21745 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
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SI2301-TP SI2301(SOT-23).pdf
SI2301-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
308+0.81 EUR
506+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301-TP SI2301(SOT-23).pdf
SI2301-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2485 Stücke:
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Hersteller: Micro Computer Control
SI2301-TP
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 1537 St.
  • 26 St. - stock Köln
  • 1511 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.94 EUR
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2N7002 (Hottech, SOT-23-3)
Produktcode: 47271
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2n7002-datasheet.pdf
2N7002 (Hottech, SOT-23-3)
Hersteller: Hottech
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 43/1,4
Montage: SMD
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 1498 St.
  • 25 St. - stock Köln
  • 1473 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.38 EUR
10+0.33 EUR
100+0.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
auf Bestellung 235 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.52 EUR
10+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5457
Produktcode: 26511
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2N5457-5459.PDF
2N5457
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 0,1 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4.5/ -
Montage: THT
auf Bestellung 226 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.46 EUR
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