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SPA11N65C3 Infineon


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Produktcode: 60017
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,38 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/5.5
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPA11N65C3 Infineon technologies Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049
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STP14NK60ZFP
Produktcode: 901
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description STP14NK60ZFP.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 4 St.
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0,68 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-0R68-Hitano)
Produktcode: 13883
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MOR_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 0,68 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
auf Bestellung: 1673 St.
  • 1673 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
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TK12A65D
Produktcode: 184921
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tk12a65d.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220SIS
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,46 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/40
Montage: THT
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
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3,3nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=14mm (JD332MY5UY1-A2-Hitano)
Produktcode: 3176
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JD332MY5UY1-A2.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 3,3 nF
Nennspannung: 400 VAC
Dielektrikum-Code (TCC): Y5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: Dmax=14 mm
Part Number: JD332MY5UY1
Klasse: Y1
erwartet: 1000 St.
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auf Bestellung: 1057 St.
  • 1057 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.35 EUR
10+0.3 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z
Produktcode: 2561
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description STP4NK60Z.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 10 St.
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  • 99 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.68 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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