| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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2SK1058 Produktcode: 38377
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Renesas |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-3P Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V Drain-Strom Idd, A: 7 A Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/ Montage: THT |
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2SK1058 + 2SJ162 Paar Produktcode: 38449
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Renesas |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-3P Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V Drain-Strom Idd, A: 7 A Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/ Montage: THT |
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FS7KM-12A Produktcode: 25773
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Renesas |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220F Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/ - Bemerkung: Isoliertes Gehäuse Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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2SD756HIT (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 22582
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Renesas |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-92 Transitfrequenz fT: 350 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 120 V Kollektorstrom Ic, A: 0,05 A Stromverstärkung h21: 800 |
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UPC8211TK-E2-A Produktcode: 14749
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Renesas |
Modulare Elemente > IC RadiomoduleFunktionsbeschreibung: Rauscharmer Verstärker für GPS und Mobil- Telekommunikation Abmessungen: 6-pin Versorgung, V: 2,7...3,3 V T, °C: -25...+85°C |
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M66592FP (Renesas, LQFP-64) USB2.0-Peripheriecontroller Produktcode: 25290
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Renesas |
IC > IC Interface |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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2SJ162 Produktcode: 27299
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Renesas |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-3 Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V Drain-Strom Id, A: 7 A Montage: THT |
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RJH60D7DPK-00#T0 Produktcode: 59037
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Renesas |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,6 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 90 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UPD78F9210GR-JJG Produktcode: 62149
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Renesas |
IC > IC Mikrokontroller Gehäusetyp: SSOP-16 Kurzbeschreibung: 8BIT 1KB FLASH Versorgungsspannung, V: 2,0...5,5 V Kerntyp: 78K0S Bitbreite: 8-Bit Frequenz: 10 MHz Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C |
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QB-78K0RFG3-TB Produktcode: 99206
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Renesas |
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-ToolsBeschreibung: Board 78K0R FG3 UPD78F1845 TEST Typ des Entwicklungswerkzeugs: Entwicklungsboard |
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R5F211B2SP Produktcode: 99207
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Renesas |
IC > IC Speicher Gehäuse: LSSOP-20 Funktionsbeschreibung: 16--Bit MCU, 8K Flash, 512K RAM, 20MHz Versorgung, V: 2,7...4,5 V T°C: -20...+85°C |
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M51326P Produktcode: 31838
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Renesas |
IC > IC AnalogGehäuse: DIP-16 Funktionsbeschreibung: Analogschalter Versorgungsspannung, V: 5…14 V Temperaturbereich, °C: -20...+75°C |
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RJH60F7 Produktcode: 96003
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Renesas |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В Sättigungsspannung Vce, V: 1,35 В Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 90 А Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 328 Вт Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 63/142 |
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2SK2800 Produktcode: 84962
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Renesas |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 40 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 15 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/ Montage: THT |
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PS2701-1-F3-A Produktcode: 104442
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RENESAS |
IC > Optokoppler (Optrone) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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M30262F8GP#U7 Produktcode: 58238
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Renesas |
IC > IC SpeicherGehäuse: LQFP-48 Funktionsbeschreibung: Mikrocontroller Flash 64 Kbit + 4 Kbit ROM + 2 Kbit RAM Versorgung, V: 3...5,5 V T°C: -40...+85°C |
auf Bestellung: 1 St.
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Promotion Board For RL78/G13 (YRPBRL78G13) Produktcode: 105273
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Renesas |
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-ToolsTyp des Entwicklungswerkzeugs: Entwicklungsboard |
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YRPBRL78L12 Demo Kit for RL78/L12 Produktcode: 105272
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Renesas |
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-ToolsBeschreibung: Das Renesas Promotion Board ist vorprogrammiert, um mit der auf der beiliegenden DVD bereitgestellten GUI die wichtigsten Energiespar-Funktionen der RL78/L12-Gerätefamilie sowie die Direct-Drive-LCD-Funktion zu demonstrieren. Das RPBRL78L12 enthält ein RL78/L12-CPU-Board mit integriertem Segment-LCD, On Chip Debugger (OCD), Eclipse-basiertes e2studio (IDE), kostenlosen GNU-Compiler und Beispielcode sowie umfangreiche Dokumentation. Diese Gerätefamilie wird zudem von unserem Entwicklungspartner IAR Systems vollständig unterstützt. |
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2SK1588-T1 Produktcode: 98788
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Renesas |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SC-62 Drain-Source-Spannung Uds, V: 16 V Drain-Strom Idd, A: 3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 240/ Montage: SMD |
verfügbar: 15 St.
auf Bestellung: 17 St.
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FS70KM-06 Produktcode: 107299
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RENESAS |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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HFA3101B (SO-8) Produktcode: 15822
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Renesas |
SO-8 Array NPN transistor. VCEO: 8V. VCBO: 12V. VEBO:5,5V. IC:30mA |
auf Bestellung: 5 St.
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ISL99227FRZ-T Produktcode: 152050
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Renesas |
IC > IC Analog Gehäuse: PQFN-32 Funktionsbeschreibung: Intelligentes Leistungsstufen-Modul (SPS) mit hochpräziser Messung Versorgungsspannung, V: 4,5...18 V Temperaturbereich, °C: -40...+125°C |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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R1LP0108ESN-5SI#B0 – Renesas Produktcode: 123870
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Renesas |
IC > IC Speicher Gehäuse: SOIC-32 Funktionsbeschreibung: SRAM 1MBIT, 55 ns Versorgung, V: 4,5...5,5 В T°C: -40...+85°C Speichertyp: SRAM Speicherkapazität: 1 Mbit Schnittstelle: Parallel |
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BCR12PM-12LA#B00 Produktcode: 109503
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RENESAS |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors |
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R5F51101ADFL#30 Produktcode: 173112
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Renesas |
IC > IC MikrokontrollerGehäusetyp: LFQFP-48 Kurzbeschreibung: RX RX100 Mikrocontroller IC 32-Bit 32MHz 32KB (32K x 8) FLASH Versorgungsspannung, V: 1,8...3,6 V Kerntyp: RX Bitbreite: 32-Bit Frequenz: 32 MHz |
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PS2701A-1-A Produktcode: 178777
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Renesas |
IC > Optokoppler (Optrone)Gehäuse: SOP-4 Typ: Transistor Isolationsspannung Uisol, kV: 3,7 kV Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/60 mA Ausgangsspannung Uausg, V: 70 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 8/10 Betriebstemperatur, °C: -55…+100°C Kanalanzahl: 1 |
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PG-FP5-EE (Y-PG-FP5-EE) Produktcode: 107925
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Renesas |
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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RJH60F5DPK Produktcode: 106159
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RENESAS |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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M61541FP Produktcode: 110292
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RENESAS |
IC > IC Niederfrequenzverstärker |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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HD74LS00P Produktcode: 72617
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Renesas |
IC > IC LogikGehäuse: DIP-14 Beschreibung: Vierfach-2-Eingang NAND-Gatter Montage: THT (Durchsteckmontage) Versorgung, V: 4,75...5,25 В Temperatur, °C: -20...+75°С Logikgatter-Typ: NAND-Gatter 8542 39 90 00 |
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HD6417034BVX20V | Renesas |
Description: MICROCONTROLLER, 32-BIT, SH7000Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA952-T-A | Renesas |
Description: TRANS PNP 25V 0.7A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 600 mW |
auf Bestellung 510000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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X9317TM8IZ-2.7 | Renesas |
Description: X9317 - DIGITAL POTENTIOMETER |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 73 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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X9317TS8Z-2.7 | Renesas |
Description: X9317 - DIGITAL POTENTIOMETER |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 108 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UPC8233TK-E2-A | Renesas |
Description: IC SIGE:C LNA 6 MINIMOLD |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UPD70F3210YGC-8BT-A | Renesas |
Description: MICROCONTROLLER, 32-BIT, V850, 2Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R5F2LA64ANFP#V1 | Renesas |
Description: IC MCU 16BIT 16KB FLASH 64LFQFPPackaging: Bulk Package / Case: 64-LQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 20MHz Program Memory Size: 16KB (16K x 8) RAM Size: 2K x 8 Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 2K x 8 Core Processor: R8C Data Converters: A/D 8x10b Core Size: 16-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V Connectivity: I2C, LINbus, SIO, SSU, UART/USART Peripherals: LCD, POR, PWM, Voltage Detect, WDT Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10) Part Status: Active Number of I/O: 56 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R1Q3A7236ABB-33IB0 | Renesas |
Description: STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS, CMPackaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ICL7663SABAZA | Renesas |
Description: ADJUSTABLE POSITIVE STANDARD REGPackaging: Bulk |
auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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M5M5256DFP-70LL#SM | Renesas |
Description: STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS, CMOSDigiKey Programmable: Not Verified Packaging: Bulk |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R1LV3216RSA-5SI#BU | Renesas |
Description: R1LV3216R - LOW POWER SRAM, 2MX1Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Single Port, Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 16, 4M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R5F2LA32ADFP#V0 | Renesas |
Description: IC MCU 16BIT 8KB FLASH 32LQFPPackaging: Bulk Package / Case: 32-LQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 20MHz Program Memory Size: 8KB (8K x 8) RAM Size: 2K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: R8C Data Converters: A/D 5x10b Core Size: 16-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V Connectivity: I2C, LINbus, SIO, SSU, UART/USART Peripherals: LCD, POR, PWM, Voltage Detect, WDT Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7) Part Status: Active Number of I/O: 26 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HD1-6408-9 | Renesas |
Description: ENCODERS, DECODERS, MULTIPLEXERSPart Status: Obsolete Supplier Device Package: 24-CERDIP Applications: Security Systems Voltage - Supply, Digital: 4.5V ~ 5.5V Voltage - Supply, Analog: 4.5V ~ 5.5V Type: Manchester Encoder/Decoder Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Packaging: Bulk |
auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HN58C257AT85E | Renesas |
Description: HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPRDigiKey Programmable: Not Verified Packaging: Bulk |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HVD355BKRF-E | Renesas |
Description: DIODE VARACTOR 15V SINGLE 2-SFPOperating Temperature: 125°C (TJ) Diode Type: Single Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-723 Packaging: Bulk Capacitance Ratio: 2.2 Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V Supplier Device Package: 2-SFP Capacitance Ratio Condition: C1/C4 Capacitance @ Vr, F: 2.95pF @ 4V, 1MHz |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SK3575-AZ | Renesas |
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SK2461-AZ | Renesas |
Description: 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSFPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NNCD6.2MF-T1B-AT | Renesas |
Description: NNCD6.2MF-T1B-AT - LOW CAPACITAN Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 2W Voltage - Breakdown (Min): 5.7V Unidirectional Channels: 2 Supplier Device Package: SC-70 Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V (Max) Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz Applications: General Purpose Operating Temperature: 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 20704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NP60N04ILF-E1-AZ | Renesas |
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CHPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SK4150TZ-E | Renesas |
Description: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSFPackaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V |
auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SK4178-ZK-E1-AY | Renesas |
Description: 2SK4178 - SWITCHING N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| UPA2004GR-E2-A | Renesas | Description: UPA2004 - DARLINGTON TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| 2SK2933-E | Renesas |
Description: 2SK2933 - N-CHANNEL POWER MOSFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220CFM Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NP88N04NUG-S18-AY | Renesas |
Description: NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EFPower Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1836-T1-A | Renesas |
Description: 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITAPackage / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Bulk Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount |
auf Bestellung 41976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SJ494-AZ | Renesas |
Description: 2SJ494 - SWITCHING P-CHANNEL POWInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MP-45F Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RJH60D1DPP-E0#T2 | Renesas |
Description: IGBT TRENCH 600V 20A TO-220FPPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 30ns/42ns Switching Energy: 100µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 300V, 10A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 13 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 30 W |
auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RJP60D0DPK-01#T0 | Renesas |
Description: IGBT 600V 45A TO-3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns Test Condition: 300V, 22A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 45 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 140 W |
auf Bestellung 1052 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ532-E | Renesas |
Description: 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TO-220CFM Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V |
auf Bestellung 1971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ529L06-E | Renesas |
Description: 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSFOperating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: DPAK(L)-(2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 60034 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SK1058 Produktcode: 38377
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.38 EUR |
| 2SK1058 + 2SJ162 Paar Produktcode: 38449
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.71 EUR |
| 10+ | 9.33 EUR |
| FS7KM-12A Produktcode: 25773
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/ -
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/ -
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SD756HIT (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 22582
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Hersteller: Renesas
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 350 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 120 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,05 A
Stromverstärkung h21: 800
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 350 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 120 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,05 A
Stromverstärkung h21: 800
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| UPC8211TK-E2-A Produktcode: 14749
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Renesas
Modulare Elemente > IC Radiomodule
Funktionsbeschreibung: Rauscharmer Verstärker für GPS und Mobil- Telekommunikation
Abmessungen: 6-pin
Versorgung, V: 2,7...3,3 V
T, °C: -25...+85°C
Modulare Elemente > IC Radiomodule
Funktionsbeschreibung: Rauscharmer Verstärker für GPS und Mobil- Telekommunikation
Abmessungen: 6-pin
Versorgung, V: 2,7...3,3 V
T, °C: -25...+85°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| M66592FP (Renesas, LQFP-64) USB2.0-Peripheriecontroller Produktcode: 25290
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SJ162 Produktcode: 27299
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V
Drain-Strom Id, A: 7 A
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 160 V
Drain-Strom Id, A: 7 A
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.43 EUR |
| RJH60D7DPK-00#T0 Produktcode: 59037
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 90 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 90 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UPD78F9210GR-JJG Produktcode: 62149
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|
Hersteller: Renesas
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: SSOP-16
Kurzbeschreibung: 8BIT 1KB FLASH
Versorgungsspannung, V: 2,0...5,5 V
Kerntyp: 78K0S
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 10 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: SSOP-16
Kurzbeschreibung: 8BIT 1KB FLASH
Versorgungsspannung, V: 2,0...5,5 V
Kerntyp: 78K0S
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 10 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.11 EUR |
| QB-78K0RFG3-TB Produktcode: 99206
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Board 78K0R FG3 UPD78F1845 TEST
Typ des Entwicklungswerkzeugs: Entwicklungsboard
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Board 78K0R FG3 UPD78F1845 TEST
Typ des Entwicklungswerkzeugs: Entwicklungsboard
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.99 EUR |
| R5F211B2SP Produktcode: 99207
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Renesas
IC > IC Speicher
Gehäuse: LSSOP-20
Funktionsbeschreibung: 16--Bit MCU, 8K Flash, 512K RAM, 20MHz
Versorgung, V: 2,7...4,5 V
T°C: -20...+85°C
IC > IC Speicher
Gehäuse: LSSOP-20
Funktionsbeschreibung: 16--Bit MCU, 8K Flash, 512K RAM, 20MHz
Versorgung, V: 2,7...4,5 V
T°C: -20...+85°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.38 EUR |
| M51326P Produktcode: 31838
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
IC > IC Analog
Gehäuse: DIP-16
Funktionsbeschreibung: Analogschalter
Versorgungsspannung, V: 5…14 V
Temperaturbereich, °C: -20...+75°C
IC > IC Analog
Gehäuse: DIP-16
Funktionsbeschreibung: Analogschalter
Versorgungsspannung, V: 5…14 V
Temperaturbereich, °C: -20...+75°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.61 EUR |
| RJH60F7 Produktcode: 96003
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,35 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 90 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 328 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 63/142
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,35 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 90 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 328 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 63/142
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8 EUR |
| 2SK2800 Produktcode: 84962
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1 EUR |
| 10+ | 0.83 EUR |
| PS2701-1-F3-A Produktcode: 104442
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Lieblingsprodukt
|
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M30262F8GP#U7 Produktcode: 58238
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
IC > IC Speicher
Gehäuse: LQFP-48
Funktionsbeschreibung: Mikrocontroller Flash 64 Kbit + 4 Kbit ROM + 2 Kbit RAM
Versorgung, V: 3...5,5 V
T°C: -40...+85°C
IC > IC Speicher
Gehäuse: LQFP-48
Funktionsbeschreibung: Mikrocontroller Flash 64 Kbit + 4 Kbit ROM + 2 Kbit RAM
Versorgung, V: 3...5,5 V
T°C: -40...+85°C
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.99 EUR |
| Promotion Board For RL78/G13 (YRPBRL78G13) Produktcode: 105273
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Typ des Entwicklungswerkzeugs: Entwicklungsboard
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Typ des Entwicklungswerkzeugs: Entwicklungsboard
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.85 EUR |
| YRPBRL78L12 Demo Kit for RL78/L12 Produktcode: 105272
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Das Renesas Promotion Board ist vorprogrammiert, um mit der auf der beiliegenden DVD bereitgestellten GUI die wichtigsten Energiespar-Funktionen der RL78/L12-Gerätefamilie sowie die Direct-Drive-LCD-Funktion zu demonstrieren. Das RPBRL78L12 enthält ein RL78/L12-CPU-Board mit integriertem Segment-LCD, On Chip Debugger (OCD), Eclipse-basiertes e2studio (IDE), kostenlosen GNU-Compiler und Beispielcode sowie umfangreiche Dokumentation. Diese Gerätefamilie wird zudem von unserem Entwicklungspartner IAR Systems vollständig unterstützt.
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Das Renesas Promotion Board ist vorprogrammiert, um mit der auf der beiliegenden DVD bereitgestellten GUI die wichtigsten Energiespar-Funktionen der RL78/L12-Gerätefamilie sowie die Direct-Drive-LCD-Funktion zu demonstrieren. Das RPBRL78L12 enthält ein RL78/L12-CPU-Board mit integriertem Segment-LCD, On Chip Debugger (OCD), Eclipse-basiertes e2studio (IDE), kostenlosen GNU-Compiler und Beispielcode sowie umfangreiche Dokumentation. Diese Gerätefamilie wird zudem von unserem Entwicklungspartner IAR Systems vollständig unterstützt.
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.75 EUR |
| 2SK1588-T1 Produktcode: 98788
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-62
Drain-Source-Spannung Uds, V: 16 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 240/
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-62
Drain-Source-Spannung Uds, V: 16 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 240/
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
- 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 17 St.
- 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| FS70KM-06 Produktcode: 107299
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HFA3101B (SO-8) Produktcode: 15822
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
auf Bestellung: 5 St.
- 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.4 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| ISL99227FRZ-T Produktcode: 152050
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Renesas
IC > IC Analog
Gehäuse: PQFN-32
Funktionsbeschreibung: Intelligentes Leistungsstufen-Modul (SPS) mit hochpräziser Messung
Versorgungsspannung, V: 4,5...18 V
Temperaturbereich, °C: -40...+125°C
IC > IC Analog
Gehäuse: PQFN-32
Funktionsbeschreibung: Intelligentes Leistungsstufen-Modul (SPS) mit hochpräziser Messung
Versorgungsspannung, V: 4,5...18 V
Temperaturbereich, °C: -40...+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| R1LP0108ESN-5SI#B0 – Renesas Produktcode: 123870
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Renesas
IC > IC Speicher
Gehäuse: SOIC-32
Funktionsbeschreibung: SRAM 1MBIT, 55 ns
Versorgung, V: 4,5...5,5 В
T°C: -40...+85°C
Speichertyp: SRAM
Speicherkapazität: 1 Mbit
Schnittstelle: Parallel
IC > IC Speicher
Gehäuse: SOIC-32
Funktionsbeschreibung: SRAM 1MBIT, 55 ns
Versorgung, V: 4,5...5,5 В
T°C: -40...+85°C
Speichertyp: SRAM
Speicherkapazität: 1 Mbit
Schnittstelle: Parallel
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.69 EUR |
| BCR12PM-12LA#B00 Produktcode: 109503
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Lieblingsprodukt
|
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| R5F51101ADFL#30 Produktcode: 173112
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: LFQFP-48
Kurzbeschreibung: RX RX100 Mikrocontroller IC 32-Bit 32MHz 32KB (32K x 8) FLASH
Versorgungsspannung, V: 1,8...3,6 V
Kerntyp: RX
Bitbreite: 32-Bit
Frequenz: 32 MHz
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: LFQFP-48
Kurzbeschreibung: RX RX100 Mikrocontroller IC 32-Bit 32MHz 32KB (32K x 8) FLASH
Versorgungsspannung, V: 1,8...3,6 V
Kerntyp: RX
Bitbreite: 32-Bit
Frequenz: 32 MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PS2701A-1-A Produktcode: 178777
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Renesas
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SOP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 3,7 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/60 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 8/10
Betriebstemperatur, °C: -55…+100°C
Kanalanzahl: 1
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SOP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 3,7 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/60 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 8/10
Betriebstemperatur, °C: -55…+100°C
Kanalanzahl: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PG-FP5-EE (Y-PG-FP5-EE) Produktcode: 107925
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RJH60F5DPK Produktcode: 106159
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M61541FP Produktcode: 110292
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HD74LS00P Produktcode: 72617
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Renesas
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Vierfach-2-Eingang NAND-Gatter
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 4,75...5,25 В
Temperatur, °C: -20...+75°С
Logikgatter-Typ: NAND-Gatter
8542 39 90 00
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Vierfach-2-Eingang NAND-Gatter
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 4,75...5,25 В
Temperatur, °C: -20...+75°С
Logikgatter-Typ: NAND-Gatter
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| HD6417034BVX20V |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: MICROCONTROLLER, 32-BIT, SH7000
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MICROCONTROLLER, 32-BIT, SH7000
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 100.48 EUR |
| 2SA952-T-A |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: TRANS PNP 25V 0.7A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
Description: TRANS PNP 25V 0.7A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 791+ | 0.69 EUR |
| X9317TM8IZ-2.7 |
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Hersteller: Renesas
Description: X9317 - DIGITAL POTENTIOMETER
Description: X9317 - DIGITAL POTENTIOMETER
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| X9317TS8Z-2.7 |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: X9317 - DIGITAL POTENTIOMETER
Description: X9317 - DIGITAL POTENTIOMETER
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| UPC8233TK-E2-A |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: IC SIGE:C LNA 6 MINIMOLD
Description: IC SIGE:C LNA 6 MINIMOLD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| UPD70F3210YGC-8BT-A |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: MICROCONTROLLER, 32-BIT, V850, 2
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MICROCONTROLLER, 32-BIT, V850, 2
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 53.76 EUR |
| R5F2LA64ANFP#V1 |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: IC MCU 16BIT 16KB FLASH 64LFQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: R8C
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, SSU, UART/USART
Peripherals: LCD, POR, PWM, Voltage Detect, WDT
Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 56
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 16BIT 16KB FLASH 64LFQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: R8C
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, SSU, UART/USART
Peripherals: LCD, POR, PWM, Voltage Detect, WDT
Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 56
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 16.54 EUR |
| R1Q3A7236ABB-33IB0 |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS, CM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS, CM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 55.04 EUR |
| ICL7663SABAZA |
![]() |
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 133+ | 4.51 EUR |
| M5M5256DFP-70LL#SM |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS, CMOS
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
Description: STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS, CMOS
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 7.82 EUR |
| R1LV3216RSA-5SI#BU |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: R1LV3216R - LOW POWER SRAM, 2MX1
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Single Port, Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 16, 4M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: R1LV3216R - LOW POWER SRAM, 2MX1
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Single Port, Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 16, 4M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 155.51 EUR |
| R5F2LA32ADFP#V0 |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: IC MCU 16BIT 8KB FLASH 32LQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 8KB (8K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: R8C
Data Converters: A/D 5x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, SSU, UART/USART
Peripherals: LCD, POR, PWM, Voltage Detect, WDT
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 16BIT 8KB FLASH 32LQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 8KB (8K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: R8C
Data Converters: A/D 5x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, SSU, UART/USART
Peripherals: LCD, POR, PWM, Voltage Detect, WDT
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 16.71 EUR |
| HD1-6408-9 |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: ENCODERS, DECODERS, MULTIPLEXERS
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 24-CERDIP
Applications: Security Systems
Voltage - Supply, Digital: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply, Analog: 4.5V ~ 5.5V
Type: Manchester Encoder/Decoder
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
Packaging: Bulk
Description: ENCODERS, DECODERS, MULTIPLEXERS
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 24-CERDIP
Applications: Security Systems
Voltage - Supply, Digital: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply, Analog: 4.5V ~ 5.5V
Type: Manchester Encoder/Decoder
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 436.63 EUR |
| HN58C257AT85E |
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Hersteller: Renesas
Description: HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
Description: HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 30.42 EUR |
| HVD355BKRF-E |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: DIODE VARACTOR 15V SINGLE 2-SFP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-723
Packaging: Bulk
Capacitance Ratio: 2.2
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Supplier Device Package: 2-SFP
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 2.95pF @ 4V, 1MHz
Description: DIODE VARACTOR 15V SINGLE 2-SFP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-723
Packaging: Bulk
Capacitance Ratio: 2.2
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Supplier Device Package: 2-SFP
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 2.95pF @ 4V, 1MHz
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1846+ | 0.29 EUR |
| 2SK3575-AZ |
Hersteller: Renesas
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 4.88 EUR |
| 2SK2461-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Description: 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 88+ | 6.1 EUR |
| NNCD6.2MF-T1B-AT |
Hersteller: Renesas
Description: NNCD6.2MF-T1B-AT - LOW CAPACITAN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2W
Voltage - Breakdown (Min): 5.7V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V (Max)
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Description: NNCD6.2MF-T1B-AT - LOW CAPACITAN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2W
Voltage - Breakdown (Min): 5.7V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V (Max)
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
auf Bestellung 20704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1972+ | 0.29 EUR |
| NP60N04ILF-E1-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 136+ | 4.03 EUR |
| 2SK4150TZ-E |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
Description: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 324+ | 1.7 EUR |
| 2SK4178-ZK-E1-AY |
Hersteller: Renesas
Description: 2SK4178 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Description: 2SK4178 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 287+ | 1.93 EUR |
| UPA2004GR-E2-A |
Hersteller: Renesas
Description: UPA2004 - DARLINGTON TRANSISTOR
Description: UPA2004 - DARLINGTON TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| 2SK2933-E |
Hersteller: Renesas
Description: 2SK2933 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Description: 2SK2933 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 195+ | 2.83 EUR |
| NP88N04NUG-S18-AY |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Description: NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 5.24 EUR |
| 2SA1836-T1-A |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITA
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-75
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Description: 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITA
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-75
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 41976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3286+ | 0.17 EUR |
| 2SJ494-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: 2SJ494 - SWITCHING P-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-45F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Packaging: Bulk
Description: 2SJ494 - SWITCHING P-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-45F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Packaging: Bulk
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Stück im Wert von UAH
| RJH60D1DPP-E0#T2 |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: IGBT TRENCH 600V 20A TO-220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/42ns
Switching Energy: 100µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 13 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 30 W
Description: IGBT TRENCH 600V 20A TO-220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/42ns
Switching Energy: 100µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 13 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 174+ | 3.12 EUR |
| RJP60D0DPK-01#T0 |
Hersteller: Renesas
Description: IGBT 600V 45A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Test Condition: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 140 W
Description: IGBT 600V 45A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Test Condition: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 4.56 EUR |
| 2SJ532-E |
Hersteller: Renesas
Description: 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Description: 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 140+ | 4.05 EUR |
| 2SJ529L06-E |
![]() |
Hersteller: Renesas
Description: 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: DPAK(L)-(2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: DPAK(L)-(2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 60034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 2.69 EUR |






























