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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
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FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 86 Stück
7 Stück - stock Köln
79 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.59 EUR
50+2.32 EUR
100+2.24 EUR
250+2.11 EUR
1000+1.78 EUR
5000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
43+1.69 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
43+1.69 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 3131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.29 EUR
100+1.45 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.85 EUR
12+6.12 EUR
30+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.85 EUR
12+6.12 EUR
30+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.91 EUR
10+5.46 EUR
510+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild FCH104N60F_F085-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+5.86 EUR
120+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+5.56 EUR
100+5.19 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.23 EUR
10+4.44 EUR
100+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.17 EUR
10+7.35 EUR
11+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+11.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.17 EUR
10+7.35 EUR
11+6.91 EUR
30+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild FQA24N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.4 EUR
10+7.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60T Infineon Technologies Infineon-IGU04N60T-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
4500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
65+1.1 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 7401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+0.97 EUR
100+0.66 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_06-EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.16 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60T IKP04N60T Infineon Technologies Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.23 EUR
100+1.06 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
14+5.11 EUR
37+1.93 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+5.17 EUR
500+5.07 EUR
1000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.68 EUR
10+6.14 EUR
120+5.91 EUR
510+5.61 EUR
1020+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N60X IXYS IXFH24N60X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
30+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.53 EUR
10+24.92 EUR
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IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 403 Stücke:
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1+25.34 EUR
10+18.53 EUR
100+17.44 EUR
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IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N60P-Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.83 EUR
10+40.52 EUR
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IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+6.92 EUR
100+4.58 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.15 EUR
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IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.27 EUR
10+25.75 EUR
510+25.24 EUR
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IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.57 EUR
10+17.56 EUR
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IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.34 EUR
10+4.77 EUR
500+4.66 EUR
1000+4.33 EUR
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IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.15 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
16+4.46 EUR
100+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
510+5.19 EUR
1020+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.89 EUR
10+10.33 EUR
120+8.59 EUR
510+7.66 EUR
1020+6.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.97 EUR
10+8.11 EUR
120+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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SPW24N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B
Produktcode: 27298
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ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 86 Stück
7 Stück - stock Köln
79 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Hersteller: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.01 EUR
10+2.59 EUR
50+2.32 EUR
100+2.24 EUR
250+2.11 EUR
1000+1.78 EUR
5000+1.69 EUR
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AOD4N60 TO252.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
43+1.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2497 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCD4N60TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH104N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET
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FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085-D.PDF
FCH104N60F-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
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10+5.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
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500+4.86 EUR
1000+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
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100+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 24 Stücke:
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Anzahl Preis
8+9.17 EUR
10+7.35 EUR
11+6.91 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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4+11.22 EUR
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FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
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Anzahl Preis
8+9.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60-D.pdf
FQA24N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
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Anzahl Preis
1+10.4 EUR
10+7.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60T Infineon-IGU04N60T-DS-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 2306 Stücke:
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2+1.88 EUR
10+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
4500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
65+1.1 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 7401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.5 EUR
10+0.97 EUR
100+0.66 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_06-EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.16 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.06 EUR
10+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60T Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf
IKP04N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.23 EUR
100+1.06 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
14+5.11 EUR
37+1.93 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.4 EUR
10+5.17 EUR
500+5.07 EUR
1000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.68 EUR
10+6.14 EUR
120+5.91 EUR
510+5.61 EUR
1020+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N60X
Hersteller: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
30+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.53 EUR
10+24.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.34 EUR
10+18.53 EUR
100+17.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60P description Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N60P-Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+51.83 EUR
10+40.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56
IXFP14N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.85 EUR
10+6.92 EUR
100+4.58 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF
IXFX64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.27 EUR
10+25.75 EUR
510+25.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF
IXFX64N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.57 EUR
10+17.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF
IXTP14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.34 EUR
10+4.77 EUR
500+4.66 EUR
1000+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
16+4.46 EUR
100+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF
IXTQ14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.3 EUR
510+5.19 EUR
1020+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
IXTY14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.89 EUR
10+10.33 EUR
120+8.59 EUR
510+7.66 EUR
1020+6.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.97 EUR
10+8.11 EUR
120+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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