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STP60NF06 STP60NF06
Produktcode: 2993 		ST STP60NF06.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 655 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+ 0.67 EUR
STP60NF06L STP60NF06L
Produktcode: 105102 		ST stp60nf06l.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 76 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
60NF06 IR 09+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics stb60nf06lt4-1850112.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 6845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+ 2.75 EUR
100+ 2.2 EUR
250+ 2.18 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.6 EUR
2000+ 1.52 EUR
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.27 EUR
10+ 2.72 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics STB60NF06T4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
48+ 1.5 EUR
50+ 1.43 EUR
250+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 36
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.27 EUR
10+ 2.71 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics stb60nf06-1850111.pdf description MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+ 2.32 EUR
100+ 1.97 EUR
250+ 1.95 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4-1850594.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+ 2.64 EUR
100+ 2.11 EUR
250+ 1.97 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.48 EUR
2500+ 1.46 EUR
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.26 EUR
10+ 2.7 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
65+ 1.12 EUR
99+ 0.73 EUR
105+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53
STP60NF06 ST en.CD00002318.pdf description N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
65+ 1.12 EUR
99+ 0.73 EUR
105+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics stp60nf06-1851601.pdf description MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+ 1.38 EUR
100+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
50+ 2.22 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
50+ 1.55 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics stp60nf06fp-1851422.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+ 1.46 EUR
100+ 1.27 EUR
250+ 1.23 EUR
500+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics cd0015489.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
85+ 0.85 EUR
99+ 0.72 EUR
105+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
85+ 0.85 EUR
99+ 0.72 EUR
105+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.03 EUR
50+ 2.43 EUR
100+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics stp60nf06l-1851393.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 5522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.42 EUR
10000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
P60NF06 ST 09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P60NF06FP
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P60NF06L ST TO220 03+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06 ST 07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06 ST TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06L ST TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06L ST 07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06LT4G
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06 ST TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06 STM SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06-T4
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06-TR
auf Bestellung 68500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06LT4
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06T
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP60NF06 en.CD00002318.pdf description
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
STP60NF06(MOR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP60NF06-E-P ST 08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP60NF06LFP
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STPS60NF06
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTE2996 NTE2996 NTE Electronics nte2996.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4
Produktcode: 62112 		ST af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
STD60NF06T4
Produktcode: 165661 		std60nf06t4.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
360MA060NF0603 Glenair Circular MIL Spec Backshells COMMERCIAL
Produkt ist nicht verfügbar
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics STB60NF06T4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB60NF06T4 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STP60NF06
Produktcode: 2993		 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 655 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.7 EUR
10+ 0.67 EUR
STP60NF06L
Produktcode: 105102		 stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 76 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
60NF06
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 20000 Stücke:
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STB60NF06LT4 stb60nf06lt4-1850112.pdf
STB60NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
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1+3.29 EUR
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1000+ 1.6 EUR
2000+ 1.52 EUR
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 632 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.27 EUR
10+ 2.72 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB60NF06T4 description STB60NF06T4.pdf
STB60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
48+ 1.5 EUR
50+ 1.43 EUR
250+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 36
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
STB60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 1343 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.27 EUR
10+ 2.71 EUR
100+ 2.16 EUR
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STB60NF06T4 description stb60nf06-1850111.pdf
STB60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 4694 Stücke:
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2+2.69 EUR
10+ 2.32 EUR
100+ 1.97 EUR
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500+ 1.62 EUR
1000+ 1.44 EUR
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STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
STB60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+1.55 EUR
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STD60NF06T4 std60nf06t4-1850594.pdf
STD60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.27 EUR
10+ 2.64 EUR
100+ 2.11 EUR
250+ 1.97 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.48 EUR
2500+ 1.46 EUR
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.26 EUR
10+ 2.7 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+1.37 EUR
65+ 1.12 EUR
99+ 0.73 EUR
105+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+1.37 EUR
65+ 1.12 EUR
99+ 0.73 EUR
105+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53
STP60NF06 description stp60nf06-1851601.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.62 EUR
10+ 1.38 EUR
100+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.76 EUR
50+ 2.22 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP60NF06 description cd0000231.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.94 EUR
50+ 1.55 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP60NF06FP stp60nf06fp-1851422.pdf
STP60NF06FP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.95 EUR
10+ 1.46 EUR
100+ 1.27 EUR
250+ 1.23 EUR
500+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP60NF06FP cd0015489.pdf
STP60NF06FP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP60NF06L STB60NF06LT4.pdf
STP60NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
85+ 0.85 EUR
99+ 0.72 EUR
105+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STP60NF06L STB60NF06LT4.pdf
STP60NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
85+ 0.85 EUR
99+ 0.72 EUR
105+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
STP60NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.03 EUR
50+ 2.43 EUR
100+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP60NF06L stp60nf06l-1851393.pdf
STP60NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 5522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.71 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.42 EUR
10000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP60NF06L cd0000290.pdf
STP60NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
P60NF06
Hersteller: ST
09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P60NF06FP
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P60NF06L
Hersteller: ST
TO220 03+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06
Hersteller: ST
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06
Hersteller: ST
TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06L
Hersteller: ST
TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06L
Hersteller: ST
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB60NF06LT4G
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06
Hersteller: ST
TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06
Hersteller: STM
SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06-T4
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06-TR
auf Bestellung 68500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06LT4
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STD60NF06T
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
STP60NF06(MOR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP60NF06-E-P
Hersteller: ST
08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP60NF06LFP
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STPS60NF06
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Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
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NTE2996 nte2996.pdf
NTE2996
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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STB60NF06LT4
Produktcode: 62112		 af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf
STB60NF06LT4
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: SMD
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STD60NF06T4
Produktcode: 165661		 std60nf06t4.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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360MA060NF0603
Hersteller: Glenair
Circular MIL Spec Backshells COMMERCIAL
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STB60NF06LT4 STB60NF06LT4.pdf
STB60NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STB60NF06LT4 STB60NF06LT4.pdf
STB60NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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STB60NF06LT4 cd0000290.pdf
STB60NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB60NF06T4 description STB60NF06T4.pdf
STB60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB60NF06T4 description cd0000231.pdf
STB60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB60NF06T4 description cd0000231.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STD60NF06T4 STD60NF06.pdf
STD60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STD60NF06T4 STD60NF06.pdf
STD60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
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STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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