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IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961 		IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 146 Stück
1+0.36 EUR
10+ 0.35 EUR
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.83 EUR
45+ 1.62 EUR
108+ 0.67 EUR
114+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 40
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630-1849162.pdf description MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+ 1.92 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.08 EUR
2000+ 1.02 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 13379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
50+ 2 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.09 EUR
2000+ 1.03 EUR
5000+ 0.98 EUR
10000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
353+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 353
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.56 EUR
122+ 1.24 EUR
142+ 1.03 EUR
500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+ 4.09 EUR
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.31 EUR
141+ 1.07 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120
IRF630A_CP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
701+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 701
IRF630A_CP001 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - IRF630A_CP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
96+ 0.75 EUR
102+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
96+ 0.75 EUR
102+ 0.71 EUR
500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+ 1.33 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.79 EUR
2000+ 0.75 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 7701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
50+ 1.47 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.81 EUR
2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.61 EUR
266+ 0.57 EUR
500+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 257
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.03 EUR
173+ 0.87 EUR
192+ 0.76 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.51 EUR
5000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 153
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 131894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.46 EUR
348+ 0.43 EUR
356+ 0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 339
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.56 EUR
304+ 0.5 EUR
313+ 0.46 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.4 EUR
2000+ 0.37 EUR
4000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 279
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
348+0.45 EUR
356+ 0.42 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.37 EUR
2000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 348
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 131880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 197
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 131894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.01 EUR
179+ 0.85 EUR
200+ 0.73 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.49 EUR
5000+ 0.46 EUR
10000+ 0.45 EUR
25000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 155
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.63 EUR
257+ 0.59 EUR
265+ 0.55 EUR
500+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 248
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.9 EUR
193+ 0.78 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.54 EUR
5000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 174
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
111+ 0.65 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
111+ 0.65 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.1 EUR
168+ 0.9 EUR
169+ 0.86 EUR
200+ 0.82 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 143
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 633 Stücke:
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55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
112+ 0.64 EUR
118+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 633 Stücke:
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55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
112+ 0.64 EUR
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1000+ 0.59 EUR
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFET 200V N-CH HEXFET
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2+1.83 EUR
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2000+ 0.99 EUR
5000+ 0.96 EUR
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay Siliconix irf630.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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8+2.39 EUR
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500+ 1.29 EUR
1000+ 1.05 EUR
2000+ 0.99 EUR
5000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 1900 Stücke:
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay sihf630p.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 197 Stücke:
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185+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 185
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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114+1.38 EUR
137+ 1.1 EUR
500+ 0.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 114
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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102+1.54 EUR
110+ 1.38 EUR
130+ 1.12 EUR
200+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 102
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1071 Stücke:
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91+1.72 EUR
114+ 1.32 EUR
137+ 1.06 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 91
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
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2+2.02 EUR
10+ 1.17 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
100+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
100+ 0.72 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
50+ 2.13 EUR
100+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRF630NPBF
Produktcode: 15961		 description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 146 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.36 EUR
10+ 0.35 EUR
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.83 EUR
45+ 1.62 EUR
108+ 0.67 EUR
114+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.83 EUR
45+ 1.62 EUR
108+ 0.67 EUR
114+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF630 description irf630-1849162.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.43 EUR
10+ 1.92 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.08 EUR
2000+ 1.02 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 13379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.48 EUR
50+ 2 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.09 EUR
2000+ 1.03 EUR
5000+ 0.98 EUR
10000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
353+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 353
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
101+1.56 EUR
122+ 1.24 EUR
142+ 1.03 EUR
500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.46 EUR
10+ 4.09 EUR
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
120+1.31 EUR
141+ 1.07 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120
IRF630A_CP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
701+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 701
IRF630A_CP001 nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF630A_CP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
96+ 0.75 EUR
102+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
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IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 1064 Stücke:
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2+1.59 EUR
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2000+ 0.75 EUR
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IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 7701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.83 EUR
50+ 1.47 EUR
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2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2017 Stücke:
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257+0.61 EUR
266+ 0.57 EUR
500+ 0.52 EUR
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IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis ohne MwSt
153+1.03 EUR
173+ 0.87 EUR
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500+ 0.64 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.51 EUR
5000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 153
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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339+0.46 EUR
348+ 0.43 EUR
356+ 0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
2000+ 0.33 EUR
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IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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279+0.56 EUR
304+ 0.5 EUR
313+ 0.46 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.4 EUR
2000+ 0.37 EUR
4000+ 0.33 EUR
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IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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348+0.45 EUR
356+ 0.42 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.37 EUR
2000+ 0.35 EUR
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IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 131880 Stücke:
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197+0.8 EUR
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IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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155+1.01 EUR
179+ 0.85 EUR
200+ 0.73 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.49 EUR
5000+ 0.46 EUR
10000+ 0.45 EUR
25000+ 0.44 EUR
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IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2017 Stücke:
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248+0.63 EUR
257+ 0.59 EUR
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500+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 248
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9698 Stücke:
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174+0.9 EUR
193+ 0.78 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.54 EUR
5000+ 0.51 EUR
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IRF630NS description irf630n.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
111+ 0.65 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
111+ 0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Anzahl Preis ohne MwSt
143+1.1 EUR
168+ 0.9 EUR
169+ 0.86 EUR
200+ 0.82 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 143
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
112+ 0.64 EUR
118+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
112+ 0.64 EUR
118+ 0.61 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 9480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.83 EUR
10+ 1.47 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 1.02 EUR
2000+ 0.99 EUR
5000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.39 EUR
50+ 1.92 EUR
100+ 1.52 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.05 EUR
2000+ 0.99 EUR
5000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF630PBF description VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630PBF description sihf630p.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
185+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 185
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
114+1.38 EUR
137+ 1.1 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 114
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
102+1.54 EUR
110+ 1.38 EUR
130+ 1.12 EUR
200+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 102
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1071 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
91+1.72 EUR
114+ 1.32 EUR
137+ 1.06 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 91
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 190 Stücke:
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IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 2043 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.02 EUR
10+ 1.17 EUR
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500+ 1.1 EUR
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IRF630S sih630s.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
70+1.03 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
100+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 257 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
70+1.03 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
100+ 0.72 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 309 Stücke:
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7+2.64 EUR
50+ 2.13 EUR
100+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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