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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 181182
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IR IRF644.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Harris Corporation HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 24445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
160+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description IRF644
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.07 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description IRF644
auf Bestellung 23619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.07 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.55 EUR
10000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 IRF644B-FP001 Fairchild Semiconductor IRF644B-D.PDF Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
160+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 FAIRCHILD IRF644B-D.PDF IRF644B.pdf IRF644B-FP001
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.07 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
50+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.31 EUR
10+2.31 EUR
100+1.87 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.47 EUR
135+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.47 EUR
135+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.42 EUR
143+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY VISH-S-A0013276616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.45 EUR
700+1.28 EUR
1050+1.15 EUR
1400+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.42 EUR
143+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.48 EUR
100+1.85 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
50+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+2.99 EUR
50+2.77 EUR
100+2.58 EUR
250+2.41 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 VISHAY 3204809.pdf Description: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S Siliconix N-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.66 EUR
23+3.12 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
23+3.12 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 3452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+3.1 EUR
100+2.85 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.61 EUR
50+2.95 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.16 EUR
53+2.64 EUR
100+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+4.96 EUR
35+4 EUR
53+2.54 EUR
100+2.38 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.13 EUR
114+1.21 EUR
115+1.16 EUR
116+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.67 EUR
10+4.24 EUR
100+3.36 EUR
500+2.68 EUR
800+2.5 EUR
2400+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.42 EUR
10+4.04 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.42 EUR
10+3.9 EUR
100+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 674 Stücke:
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1+5.67 EUR
10+4.1 EUR
100+3.27 EUR
500+2.64 EUR
800+2.5 EUR
2400+2.46 EUR
4800+2.41 EUR
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IRF644B
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NS IR IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF644
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644
Produktcode: 22636
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IR IRF644.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.24
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B
Produktcode: 192729
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 123223
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SILI sihf644-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Vishay / Siliconix HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Vishay Siliconix 91039.pdf description Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 STMicroelectronics HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description MOSFETs N-Ch 250 Volt 14 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 IRF644B-FP001 onsemi IRF644B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644L IRF644L Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644N IRF644N Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NLPBF IRF644NLPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NPBF IRF644NPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NS IRF644NS Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSPBF IRF644NSPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRL IRF644NSTRL Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRLPBF IRF644NSTRLPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRR IRF644NSTRR Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S IRF644S Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRL IRF644STRL Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF VISHAY sihf644s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF
Produktcode: 181182
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IRF644.pdf
IRF644PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF644
Hersteller: Harris Corporation
Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 24445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF644
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
175+3.07 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF644
auf Bestellung 23619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
175+3.07 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.55 EUR
10000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 IRF644B-D.PDF
IRF644B-FP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 IRF644B-D.PDF IRF644B.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
IRF644B-FP001
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
175+3.07 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.17 EUR
50+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.31 EUR
10+2.31 EUR
100+1.87 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
98+1.47 EUR
135+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
98+1.47 EUR
135+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
101+1.42 EUR
143+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF VISH-S-A0013276616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+1.45 EUR
700+1.28 EUR
1050+1.15 EUR
1400+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
101+1.42 EUR
143+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.75 EUR
10+2.48 EUR
100+1.85 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.62 EUR
50+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+2.99 EUR
50+2.77 EUR
100+2.58 EUR
250+2.41 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 3204809.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
23+3.12 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
23+3.12 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 3452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.88 EUR
10+3.1 EUR
100+2.85 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.61 EUR
50+2.95 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.16 EUR
53+2.64 EUR
100+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+4.96 EUR
35+4 EUR
53+2.54 EUR
100+2.38 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+2.13 EUR
114+1.21 EUR
115+1.16 EUR
116+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.67 EUR
10+4.24 EUR
100+3.36 EUR
500+2.68 EUR
800+2.5 EUR
2400+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.42 EUR
10+4.04 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.42 EUR
10+3.9 EUR
100+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.67 EUR
10+4.1 EUR
100+3.27 EUR
500+2.64 EUR
800+2.5 EUR
2400+2.46 EUR
4800+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NS IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
Hersteller: IR
TO-263
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IRF644
Produktcode: 22636
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description IRF644.pdf
IRF644
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.24
JHGF: THT
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1+0.84 EUR
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IRF644B
Produktcode: 192729
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF644PBF
Produktcode: 123223
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sihf644-datasheet.pdf
IRF644PBF
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
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IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
IRF644
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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IRF644 description 91039.pdf
IRF644
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
IRF644
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 250 Volt 14 Amp
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IRF644B-FP001 IRF644B.pdf
IRF644B-FP001
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
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IRF644L
IRF644L
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF644N IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644N
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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IRF644NLPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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IRF644NPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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IRF644NS IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NS
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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IRF644NSPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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IRF644NSTRL IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSTRL
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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IRF644NSTRLPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRR IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSTRR
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S
IRF644S
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRL
IRF644STRL
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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