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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9530NPBF IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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IR irf9530n.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 122 St.
  • 14 St. - stock Köln
  • 108 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
    1+0.64 EUR
    10+0.6 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBF IRF9530SPBF
    Produktcode: 192850
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    		VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: D2Pak
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Id, A: 12 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
    Montage: SMD
    auf Bestellung 77 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBF IRF9530SPBF
    Produktcode: 35683
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    		Siliconix irf9530spbf.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: D2Pak
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Id, A: 12 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/38
    Montage: SMD
    verfügbar: 6 St.
      1+1.17 EUR
      10+0.96 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530 IRF9530 Siliconix info-tirf9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 239 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+3.4 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530 IRF9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
      Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
      auf Bestellung 2993 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      151+3.57 EUR
      Mindestbestellmenge: 151 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
      auf Bestellung 1365 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      189+3.5 EUR
      500+3.09 EUR
      1000+2.8 EUR
      Mindestbestellmenge: 189 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
      auf Bestellung 1583 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      189+3.5 EUR
      500+3.09 EUR
      1000+2.8 EUR
      Mindestbestellmenge: 189 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530N IRF9530N Infineon info-tirf9530n.pdf description P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 30 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+1.67 EUR
      Mindestbestellmenge: 30 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530N-ML MOSLEADER Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 200 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+1.26 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
      Type of transistor: P-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -100V
      Drain current: -14A
      Power dissipation: 79W
      Case: TO220AB
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 0.2Ω
      Mounting: THT
      Gate charge: 38.7nC
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Technology: HEXFET®
      auf Bestellung 1253 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      51+1.69 EUR
      96+0.89 EUR
      104+0.82 EUR
      110+0.77 EUR
      117+0.73 EUR
      250+0.67 EUR
      500+0.62 EUR
      1000+0.61 EUR
      Mindestbestellmenge: 51 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
      auf Bestellung 17325 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      5+4.69 EUR
      50+2.27 EUR
      100+2.03 EUR
      500+1.62 EUR
      1000+1.49 EUR
      2000+1.37 EUR
      5000+1.25 EUR
      10000+1.18 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
      auf Bestellung 17907 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      2+2.83 EUR
      10+1.33 EUR
      100+1.14 EUR
      500+0.93 EUR
      1000+0.82 EUR
      2000+0.77 EUR
      5000+0.71 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 29000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+1.45 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 52003 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      190+0.93 EUR
      Mindestbestellmenge: 190 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 29275 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+1.45 EUR
      2000+1.3 EUR
      5000+1.14 EUR
      10000+1.02 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 13A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 79W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-220AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET Series
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
      auf Bestellung 14631 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 3150 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      77+2.28 EUR
      100+2.02 EUR
      500+1.57 EUR
      1000+1.42 EUR
      2000+1.29 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 52013 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      136+1.3 EUR
      248+0.69 EUR
      251+0.65 EUR
      500+0.62 EUR
      1000+0.6 EUR
      2000+0.56 EUR
      5000+0.54 EUR
      10000+0.52 EUR
      Mindestbestellmenge: 136 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRL IRF9530NSTRL Infineon info-tirf9530ns.pdf P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 353 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      20+2.28 EUR
      Mindestbestellmenge: 20 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
      Type of transistor: P-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -100V
      Drain current: -14A
      Power dissipation: 3.8W
      Case: D2PAK
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel
      Kind of channel: enhancement
      Technology: HEXFET®
      auf Bestellung 723 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      36+2.4 EUR
      55+1.56 EUR
      71+1.2 EUR
      100+1.07 EUR
      250+0.92 EUR
      500+0.8 EUR
      Mindestbestellmenge: 36 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
      auf Bestellung 265 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      1+3.88 EUR
      10+2.45 EUR
      100+1.65 EUR
      500+1.34 EUR
      800+1.2 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
      auf Bestellung 557 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      5+4.57 EUR
      10+2.92 EUR
      100+1.98 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 1600 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.89 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 14A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 79W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
      auf Bestellung 886 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 4540 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      77+2.3 EUR
      115+1.51 EUR
      500+1.08 EUR
      800+0.95 EUR
      2400+0.9 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 14A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 79W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRRPBF International Rectifier HiRel Products irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 IRF9530NSTRRPBF
      auf Bestellung 1600 Stücke:
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Semiconductors 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
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      1000+1.38 EUR
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
      auf Bestellung 3212 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      4+6.41 EUR
      50+3.21 EUR
      100+2.9 EUR
      500+2.36 EUR
      1000+2.18 EUR
      2000+2.03 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
      auf Bestellung 1142 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      1+4.55 EUR
      10+2.39 EUR
      100+1.87 EUR
      500+1.58 EUR
      1000+1.38 EUR
      2000+1.31 EUR
      5000+1.19 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
      auf Bestellung 3290 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      5+4.88 EUR
      50+2.39 EUR
      100+2.15 EUR
      500+1.73 EUR
      1000+1.58 EUR
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      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+1.17 EUR
      2000+1.13 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 VISHAY irf9530.pdf Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 12A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 88W
      SVHC: Lead (04-Feb-2026)
      Bauform - Transistor: TO-220AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
      auf Bestellung 999 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+1.17 EUR
      2000+1.11 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530S IRF9530S Siliconix info-tirf9530s.pdf P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 4 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      25+2.43 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NLPBF IR
      auf Bestellung 2100 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF 50K
      auf Bestellung 45000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF/IR IR 08+;
      auf Bestellung 10000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NS IR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 TO-263
      auf Bestellung 4000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSPBF International Rectifier/Infineon irf9530nspbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      verfügbar 69 Stücke:
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF Vishay Siliconix IRF9530_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      verfügbar 50 Stücke:
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530 IRF9530
      Produktcode: 78154
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      		Vishay irf9530-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Id, A: 48 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+1.26 EUR
      10+1 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530N IRF9530N
      Produktcode: 7932
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      		IR description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Id, A: 12 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NS
      Produktcode: 58984
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      		Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSPBF
      Produktcode: 154938
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      		irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Transistoren > MOSFET N-CH
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530PBF
      Produktcode: 215123
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      		91076.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530 IRF9530 Vishay / Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530 IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NL IRF9530NL Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-262
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NS IRF9530NS Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSPBF IRF9530NSPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Discontinued at Digi-Key
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRR IRF9530NSTRR Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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      IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
      Type of transistor: P-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -100V
      Drain current: -8.2A
      Pulsed drain current: -48A
      Power dissipation: 88W
      Case: TO220AB
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 0.3Ω
      Mounting: THT
      Gate charge: 38nC
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
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      IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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      		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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      IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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      		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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      IRF9530NPBF
      Produktcode: 32844
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      IRF9530NPBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Id, A: 12 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
      Montage: THT
      verfügbar: 122 St.
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        IRF9530SPBF
        Produktcode: 192850
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        		description IRF9530SPBF.pdf
        IRF9530SPBF
        Hersteller: VBsemi
        Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
        Gehäuse: D2Pak
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
        Drain-Strom Id, A: 12 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
        Montage: SMD
        auf Bestellung 77 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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        IRF9530SPBF
        Produktcode: 35683
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        		description irf9530spbf.pdf
        IRF9530SPBF
        Hersteller: Siliconix
        Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
        Gehäuse: D2Pak
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
        Drain-Strom Id, A: 12 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/38
        Montage: SMD
        verfügbar: 6 St.
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          IRF9530 description info-tirf9530.pdf
          IRF9530
          Hersteller: Siliconix
          P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          auf Bestellung 239 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
          IRF9530
          Hersteller: Harris Corporation
          Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
          Packaging: Bulk
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
          Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Active
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
          auf Bestellung 2993 Stücke:
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          151+3.57 EUR
          Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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          IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
          Hersteller: HARRIS
          IRF9530
          auf Bestellung 1365 Stücke:
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          189+3.5 EUR
          500+3.09 EUR
          1000+2.8 EUR
          Mindestbestellmenge: 189 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
          Hersteller: HARRIS
          IRF9530
          auf Bestellung 1583 Stücke:
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          189+3.5 EUR
          500+3.09 EUR
          1000+2.8 EUR
          Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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          IRF9530N description info-tirf9530n.pdf
          IRF9530N
          Hersteller: Infineon
          P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          auf Bestellung 30 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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          50+1.67 EUR
          Mindestbestellmenge: 30 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530N-ML
          Hersteller: MOSLEADER
          Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 200 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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          50+1.26 EUR
          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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          IRF9530NPBF irf9530n.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
          Category: THT P channel transistors
          Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
          Type of transistor: P-MOSFET
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: -100V
          Drain current: -14A
          Power dissipation: 79W
          Case: TO220AB
          Gate-source voltage: ±20V
          On-state resistance: 0.2Ω
          Mounting: THT
          Gate charge: 38.7nC
          Kind of package: tube
          Kind of channel: enhancement
          Technology: HEXFET®
          auf Bestellung 1253 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          51+1.69 EUR
          96+0.89 EUR
          104+0.82 EUR
          110+0.77 EUR
          117+0.73 EUR
          250+0.67 EUR
          500+0.62 EUR
          1000+0.61 EUR
          Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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          IRF9530NPBF IRF9530NPBF.PDF
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          auf Bestellung 17325 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          5+4.69 EUR
          50+2.27 EUR
          100+2.03 EUR
          500+1.62 EUR
          1000+1.49 EUR
          2000+1.37 EUR
          5000+1.25 EUR
          10000+1.18 EUR
          Mindestbestellmenge: 5 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NPBF Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
          auf Bestellung 17907 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          2+2.83 EUR
          10+1.33 EUR
          100+1.14 EUR
          500+0.93 EUR
          1000+0.82 EUR
          2000+0.77 EUR
          5000+0.71 EUR
          Mindestbestellmenge: 2 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 29000 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1000+1.45 EUR
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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          IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 52003 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          190+0.93 EUR
          Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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          IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 29275 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1000+1.45 EUR
          2000+1.3 EUR
          5000+1.14 EUR
          10000+1.02 EUR
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NPBF INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
          IRF9530NPBF
          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Durchsteckmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 100V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 13A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: Y
          MSL: -
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
          Verlustleistung: 79W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-220AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: HEXFET Series
          productTraceability: No
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: p-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
          auf Bestellung 14631 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 3150 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          77+2.28 EUR
          100+2.02 EUR
          500+1.57 EUR
          1000+1.42 EUR
          2000+1.29 EUR
          Mindestbestellmenge: 77 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 52013 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          136+1.3 EUR
          248+0.69 EUR
          251+0.65 EUR
          500+0.62 EUR
          1000+0.6 EUR
          2000+0.56 EUR
          5000+0.54 EUR
          10000+0.52 EUR
          Mindestbestellmenge: 136 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRL info-tirf9530ns.pdf
          IRF9530NSTRL
          Hersteller: Infineon
          P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
          Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
          auf Bestellung 353 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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          20+2.28 EUR
          Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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          IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
          Category: SMD P channel transistors
          Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
          Type of transistor: P-MOSFET
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: -100V
          Drain current: -14A
          Power dissipation: 3.8W
          Case: D2PAK
          Mounting: SMD
          Kind of package: reel
          Kind of channel: enhancement
          Technology: HEXFET®
          auf Bestellung 723 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          36+2.4 EUR
          55+1.56 EUR
          71+1.2 EUR
          100+1.07 EUR
          250+0.92 EUR
          500+0.8 EUR
          Mindestbestellmenge: 36 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRLPBF Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
          auf Bestellung 265 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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          1+3.88 EUR
          10+2.45 EUR
          100+1.65 EUR
          500+1.34 EUR
          800+1.2 EUR
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          IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
          Packaging: Cut Tape (CT)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          auf Bestellung 557 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          5+4.57 EUR
          10+2.92 EUR
          100+1.98 EUR
          Mindestbestellmenge: 5 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 1600 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          800+0.89 EUR
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Oberflächenmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 100V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 14A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: N
          MSL: MSL 1 - unbegrenzt
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
          Verlustleistung: 79W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-263AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: HEXFET
          productTraceability: Yes-Date/Lot Code
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: p-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
          auf Bestellung 886 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          Mindestbestellmenge: 100 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 4540 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          77+2.3 EUR
          115+1.51 EUR
          500+1.08 EUR
          800+0.95 EUR
          2400+0.9 EUR
          Mindestbestellmenge: 77 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Oberflächenmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 100V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 14A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: Y
          MSL: MSL 1 - unbegrenzt
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
          Verlustleistung: 79W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-263AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: HEXFET
          productTraceability: Yes-Date/Lot Code
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: p-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
          auf Bestellung 886 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 1600 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          800+0.89 EUR
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          Hersteller: International Rectifier HiRel Products
          IRF9530NSTRRPBF
          auf Bestellung 1600 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          246+2.68 EUR
          500+2.38 EUR
          1000+2.14 EUR
          Mindestbestellmenge: 246 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF 91076.pdf
          IRF9530PBF
          Hersteller: Vishay Semiconductors
          MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
          auf Bestellung 93 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1+4.32 EUR
          10+3.22 EUR
          100+2.92 EUR
          500+1.54 EUR
          1000+1.38 EUR
          2000+1.29 EUR
          5000+1.2 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF 91076.pdf
          IRF9530PBF
          Hersteller: Vishay Siliconix
          Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
          Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
          auf Bestellung 3212 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          4+6.41 EUR
          50+3.21 EUR
          100+2.9 EUR
          500+2.36 EUR
          1000+2.18 EUR
          2000+2.03 EUR
          Mindestbestellmenge: 4 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
          IRF9530PBF-BE3
          Hersteller: Vishay / Siliconix
          MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
          auf Bestellung 1142 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1+4.55 EUR
          10+2.39 EUR
          100+1.87 EUR
          500+1.58 EUR
          1000+1.38 EUR
          2000+1.31 EUR
          5000+1.19 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
          IRF9530PBF-BE3
          Hersteller: Vishay Siliconix
          Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
          Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Active
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
          auf Bestellung 3290 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          5+4.88 EUR
          50+2.39 EUR
          100+2.15 EUR
          500+1.73 EUR
          1000+1.58 EUR
          2000+1.48 EUR
          Mindestbestellmenge: 5 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
          IRF9530PBF-BE3
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
          auf Bestellung 2000 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1000+1.17 EUR
          2000+1.13 EUR
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF-BE3 irf9530.pdf
          IRF9530PBF-BE3
          Hersteller: VISHAY
          Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Durchsteckmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 100V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 12A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: Y
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
          Verlustleistung: 88W
          SVHC: Lead (04-Feb-2026)
          Bauform - Transistor: TO-220AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: -
          productTraceability: Yes-Date/Lot Code
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: p-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
          auf Bestellung 999 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
          IRF9530PBF-BE3
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
          auf Bestellung 2000 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1000+1.17 EUR
          2000+1.11 EUR
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530S info-tirf9530s.pdf
          IRF9530S
          Hersteller: Siliconix
          P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 4 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          25+2.43 EUR
          Mindestbestellmenge: 4 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
          IRF9530SPBF
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 2 Stücke:
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NLPBF
          Hersteller: IR
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          IRF9530NPBF/IR
          Hersteller: IR
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          IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          Hersteller: IR
          TO-263
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf
          Hersteller: International Rectifier/Infineon
          P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF IRF9530_Vishay.pdf
          Hersteller: Vishay Siliconix
          P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          verfügbar 50 Stücke:
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530
          Produktcode: 78154
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          		description irf9530-datasheet.pdf
          IRF9530
          Hersteller: Vishay
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
          Gehäuse: TO-220
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
          Drain-Strom Id, A: 48 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+1.26 EUR
          10+1 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530N
          Produktcode: 7932
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          		description
          IRF9530N
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
          Gehäuse: TO-220
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
          Drain-Strom Id, A: 12 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NS
          Produktcode: 58984
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          		Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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          IRF9530NSPBF
          Produktcode: 154938
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          		description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          Transistoren > MOSFET N-CH
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF
          Produktcode: 215123
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          		91076.pdf
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
          IRF9530
          Hersteller: Vishay / Siliconix
          MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530 description IRF9530.pdf
          IRF9530
          Hersteller: Vishay Siliconix
          Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NL Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          IRF9530NL
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-262
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
          IRF9530NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          IRF9530NS
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          IRF9530NSPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Discontinued at Digi-Key
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          IRF9530NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
          Packaging: Tape & Reel (TR)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          IRF9530NSTRR
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
          Packaging: Tape & Reel (TR)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
          IRF9530NSTRRPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
          Packaging: Tape & Reel (TR)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: P-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF irf9530.pdf
          IRF9530PBF
          Hersteller: VISHAY
          Category: THT P channel transistors
          Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
          Type of transistor: P-MOSFET
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: -100V
          Drain current: -8.2A
          Pulsed drain current: -48A
          Power dissipation: 88W
          Case: TO220AB
          Gate-source voltage: ±20V
          On-state resistance: 0.3Ω
          Mounting: THT
          Gate charge: 38nC
          Kind of package: tube
          Kind of channel: enhancement
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF doc91076.pdf
          IRF9530PBF
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9530PBF doc91076.pdf
          IRF9530PBF
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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