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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018
2
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IR |
  Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
auf Bestellung: 1027 St.
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683
1
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Китай |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 35 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm Montage: SMD |
auf Bestellung: 2036 St.
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IRLR2905Z Produktcode: 4031
1
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Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
auf Bestellung: 498 St.
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IRLR2905Z China Produktcode: 211511
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Китай |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23 Montage: SMD |
auf Bestellung: 490 St.
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| IRLR2905 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | Infineon |
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Gate charge: 48nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V Kind of package: reel Case: DPAK |
auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
auf Bestellung 10559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 8300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 8300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905Z | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905Z | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTR | Infineon |
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTR | Infineon |
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTR | Infineon | IRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRLPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 174000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 328900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Gate charge: 35nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 43A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V Kind of package: reel Case: DPAK |
auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
auf Bestellung 9308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
auf Bestellung 4556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
auf Bestellung 4556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905 | IR |
TO-252 |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 94 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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AUIRLR2905ZTRL | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms |
auf Bestellung 10206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UMWIRLR2905TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MOT50N06D | MOT- |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905 Produktcode: 30677
2
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR2905PBF Produktcode: 102405
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-252/D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
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| IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018
2
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 1027 St.
- 1027 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Montage: SMD
auf Bestellung: 2036 St.
- 2036 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| IRLR2905Z Produktcode: 4031
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 498 St.
- 498 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.82 EUR |
| 10+ | 1.46 EUR |
| IRLR2905Z China Produktcode: 211511
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Montage: SMD
auf Bestellung: 490 St.
- 490 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| IRLR2905 | |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.76 EUR |
| IRLR2905TR |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.93 EUR |
| IRLR2905TR |
|
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.88 EUR |
| IRLR2905TR |
|
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2 EUR |
| IRLR2905TR-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.73 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 423+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| 10000+ | 1.09 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.93 EUR |
| 163+ | 1.43 EUR |
| 166+ | 1.3 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 423+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 423+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| 10000+ | 1.09 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR2905TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel
Case: DPAK
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 2.3 EUR |
| 85+ | 1.01 EUR |
| 90+ | 0.95 EUR |
| 96+ | 0.89 EUR |
| 97+ | 0.88 EUR |
| 103+ | 0.83 EUR |
| 200+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 10559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 2000+ | 1.09 EUR |
| 4000+ | 1.05 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 76+ | 3.3 EUR |
| 115+ | 2.02 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 2.25 EUR |
| 115+ | 1.49 EUR |
| 165+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2000+ | 0.61 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 241+ | 0.73 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.74 EUR |
| 4000+ | 0.68 EUR |
| 6000+ | 0.63 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 241+ | 0.73 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.69 EUR |
| 6000+ | 0.64 EUR |
| 10000+ | 0.6 EUR |
| 14000+ | 0.57 EUR |
| 20000+ | 0.55 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 2.26 EUR |
| 114+ | 1.52 EUR |
| 164+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.68 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.67 EUR |
| 6000+ | 0.62 EUR |
| 10000+ | 0.57 EUR |
| 14000+ | 0.52 EUR |
| 20000+ | 0.49 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.74 EUR |
| 4000+ | 0.65 EUR |
| 6000+ | 0.61 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 736+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.3 EUR |
| 115+ | 2.02 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| IRLR2905Z |
|
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.29 EUR |
| IRLR2905Z |
|
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.29 EUR |
| IRLR2905ZTR |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.58 EUR |
| IRLR2905ZTR |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.58 EUR |
| IRLR2905ZTR |
Hersteller: Infineon
IRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори
IRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 2.31 EUR |
| IRLR2905ZTRLPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 225+ | 2.44 EUR |
| IRLR2905ZTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 709+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 10000+ | 0.74 EUR |
| 100000+ | 0.61 EUR |
| IRLR2905ZTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 328900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 709+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 10000+ | 0.74 EUR |
| 100000+ | 0.61 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel
Case: DPAK
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 1.86 EUR |
| 56+ | 1.55 EUR |
| 64+ | 1.34 EUR |
| 92+ | 0.93 EUR |
| 107+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.98 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 9308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.39 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 2000+ | 0.94 EUR |
| 4000+ | 0.9 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 5829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.44 EUR |
| 10+ | 2.19 EUR |
| 50+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.7 EUR |
| 4000+ | 0.64 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.71 EUR |
| 4000+ | 0.62 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 2.25 EUR |
| 114+ | 1.52 EUR |
| 162+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2000+ | 0.62 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 4556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.3 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 158+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.7 EUR |
| 4000+ | 0.63 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.73 EUR |
| 4000+ | 0.63 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 560+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 4556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 76+ | 3.3 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 158+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 2.24 EUR |
| 115+ | 1.49 EUR |
| 163+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 2000+ | 0.56 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 560+ | 1.18 EUR |
| IRLR2905 | |
Hersteller: IR
TO-252
TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLR2905TRPBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 94 Stücke:
| AUIRLR2905ZTRL |
|
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 6 EUR |
| AUIRLR2905ZTRL |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms
auf Bestellung 10206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.89 EUR |
| 10+ | 4.5 EUR |
| 100+ | 3.28 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| 1000+ | 2.56 EUR |
| 3000+ | 2.39 EUR |
| UMWIRLR2905TR |
|
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.45 EUR |
| 14+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| MOT50N06D |
|
Hersteller: MOT-
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.4 EUR |
| IRLR2905 Produktcode: 30677
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| IRLR2905PBF Produktcode: 102405
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
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