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DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+27.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022 DIF120SIC022 Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.4 EUR
10+94.12 EUR
120+56.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DIF120SIC022 Diotec Electronics dif120sic022.pdf DIF120SIC022
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.73 EUR
5+60.77 EUR
10+55.42 EUR
30+46.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+63.21 EUR
30+61.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.21 EUR
30+61.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+341.72 EUR
10+267.17 EUR
120+160.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ Diotec Electronics dif120sic022.pdf DIF120SIC022-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+113.91 EUR
10+94.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028 DIF120SIC028 Diotec Semiconductor dif120sic028.pdf SiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.1 EUR
10+111.09 EUR
120+66.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC dif120sic028.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028 Diotec Electronics dif120sic028.pdf DIF120SIC028
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+55.36 EUR
10+45.67 EUR
30+40.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.3 EUR
7+11.61 EUR
10+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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DIF120SIC053 DIF120SIC053 Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.16 EUR
10+27.49 EUR
120+16.49 EUR
510+12.25 EUR
1020+11.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 Diotec Electronics dif120sic053.pdf DIF120SIC053
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 DIF120SIC053 DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.64 EUR
30+24.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.64 EUR
30+24.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+133.46 EUR
10+104.35 EUR
120+62.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ Diotec Electronics dif120sic053.pdf DIF120SIC053-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.12 EUR
10+38.81 EUR
30+35.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF170SIC049 DIF170SIC049 DIOTEC dif170sic049.pdf Description: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIDIF12-40MQ LSI QFP
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L1C4084(GDIF11-1) LSI LOGI PLCC44
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2929DIF10
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIW3500DIF1-T13 RF 0606+
auf Bestellung 33500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIW3500DIF1-T13 RF 09+
auf Bestellung 33518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSM5XAHAE1E OPTOSUPPLY high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSM5XAHAE1E OPTOSUPPLY high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSM5XAHAE1E OPTOSUPPLY high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSTW3535C1A OPTOSUPPLY LED intelligent control 3.48mm; RGB(630/530/475nm); lumin. (for white) 2100mcd;  IF=16mA; VF=3.5 -5.3V OSTW3535C1A OLF.OSTW3535C1A
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSI-LXR3612GD-450 SSI-LXR3612GD-450 Lumex lumex_lumxs05017-1-1737699.pdf LED Panel Mount Indicators Green 565nm 30mcd T-3mm 18" Leads Dif
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
100+2.83 EUR
200+2.82 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.24 EUR
5000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH349G39GDSN TH349G39GDSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-2% a. 25C
auf Bestellung 32735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH350G39GBSN-T5 TH350G39GBSN-T5 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC THERM GLASS ENCAP,50K
auf Bestellung 10417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.58 EUR
6+0.52 EUR
10+0.5 EUR
25+0.49 EUR
50+0.46 EUR
100+0.44 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH350H39GBNI TH350H39GBNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 50Kohm +/-3% a. 25C
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
5+0.72 EUR
10+0.67 EUR
25+0.59 EUR
50+0.55 EUR
100+0.51 EUR
500+0.43 EUR
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TH350J39GBNI TH350J39GBNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
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TH350J39GBSN TH350J39GBSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
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TH410J42GBSN-T5 TH410J42GBSN-T5 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 100Kohm +/-5% a. 25C
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W724C0-01 SEOUL high power LED Emiter 11.8W; white (6300K); luminosity: 400 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1400mA; VF=3.6V; OLBHP12W-E OLBHP12W-E
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DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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DIF156H00-00D0 DIF156H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
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DIF175H00-00D0 DIF175H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
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DIF184H00-00D0 DIF184H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
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DIF198H00-00D0 DIF198H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
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ADI-F13M12B ADI-F13M12B AATC AATC_10192023_ADI_F13M12B-3359234.pdf Speakers & Transducers
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ADI-F13M3B ADI-F13M3B AATC AATC_10192023_ADI_F13M3B-3359236.pdf Speakers & Transducers
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ADI-F13M5B ADI-F13M5B AATC AATC_10192023_ADI_F13M5B-3359211.pdf Speakers & Transducers
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R5BBLKREDIF1 R5BBLKREDIF1 E-Switch R5BBLKREDIF1-3457931.pdf Rocker Switches 15A 250V DPST On-OffNeon Bulb
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Паяльник Handif 150W Handif
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TH320H35GBSN TH320H35GBSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
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TH320H39GBSN TH320H39GBSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
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TH333J40GBPS-T5 TH333J40GBPS-T5 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
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TH349G39GBPS TH349G39GBPS Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
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TH349H39GFNI TH349H39GFNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
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TH349H39GFSN TH349H39GFSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
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TH349H39GSSN TH349H39GSSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
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TH349J39GSNI TH349J39GSNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 49.12K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
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DIF120SIC022 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3+27.88 EUR
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DIF120SIC022 dif120sic022.pdf
DIF120SIC022
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+120.4 EUR
10+94.12 EUR
120+56.46 EUR
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DIF120SIC022 4397176.pdf
DIF120SIC022
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022 dif120sic022.pdf
Hersteller: Diotec Electronics
DIF120SIC022
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+69.73 EUR
5+60.77 EUR
10+55.42 EUR
30+46.7 EUR
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DIF120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+63.21 EUR
30+61.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+63.21 EUR
30+61.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DIF120SIC022-AQ dif120sic022.pdf
DIF120SIC022-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+341.72 EUR
10+267.17 EUR
120+160.23 EUR
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DIF120SIC022-AQ dif120sic022.pdf
Hersteller: Diotec Electronics
DIF120SIC022-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+113.91 EUR
10+94.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DIF120SIC022-AQ 4397176.pdf
DIF120SIC022-AQ
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DIF120SIC028 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d
DIF120SIC028
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
DIF120SIC028
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+142.1 EUR
10+111.09 EUR
120+66.63 EUR
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DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
DIF120SIC028
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
Hersteller: Diotec Electronics
DIF120SIC028
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+55.36 EUR
10+45.67 EUR
30+40.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DIF120SIC053 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.3 EUR
7+11.61 EUR
10+11.5 EUR
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DIF120SIC053 dif120sic053.pdf
DIF120SIC053
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+35.16 EUR
10+27.49 EUR
120+16.49 EUR
510+12.25 EUR
1020+11.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 dif120sic053.pdf
Hersteller: Diotec Electronics
DIF120SIC053
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+19.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 4397180.pdf
DIF120SIC053
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc
DIF120SIC053-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.64 EUR
30+24.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc
DIF120SIC053-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.64 EUR
30+24.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ dif120sic053.pdf
DIF120SIC053-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+133.46 EUR
10+104.35 EUR
120+62.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ 4397180.pdf
DIF120SIC053-AQ
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ dif120sic053.pdf
Hersteller: Diotec Electronics
DIF120SIC053-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+45.12 EUR
10+38.81 EUR
30+35.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF170SIC049 dif170sic049.pdf
DIF170SIC049
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIDIF12-40MQ
Hersteller: LSI
QFP
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L1C4084(GDIF11-1)
Hersteller: LSI LOGI
PLCC44
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2929DIF10
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIW3500DIF1-T13
Hersteller: RF
0606+
auf Bestellung 33500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIW3500DIF1-T13
Hersteller: RF
09+
auf Bestellung 33518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSM5XAHAE1E
Hersteller: OPTOSUPPLY
high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSM5XAHAE1E
Hersteller: OPTOSUPPLY
high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSM5XAHAE1E
Hersteller: OPTOSUPPLY
high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSTW3535C1A
Hersteller: OPTOSUPPLY
LED intelligent control 3.48mm; RGB(630/530/475nm); lumin. (for white) 2100mcd;  IF=16mA; VF=3.5 -5.3V OSTW3535C1A OLF.OSTW3535C1A
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSI-LXR3612GD-450 lumex_lumxs05017-1-1737699.pdf
SSI-LXR3612GD-450
Hersteller: Lumex
LED Panel Mount Indicators Green 565nm 30mcd T-3mm 18" Leads Dif
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.33 EUR
100+2.83 EUR
200+2.82 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.24 EUR
5000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH349G39GDSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349G39GDSN
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-2% a. 25C
auf Bestellung 32735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.51 EUR
10+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH350G39GBSN-T5 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350G39GBSN-T5
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC THERM GLASS ENCAP,50K
auf Bestellung 10417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.58 EUR
6+0.52 EUR
10+0.5 EUR
25+0.49 EUR
50+0.46 EUR
100+0.44 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH350H39GBNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350H39GBNI
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 50Kohm +/-3% a. 25C
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.86 EUR
5+0.72 EUR
10+0.67 EUR
25+0.59 EUR
50+0.55 EUR
100+0.51 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH350J39GBNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350J39GBNI
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.57 EUR
10+0.54 EUR
25+0.5 EUR
50+0.48 EUR
100+0.46 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH350J39GBSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350J39GBSN
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.57 EUR
10+0.54 EUR
25+0.5 EUR
50+0.48 EUR
100+0.46 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH410J42GBSN-T5 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH410J42GBSN-T5
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 100Kohm +/-5% a. 25C
auf Bestellung 3833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.58 EUR
10+0.48 EUR
100+0.46 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W724C0-01
Hersteller: SEOUL
high power LED Emiter 11.8W; white (6300K); luminosity: 400 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1400mA; VF=3.6V; OLBHP12W-E OLBHP12W-E
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d
DIF120SIC028
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.3 EUR
7+11.61 EUR
10+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF156H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF156H00-00D0
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF175H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF175H00-00D0
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF184H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF184H00-00D0
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF198H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF198H00-00D0
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADI-F13M12B AATC_10192023_ADI_F13M12B-3359234.pdf
ADI-F13M12B
Hersteller: AATC
Speakers & Transducers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADI-F13M3B AATC_10192023_ADI_F13M3B-3359236.pdf
ADI-F13M3B
Hersteller: AATC
Speakers & Transducers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADI-F13M5B AATC_10192023_ADI_F13M5B-3359211.pdf
ADI-F13M5B
Hersteller: AATC
Speakers & Transducers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R5BBLKREDIF1 R5BBLKREDIF1-3457931.pdf
R5BBLKREDIF1
Hersteller: E-Switch
Rocker Switches 15A 250V DPST On-OffNeon Bulb
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Паяльник Handif 150W
Hersteller: Handif
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH320H35GBSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH320H35GBSN
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH320H39GBSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH320H39GBSN
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH333J40GBPS-T5 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH333J40GBPS-T5
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH349G39GBPS AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349G39GBPS
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH349H39GFNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349H39GFNI
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH349H39GFSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349H39GFSN
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH349H39GSSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349H39GSSN
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH349J39GSNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349J39GSNI
Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 49.12K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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