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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSC2010UCB NSC2010UCB
Produktcode: 99174
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NS
ZFx86
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+54.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSC2-332
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSC2-561
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSC2003
auf Bestellung 850 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3 ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3 Allied Vision, Inc. Description: C-MOUNT 10MP TYPE 2/3 F=25MM F1.
Packaging: Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+378.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2 ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2 Allied Vision, Inc. Description: C-MOUNT 25MP TYPE 1.2 F=25MM F2.
Packaging: Box
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+919.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BES M08MI-NSC20B-S49G BES M08MI-NSC20B-S49G BALLUFF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8C40B703F413E28&compId=GLOBAL-EN.pdf?ci_sign=1b68890b9df8f49915c80491527acc1affabcc25 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8C40B703F40DE28&compId=GLOBAL-DE.pdf?ci_sign=0fb7f354eb2c5f66f0a3874afa256f462b575d9c Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 12÷30VDC; M8; IP67; 200mA
Max. operating current: 200mA
Number of pins: 3
Supply voltage: 12...30V DC
Switching frequency max: 700Hz
Type of sensor: inductive
IP rating: IP67
Switch housing: M8
Connection: M8 male
Body material: nickel plated brass
Output configuration: NPN / NO
Kind of forehead: embedded
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...2mm
Overall length: 59mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BESM08MI-NSC20B-BV03 BESM08MI-NSC20B-BV03 BALLUFF 46854.pdf Description: BALLUFF - BESM08MI-NSC20B-BV03 - Induktiver Näherungssensor, zylindrisch, Baureihe BES, M8, 2mm, NPN, 12V bis 30V, vorverdrahtet
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Sensorausgang: NPN
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 4561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.79 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650Q WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors WNSC2D04650-2902711.pdf SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 10503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.13 EUR
10+2 EUR
100+1.35 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650XQ WNSC2D04650XQ WeEn Semiconductors Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
50+1.43 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 5198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.15 EUR
10+2.69 EUR
100+1.85 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 7463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.47 EUR
10+2.9 EUR
100+2 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D08650Q WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors WNSC2D08650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.01 EUR
50+2.17 EUR
100+1.98 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D101200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D101200CW-3003088.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3.01 EUR
100+2.22 EUR
480+2.02 EUR
1200+1.81 EUR
2640+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.47 EUR
10+5.51 EUR
100+3.96 EUR
600+3.31 EUR
1200+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650B-2902684.pdf SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
auf Bestellung 4736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.96 EUR
100+2.11 EUR
500+1.68 EUR
800+1.51 EUR
2400+1.43 EUR
4800+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650B.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650B.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 8768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.58 EUR
10+3.65 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 7081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.44 EUR
100+2.4 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650Q WNSC2D10650Q WeEn Semiconductors WNSC2D10650-3005303.pdf SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.53 EUR
100+1.85 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650Q WNSC2D10650Q WeEn Semiconductors WNSC2D10650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
50+2.53 EUR
100+2.31 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
10+3.73 EUR
100+2.62 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
30+2.78 EUR
120+2.32 EUR
510+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650W-2902707.pdf SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.78 EUR
100+2.22 EUR
600+1.85 EUR
1200+1.57 EUR
3000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D12650TJ WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D12650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
10+3.95 EUR
100+2.89 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D151200WQ WNSC2D151200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D151200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
30+6.74 EUR
120+5.86 EUR
510+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D16650CJQ WNSC2D16650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ%20%281%29.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.99 EUR
30+4.18 EUR
120+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D201200WQ WNSC2D201200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
10+9.79 EUR
100+7.25 EUR
600+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ__1_-2578783.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+6.97 EUR
100+5.46 EUR
480+3.85 EUR
2880+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.73 EUR
30+4.66 EUR
120+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW-2401276.pdf SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+4.38 EUR
100+3.38 EUR
480+2.97 EUR
1200+2.55 EUR
2640+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650CWQ WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.43 EUR
30+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650WQ WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.86 EUR
30+6.87 EUR
120+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
24C04NSC2.7 ATMEL 02+ SOP8
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
24C64NSC27 ST SOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02AN-SC27 ATMEL
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02AN-SC27 ATMEL 09+ SOP8
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC2.7 ATMEL SOP8
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC25 ATMEL
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC25 ATMEL 09+ SOP8
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC27 ATMEL 09+ SOP8
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC27 ATMEL
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC27B ATMEL
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC2.5
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC2.7 ATMEL 02+ SOP
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC25
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC27 AT SO-8
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04AN-SC27 ATMEL 09+ SOP8
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC25 ATMEL
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC25 ATMEL 09+ SOP8
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC27 ATMEL 09+ SOP8
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC27B ATMEL
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSC2010UCB
Produktcode: 99174
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NSC2010UCB
Hersteller: NS

ZFx86
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+54.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSC2-332
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSC2-561
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSC2003
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3
ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3
Hersteller: Allied Vision, Inc.
Description: C-MOUNT 10MP TYPE 2/3 F=25MM F1.
Packaging: Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+378.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2
ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2
Hersteller: Allied Vision, Inc.
Description: C-MOUNT 25MP TYPE 1.2 F=25MM F2.
Packaging: Box
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+919.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BES M08MI-NSC20B-S49G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8C40B703F413E28&compId=GLOBAL-EN.pdf?ci_sign=1b68890b9df8f49915c80491527acc1affabcc25 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8C40B703F40DE28&compId=GLOBAL-DE.pdf?ci_sign=0fb7f354eb2c5f66f0a3874afa256f462b575d9c
BES M08MI-NSC20B-S49G
Hersteller: BALLUFF
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 12÷30VDC; M8; IP67; 200mA
Max. operating current: 200mA
Number of pins: 3
Supply voltage: 12...30V DC
Switching frequency max: 700Hz
Type of sensor: inductive
IP rating: IP67
Switch housing: M8
Connection: M8 male
Body material: nickel plated brass
Output configuration: NPN / NO
Kind of forehead: embedded
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...2mm
Overall length: 59mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BESM08MI-NSC20B-BV03 46854.pdf
BESM08MI-NSC20B-BV03
Hersteller: BALLUFF
Description: BALLUFF - BESM08MI-NSC20B-BV03 - Induktiver Näherungssensor, zylindrisch, Baureihe BES, M8, 2mm, NPN, 12V bis 30V, vorverdrahtet
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Sensorausgang: NPN
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650D.pdf
WNSC2D04650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 4561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.82 EUR
10+1.79 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650D.pdf
WNSC2D04650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650Q WNSC2D04650-2902711.pdf
WNSC2D04650Q
Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.68 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650T.pdf
WNSC2D04650TJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 10503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.13 EUR
10+2 EUR
100+1.35 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650T.pdf
WNSC2D04650TJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650XQ
WNSC2D04650XQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.97 EUR
50+1.43 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650D.pdf
WNSC2D06650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650D.pdf
WNSC2D06650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 5198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D06650TJ
WNSC2D06650TJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.15 EUR
10+2.69 EUR
100+1.85 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650D.pdf
WNSC2D08650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 7463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.47 EUR
10+2.9 EUR
100+2 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650D.pdf
WNSC2D08650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D08650Q WNSC2D08650.pdf
WNSC2D08650Q
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.01 EUR
50+2.17 EUR
100+1.98 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D101200CW6Q WNSC2D101200CW-3003088.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.65 EUR
10+3.01 EUR
100+2.22 EUR
480+2.02 EUR
1200+1.81 EUR
2640+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200W.pdf
WNSC2D101200WQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.47 EUR
10+5.51 EUR
100+3.96 EUR
600+3.31 EUR
1200+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650B-2902684.pdf
WNSC2D10650BJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
auf Bestellung 4736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.58 EUR
10+2.96 EUR
100+2.11 EUR
500+1.68 EUR
800+1.51 EUR
2400+1.43 EUR
4800+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650B.pdf
WNSC2D10650BJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650B.pdf
WNSC2D10650BJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 8768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.58 EUR
10+3.65 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650D.pdf
WNSC2D10650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650D.pdf
WNSC2D10650DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 7081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.28 EUR
10+3.44 EUR
100+2.4 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650Q WNSC2D10650-3005303.pdf
WNSC2D10650Q
Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4 EUR
10+2.53 EUR
100+1.85 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650Q WNSC2D10650.pdf
WNSC2D10650Q
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.63 EUR
50+2.53 EUR
100+2.31 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650T.pdf
WNSC2D10650TJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.7 EUR
10+3.73 EUR
100+2.62 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650W.pdf
WNSC2D10650WQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.75 EUR
30+2.78 EUR
120+2.32 EUR
510+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650W-2902707.pdf
WNSC2D10650WQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.61 EUR
10+2.78 EUR
100+2.22 EUR
600+1.85 EUR
1200+1.57 EUR
3000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D12650TJ WNSC2D12650T.pdf
WNSC2D12650TJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.7 EUR
10+3.95 EUR
100+2.89 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D151200WQ WNSC2D151200W.pdf
WNSC2D151200WQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.39 EUR
30+6.74 EUR
120+5.86 EUR
510+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D16650CJQ WNSC2D16650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D16650CJQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.99 EUR
30+4.18 EUR
120+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D201200WQ WNSC2D201200W.pdf
WNSC2D201200WQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.27 EUR
10+9.79 EUR
100+7.25 EUR
600+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJ__1_-2578783.pdf
WNSC2D20650CJQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+6.97 EUR
100+5.46 EUR
480+3.85 EUR
2880+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.73 EUR
30+4.66 EUR
120+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW-2401276.pdf
WNSC2D20650CWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.55 EUR
10+4.38 EUR
100+3.38 EUR
480+2.97 EUR
1200+2.55 EUR
2640+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650CWQ WNSC2D30650CW.pdf
WNSC2D30650CWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.43 EUR
30+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650WQ WNSC2D30650W.pdf
WNSC2D30650WQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.86 EUR
30+6.87 EUR
120+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
24C04NSC2.7
Hersteller: ATMEL
02+ SOP8
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
24C64NSC27
Hersteller: ST
SOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02AN-SC27
Hersteller: ATMEL
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02AN-SC27
Hersteller: ATMEL
09+ SOP8
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC2.7
Hersteller: ATMEL
SOP8
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC25
Hersteller: ATMEL
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC25
Hersteller: ATMEL
09+ SOP8
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC27
Hersteller: ATMEL
09+ SOP8
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC27
Hersteller: ATMEL
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02N-SC27B
Hersteller: ATMEL
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC2.5
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC2.7
Hersteller: ATMEL
02+ SOP
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC25
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C02NSC27
Hersteller: AT
SO-8
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04AN-SC27
Hersteller: ATMEL
09+ SOP8
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC25
Hersteller: ATMEL
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC25
Hersteller: ATMEL
09+ SOP8
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC27
Hersteller: ATMEL
09+ SOP8
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT24C04N-SC27B
Hersteller: ATMEL
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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