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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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680nF 16V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B684K160N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 2747 |
Hitano |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805 Kapazität: 680nF Nennspannung: 16V Dielektrikum: X7R Präzision: ±10% K Größentyp: 0805 № 7: 8532240000 |
auf Bestellung 123003 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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680nF 250V (JFGC-0.68U/250) Produktcode: 117131 |
JB Capacitors |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680 nF Nennspannung, V: 250 VDC Präzision: ±5% J Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен Abschwächungskonstante: Ø10x20,5 mm |
erwartet:
100 Stück
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680nF 250V X7R 10% 1812 500/reel (C1812B684K251N05-Hitano) Produktcode: 192508 |
Hitano |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812 Kapazität: 680 nF Nennspannung: 250 V Dielektrikum: X7R Präzision: ±10% K Größentyp: 1812 |
auf Bestellung 938 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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680nF 50V X7R K(+/-10%) (R20W684K1HY2-L) Produktcode: 104132 |
Hitano |
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige Kapazität: 680nF Nennspannung: 50V TKE: X7R Präzision: +/- 10% K Abmessungen: 2.54mm Part Nummer: R20W684K1HY2-L |
verfügbar: 3713 Stück
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680nF 50V Y5V 20% 1206 (1206Y684M500N2-Hitano) Produktcode: 112285 |
Hitano |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206 Kapazität: 680 nF Nennspannung: 50 V Dielektrikum: Y5V Präzision: ±20% M Gro?entyp: 1206 |
auf Bestellung 1227 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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680nF 50V Y5V 20% 1206 4k/reel (C1206Y684M500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1916 |
Hitano |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206 Kapazität: 680nF Nennspannung: 50V Dielektrikum: Y5V Präzision: ±20% M Gro?entyp: 1206 № 8: 8532240000 |
auf Bestellung 2357 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MEB 680nF 100VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,5x10,5x6mm (MEB684J2AB-Hitano) Produktcode: 153966 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680 nF Nennspannung, V: 100 VDC Präzision: ±5% J Abstand ausg. und Abmessungen: 5 mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер Abschwächungskonstante: 7,5x10,5x6 mm |
auf Bestellung 818 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MEB 680nF 63VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,3x9,5x4,5mm (MEB684J1JB-Hitano) Produktcode: 182979 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680 nF Nennspannung, V: 63 VDC Präzision: ±5% J Abstand ausg. und Abmessungen: 5 мм Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер Abschwächungskonstante: 7,3x9,5x4,5 mm |
auf Bestellung 1720 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MER 180nF 100V K(+/-10%), P=10mm, 8x13x11,5mm (MER184K2AB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23342 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 180nF Nennspannung, V: 100VDC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 8x13x11,5mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MER184K2AB ZCODE: 8532 29 00 00 |
auf Bestellung 15 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MER 180nF 400V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x15x19mm (MER184K2GB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23343 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 180nF Nennspannung, V: 400VDC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x15x19mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MER184K2GB ZCODE: 8532 29 00 00 |
auf Bestellung 953 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MER 680nF 100V K(+/-10%), P=15mm, 8x13,5x18mm (MER684K2AB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23368 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680nF Nennspannung, V: 100VDC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8x13,5x18mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MER684K2AB ZCODE: 8532 29 00 00 |
verfügbar: 670 Stück
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MER 680nF 250V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x16x18mm (MER684K2EB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23369 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680nF Nennspannung, V: 250VDC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x16x18mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MER684K2EB ZCODE: 8532 29 00 00 |
auf Bestellung 1062 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MER 680nF 400V K(+/-10%), P=27,5mm, 10.5x17,5x30mm (MER684K2GB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 41918 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680nF Nennspannung, V: 400VDC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 10,5x17,5x30mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MER684K2GB ZCODE: 8532 29 00 00 |
auf Bestellung 290 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MER 680nF 630V K(+/-10%), P=27,5mm, 14x23,5x30mm (MER684K2JB-Hitano) Produktcode: 23370 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680nF Nennspannung, V: 630VDC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 14x23,5x30mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MER684K2JB ZCODE: 8532 29 00 00 |
verfügbar: 632 Stück
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MKP (class X2) 680nF 310VAC K (+/-10%), P = 22,5mm, 26,5х16,5х7mm (STX2684K31L22.5-STcapacitors) (конденсатор плівковий) Produktcode: 195430 |
Stcapasitor |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680 nF Nennspannung, V: 310 VAC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: 22,5 mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен X2 Abschwächungskonstante: 26,5х16,5х7 mm |
auf Bestellung 24 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MPX(class X2) 180nF 275VAC K(+/-10%), P=15mm, 8,5x15x18mm (MPX184K2EB-Hitano) Produktcode: 23380 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 180nF Nennspannung, V: 275VAC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8,5x15x18mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MPX184K2EB ZCODE: 8532 25 00 00 |
verfügbar: 60 Stück
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MPX(class X2) 180nF 310VAC K(+/-10%), P=15mm, 8,5x15x18mm (MPX184K2FB-Hitano) Produktcode: 74324 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 180nF Nennspannung, V: 310VAC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8,5x15x18mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen Abschwächungskonstante: 8,5x15x18 mm |
verfügbar: 1007 Stück
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MPX(class X2) 680nF 310VAC K(+/-10%), P=22,5mm, 7x16,5x26,5mm (X2684K31L22 (E2)-Stcapasitor) (конденсатор пленочный) Produktcode: 140038 |
Stcapasitor |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680 nF Nennspannung, V: 310 VAC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: 22,5 mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен X2 Abschwächungskonstante: 7x16,5x26,5 mm |
auf Bestellung 459 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MPX(class X2) 680nF 310VAC K(+/-10%), P=27,5mm, 11x20x32mm (MPX684K2FB-Hitano) Produktcode: 6562 |
Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 680nF Nennspannung, V: 310VAC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 11x20x32mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MPX684K2FB ZCODE: 8532 25 00 00 |
verfügbar: 314 Stück
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80NF55 | ST | 09+ TO-220 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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0603Y5V680nF20%25 | CTS |
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 25V; Y5V; ±20%; SMD; case: 0603; operating temperature: -30°C ~85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K3SN680/25ym Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke |
auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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0603Y5V680nF20%25 | CTS |
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 25V; Y5V; ±20%; SMD; case: 0603; operating temperature: -30°C ~85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K3SN680/25ym Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1206X7R180nF10%50 | CTS |
Multilayer ceramic chip capacitor; 180nF; 50V; X7R; ±10%; SMD; case: 1206; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 180nF K6SN180/50xk Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1206X7R680nF10%16 | CTS |
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 16V; X7R; ±10%; SMD; case: 1206; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K6SN680/16xk Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1206Y5V680nF20%50 | CTS |
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 50V; Y5V; ±20%; SMD; case: 1206; operating temperature; -30°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K6SN680/50ym Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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233-380NF00-13NH | Glenair | USB Connectors recept USB-C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C-1206 680NF 10% 50V X7R // CL31B684KBHNNNE | SAMSUNG | Cap 1206 50V X7R 0.68uF 10% Pb-Free |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB80NF10T4 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STB80NF10T4 STB80NF10 TSTB80NF10 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB80NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB80NF55-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB80NF55-06T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB80NF55-06T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB80NF55-08AG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ 80 A STripFET Power MOSFET |
auf Bestellung 2522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB80NF55-08AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB80NF55L-06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB80NF55L-06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB80NF55L-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF03L-04 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF03L-04 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF03L-04 | ST |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 STMicroelectronics TSTP80NF03L-04 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp |
auf Bestellung 3920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF10 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF10 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF10FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF10FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF10FP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF10FP | STMicroelectronics | MOSFET N Ch 100V 0.012 Ohm 30A |
auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF12 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF12 | ST |
N-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF12 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF12 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF12 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF12 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
680nF 16V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B684K160N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 2747 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 680nF
Nennspannung: 16V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 680nF
Nennspannung: 16V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 123003 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.06 EUR |
100+ | 0.044 EUR |
1000+ | 0.036 EUR |
10000+ | 0.032 EUR |
680nF 250V (JFGC-0.68U/250) Produktcode: 117131 |
Hersteller: JB Capacitors
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±5% J
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен
Abschwächungskonstante: Ø10x20,5 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±5% J
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен
Abschwächungskonstante: Ø10x20,5 mm
erwartet:
100 Stück
680nF 250V X7R 10% 1812 500/reel (C1812B684K251N05-Hitano) Produktcode: 192508 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812
Kapazität: 680 nF
Nennspannung: 250 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 1812
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812
Kapazität: 680 nF
Nennspannung: 250 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 1812
auf Bestellung 938 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)680nF 50V X7R K(+/-10%) (R20W684K1HY2-L) Produktcode: 104132 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 680nF
Nennspannung: 50V
TKE: X7R
Präzision: +/- 10% K
Abmessungen: 2.54mm
Part Nummer: R20W684K1HY2-L
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 680nF
Nennspannung: 50V
TKE: X7R
Präzision: +/- 10% K
Abmessungen: 2.54mm
Part Nummer: R20W684K1HY2-L
verfügbar: 3713 Stück
680nF 50V Y5V 20% 1206 (1206Y684M500N2-Hitano) Produktcode: 112285 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 680 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: Y5V
Präzision: ±20% M
Gro?entyp: 1206
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 680 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: Y5V
Präzision: ±20% M
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 1227 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)680nF 50V Y5V 20% 1206 4k/reel (C1206Y684M500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1916 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 680nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: Y5V
Präzision: ±20% M
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 680nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: Y5V
Präzision: ±20% M
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 2357 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.06 EUR |
100+ | 0.038 EUR |
1000+ | 0.035 EUR |
MEB 680nF 100VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,5x10,5x6mm (MEB684J2AB-Hitano) Produktcode: 153966 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 100 VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: 5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер
Abschwächungskonstante: 7,5x10,5x6 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 100 VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: 5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер
Abschwächungskonstante: 7,5x10,5x6 mm
auf Bestellung 818 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)MEB 680nF 63VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,3x9,5x4,5mm (MEB684J1JB-Hitano) Produktcode: 182979 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 63 VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: 5 мм
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер
Abschwächungskonstante: 7,3x9,5x4,5 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 63 VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: 5 мм
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер
Abschwächungskonstante: 7,3x9,5x4,5 mm
auf Bestellung 1720 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)MER 180nF 100V K(+/-10%), P=10mm, 8x13x11,5mm (MER184K2AB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23342 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 8x13x11,5mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER184K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 8x13x11,5mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER184K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
MER 180nF 400V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x15x19mm (MER184K2GB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23343 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 400VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x15x19mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER184K2GB
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 400VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x15x19mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER184K2GB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 953 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.2 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.1 EUR |
MER 680nF 100V K(+/-10%), P=15mm, 8x13,5x18mm (MER684K2AB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23368 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8x13,5x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8x13,5x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 670 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.11 EUR |
MER 680nF 250V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x16x18mm (MER684K2EB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 23369 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 250VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x16x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2EB
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 250VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x16x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2EB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 1062 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.12 EUR |
1000+ | 0.11 EUR |
MER 680nF 400V K(+/-10%), P=27,5mm, 10.5x17,5x30mm (MER684K2GB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 41918 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 400VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 10,5x17,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2GB
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 400VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 10,5x17,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2GB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 290 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
MER 680nF 630V K(+/-10%), P=27,5mm, 14x23,5x30mm (MER684K2JB-Hitano) Produktcode: 23370 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 14x23,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 14x23,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 632 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.36 EUR |
MKP (class X2) 680nF 310VAC K (+/-10%), P = 22,5mm, 26,5х16,5х7mm (STX2684K31L22.5-STcapacitors) (конденсатор плівковий) Produktcode: 195430 |
Hersteller: Stcapasitor
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 310 VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: 22,5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен X2
Abschwächungskonstante: 26,5х16,5х7 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 310 VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: 22,5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен X2
Abschwächungskonstante: 26,5х16,5х7 mm
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)MPX(class X2) 180nF 275VAC K(+/-10%), P=15mm, 8,5x15x18mm (MPX184K2EB-Hitano) Produktcode: 23380 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 275VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8,5x15x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX184K2EB
ZCODE: 8532 25 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 275VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8,5x15x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX184K2EB
ZCODE: 8532 25 00 00
verfügbar: 60 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.28 EUR |
10+ | 0.25 EUR |
MPX(class X2) 180nF 310VAC K(+/-10%), P=15mm, 8,5x15x18mm (MPX184K2FB-Hitano) Produktcode: 74324 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8,5x15x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 8,5x15x18 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 180nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 8,5x15x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 8,5x15x18 mm
verfügbar: 1007 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.11 EUR |
MPX(class X2) 680nF 310VAC K(+/-10%), P=22,5mm, 7x16,5x26,5mm (X2684K31L22 (E2)-Stcapasitor) (конденсатор пленочный) Produktcode: 140038 |
Hersteller: Stcapasitor
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 310 VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: 22,5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен X2
Abschwächungskonstante: 7x16,5x26,5 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680 nF
Nennspannung, V: 310 VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: 22,5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен X2
Abschwächungskonstante: 7x16,5x26,5 mm
auf Bestellung 459 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)MPX(class X2) 680nF 310VAC K(+/-10%), P=27,5mm, 11x20x32mm (MPX684K2FB-Hitano) Produktcode: 6562 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 11x20x32mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX684K2FB
ZCODE: 8532 25 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 11x20x32mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX684K2FB
ZCODE: 8532 25 00 00
verfügbar: 314 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.58 EUR |
10+ | 0.53 EUR |
100+ | 0.45 EUR |
0603Y5V680nF20%25 |
Hersteller: CTS
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 25V; Y5V; ±20%; SMD; case: 0603; operating temperature: -30°C ~85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K3SN680/25ym
Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 25V; Y5V; ±20%; SMD; case: 0603; operating temperature: -30°C ~85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K3SN680/25ym
Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3800+ | 0.0077 EUR |
0603Y5V680nF20%25 |
Hersteller: CTS
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 25V; Y5V; ±20%; SMD; case: 0603; operating temperature: -30°C ~85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K3SN680/25ym
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 25V; Y5V; ±20%; SMD; case: 0603; operating temperature: -30°C ~85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K3SN680/25ym
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.0077 EUR |
1206X7R180nF10%50 |
Hersteller: CTS
Multilayer ceramic chip capacitor; 180nF; 50V; X7R; ±10%; SMD; case: 1206; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 180nF K6SN180/50xk
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Multilayer ceramic chip capacitor; 180nF; 50V; X7R; ±10%; SMD; case: 1206; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 180nF K6SN180/50xk
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2000+ | 0.015 EUR |
1206X7R680nF10%16 |
Hersteller: CTS
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 16V; X7R; ±10%; SMD; case: 1206; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K6SN680/16xk
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 16V; X7R; ±10%; SMD; case: 1206; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K6SN680/16xk
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2000+ | 0.015 EUR |
1206Y5V680nF20%50 |
Hersteller: CTS
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 50V; Y5V; ±20%; SMD; case: 1206; operating temperature; -30°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K6SN680/50ym
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF; 50V; Y5V; ±20%; SMD; case: 1206; operating temperature; -30°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 680nF K6SN680/50ym
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.014 EUR |
233-380NF00-13NH |
Hersteller: Glenair
USB Connectors recept USB-C
USB Connectors recept USB-C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2595.47 EUR |
2+ | 2338.41 EUR |
5+ | 2006.15 EUR |
10+ | 1808.21 EUR |
C-1206 680NF 10% 50V X7R // CL31B684KBHNNNE |
Hersteller: SAMSUNG
Cap 1206 50V X7R 0.68uF 10% Pb-Free
Cap 1206 50V X7R 0.68uF 10% Pb-Free
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
18+ | 0.52 EUR |
STB80NF10T4 |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STB80NF10T4 STB80NF10 TSTB80NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STB80NF10T4 STB80NF10 TSTB80NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.63 EUR |
STB80NF10T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.44 EUR |
10+ | 4.58 EUR |
100+ | 3.7 EUR |
500+ | 3.29 EUR |
1000+ | 2.66 EUR |
2000+ | 2.64 EUR |
STB80NF10T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 5.4 EUR |
10+ | 4.54 EUR |
100+ | 3.67 EUR |
500+ | 3.26 EUR |
STB80NF10T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 2.79 EUR |
STB80NF55-06T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.61 EUR |
10+ | 4.72 EUR |
25+ | 4.7 EUR |
100+ | 3.82 EUR |
500+ | 3.4 EUR |
1000+ | 2.9 EUR |
2000+ | 2.73 EUR |
STB80NF55-06T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 5.58 EUR |
10+ | 4.67 EUR |
100+ | 3.78 EUR |
500+ | 3.36 EUR |
STB80NF55-06T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 2.88 EUR |
2000+ | 2.71 EUR |
STB80NF55-08AG |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ 80 A STripFET Power MOSFET
MOSFET Automotive-grade N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ 80 A STripFET Power MOSFET
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 3.82 EUR |
10+ | 3.75 EUR |
100+ | 3.71 EUR |
250+ | 3.64 EUR |
500+ | 2.22 EUR |
1000+ | 2.13 EUR |
2000+ | 2.09 EUR |
STB80NF55-08AG |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STB80NF55L-06T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
29+ | 2.49 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
STB80NF55L-06T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
29+ | 2.49 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
STB80NF55L-06T4 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.74 EUR |
250+ | 3.78 EUR |
500+ | 3.54 EUR |
1000+ | 2.9 EUR |
2000+ | 2.75 EUR |
STP80NF03L-04 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
33+ | 2.2 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
STP80NF03L-04 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
33+ | 2.2 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
STP80NF03L-04 |
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 STMicroelectronics TSTP80NF03L-04
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 STMicroelectronics TSTP80NF03L-04
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 3.76 EUR |
STP80NF03L-04 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.26 EUR |
10+ | 4 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
STP80NF03L-04 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STP80NF06 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STP80NF10 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 2.56 EUR |
32+ | 2.29 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
STP80NF10 |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 4.43 EUR |
STP80NF10 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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28+ | 2.56 EUR |
32+ | 2.29 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
STP80NF10 |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 5.6 EUR |
50+ | 4.43 EUR |
100+ | 3.8 EUR |
STP80NF10 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STP80NF10FP |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 3.83 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
STP80NF10FP |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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19+ | 3.83 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
STP80NF10FP |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 5.16 EUR |
STP80NF10FP |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N Ch 100V 0.012 Ohm 30A
MOSFET N Ch 100V 0.012 Ohm 30A
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.14 EUR |
10+ | 5.05 EUR |
25+ | 3.29 EUR |
100+ | 2.52 EUR |
STP80NF12 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.16 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
STP80NF12 |
Hersteller: ST
N-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 4.5 EUR |
STP80NF12 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.16 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
STP80NF12 |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 4.26 EUR |
50+ | 3.42 EUR |
100+ | 2.82 EUR |
500+ | 2.38 EUR |
STP80NF12 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp
MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.29 EUR |
10+ | 3.4 EUR |
100+ | 2.8 EUR |
250+ | 2.78 EUR |
500+ | 2.39 EUR |
1000+ | 1.97 EUR |
2000+ | 1.87 EUR |
STP80NF12 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Wählen Sie Seite:
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