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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHG20N50C SIHG20N50C
Produktcode: 44837
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Vishay Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/
Montage: THT
auf Bestellung: 152 St.
  • 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N50F 20N50F GOODWORK GK-ITO-220F-20N50F-2026.pdf Description: 500V 20A 260m@10V ITO-220F
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A 3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A E-T-A D_3120-N_en.pdf Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.69 EUR
5+59.46 EUR
10+46.43 EUR
50+42.79 EUR
250+42.14 EUR
500+41.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A 3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A E-T-A D_3120_N...T1_en.pdf Circuit Breakers Min Ord Qty 10. The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for o
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+185.83 EUR
5+155.49 EUR
10+141.51 EUR
50+130.59 EUR
100+126.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5920_N-50-010/133_NE 5920_N-50-010/133_NE HUBER+SUHNER Huber_Suhner_5920_N-50-010133_NE.pdf Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50 Ohm, 20 dB, N
auf Bestellung 5 Stücke:
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1+600.07 EUR
10+560.59 EUR
25+550.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6820_N-50-1/1--_NE 6820_N-50-1/1--_NE HUBER+SUHNER HuberSuhner_01042023_DOU-01161239.pdf Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50, 20 dB, N
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+251.24 EUR
10+232.1 EUR
100+232.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies, Inc. BD60120N50100AHF.pdf Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies, Inc. BD60120N50100AHF.pdf Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
auf Bestellung 9508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
11+2.03 EUR
25+1.74 EUR
50+1.55 EUR
100+1.36 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies BD60120N50100AHF.pdf Signal Conditioning
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+2.05 EUR
25+1.55 EUR
100+1.36 EUR
250+1.15 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies, Inc. C20N50Z4.pdf Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard SMD
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
10+6.3 EUR
25+5.95 EUR
100+5.47 EUR
250+5.19 EUR
500+5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies C20N50Z4.pdf High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+6.33 EUR
25+5.99 EUR
100+5.46 EUR
250+4.99 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies, Inc. C20N50Z4.pdf Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard SMD
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4B C20N50Z4B TTM Technologies C20N50Z4B.pdf High Frequency/RF Resistors
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+6.89 EUR
25+6.51 EUR
100+5.99 EUR
250+5.46 EUR
500+5.32 EUR
1000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4B C20N50Z4B TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited C20N50Z4B.pdf Description: SMD TERM 20W 50 OHM 6GHZ 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: 5G, AMPS, Cellular, DCS, GSM, LTE, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 20W
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.91 EUR
10+6.85 EUR
25+6.49 EUR
100+5.97 EUR
250+5.66 EUR
500+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500102FCT CHV2220N500102FCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 COG 1000PF 1% 500V
Tolerance: ±1%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 1000 pF
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.84 EUR
10+7.13 EUR
50+6.03 EUR
100+5.7 EUR
500+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500102JCT CHV2220N500102JCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 COG 1000PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
10+5.15 EUR
50+4.31 EUR
100+4.05 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500104KXT CHV2220N500104KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500105KXT CHV2220N500105KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+3 EUR
1500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500105KXT CHV2220N500105KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.24 EUR
10+4.37 EUR
50+3.62 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500224KXT CHV2220N500224KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .22UF 10% 500V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500393KXT CHV2220N500393KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .039UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.039 µF
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
10+5.15 EUR
50+4.31 EUR
100+4.05 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500472JCT CHV2220N500472JCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500474KXT CHV2220N500474KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .47UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.47 µF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
11+1.95 EUR
50+1.56 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500684KXT CHV2220N500684KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .68UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.68 µF
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.15 EUR
10+6.57 EUR
50+5.55 EUR
100+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA20N50 FDA20N50 Fairchild Semiconductor FAIRS31552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 79831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
83+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F FDB20N50F onsemi FDB20N50F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F FDB20N50F onsemi FDB20N50F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 17008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+6.02 EUR
50+4.7 EUR
100+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F FDB20N50F onsemi FDB20N50F-D.pdf MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
auf Bestellung 4186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.15 EUR
10+4.74 EUR
100+4.32 EUR
500+3.62 EUR
800+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.02 EUR
19+4.64 EUR
20+4.36 EUR
21+4.13 EUR
25+3.4 EUR
30+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F onsemi FDPF20N50FT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.06 EUR
50+3.93 EUR
100+3.57 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F onsemi FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 5032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+3.96 EUR
100+3.58 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.53 EUR
19+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT Fairchild info-tfdpf20n50ft.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT onsemi FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.26 EUR
10+4.77 EUR
100+4.16 EUR
500+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT onsemi FDPF20N50FT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.21 EUR
10+6.14 EUR
50+4.82 EUR
100+4.39 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.18 EUR
19+4.71 EUR
21+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T FDPF20N50T onsemi fdpf20n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.15 EUR
10+6.08 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T FDPF20N50T onsemi fdpf20n50t-d.pdf MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
auf Bestellung 7181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+4.8 EUR
100+4.25 EUR
500+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N50C1D HGTG20N50C1D Harris Corporation HRISD027-3-71.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+15.6 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50C1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 4984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50E1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50E1D Harris Corporation HRISD027-3-76.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50EID Harris Corporation Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGTH20N50 IGTH20N50 Harris Corporation TOCSS00194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
96+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.2 EUR
13+6.88 EUR
14+6.13 EUR
30+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8 Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.85 EUR
30+9.23 EUR
60+8.44 EUR
120+7.77 EUR
510+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.92 EUR
10+8.48 EUR
120+7.81 EUR
510+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.52 EUR
13+6.56 EUR
30+5.58 EUR
60+4.99 EUR
120+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+9.2 EUR
120+7.81 EUR
510+6.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC120N-50 MC120N-50 Amphenol Positronic C014RevG3_PCS-2604346.pdf D-Sub Contacts
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.93 EUR
100+11.04 EUR
250+9.29 EUR
500+7.81 EUR
1000+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT20N50HF MOT20N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+4.21 EUR
100+2.52 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT20N50W MOT20N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_43.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
10+6.15 EUR
100+3.69 EUR
600+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104JBA NB20N50104JBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104JBA NB20N50104JBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
25+0.84 EUR
27+0.81 EUR
28+0.75 EUR
50+0.71 EUR
100+0.68 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104KBA NB20N50104KBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104KBA NB20N50104KBA Kyocera AVX nb21-nb12-nb20.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
10+0.42 EUR
25+0.37 EUR
100+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104KBA NB20N50104KBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 9270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
46+0.46 EUR
48+0.44 EUR
52+0.4 EUR
55+0.38 EUR
100+0.37 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA20N50E-E3 SIHA20N50E-E3 Vishay Siliconix siha20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
10+4.56 EUR
50+3.52 EUR
100+3.18 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA20N50E-GE3 SIHA20N50E-GE3 Vishay Siliconix siha20n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG20N50C
Produktcode: 44837
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SIHG20N50C
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/
Montage: THT
auf Bestellung: 152 St.
  • 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.24 EUR
10+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N50F GK-ITO-220F-20N50F-2026.pdf
20N50F
Hersteller: GOODWORK
Description: 500V 20A 260m@10V ITO-220F
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A D_3120-N_en.pdf
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A
Hersteller: E-T-A
Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+71.69 EUR
5+59.46 EUR
10+46.43 EUR
50+42.79 EUR
250+42.14 EUR
500+41.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A D_3120_N...T1_en.pdf
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A
Hersteller: E-T-A
Circuit Breakers Min Ord Qty 10. The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for o
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+185.83 EUR
5+155.49 EUR
10+141.51 EUR
50+130.59 EUR
100+126.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5920_N-50-010/133_NE Huber_Suhner_5920_N-50-010133_NE.pdf
5920_N-50-010/133_NE
Hersteller: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50 Ohm, 20 dB, N
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+600.07 EUR
10+560.59 EUR
25+550.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6820_N-50-1/1--_NE HuberSuhner_01042023_DOU-01161239.pdf
6820_N-50-1/1--_NE
Hersteller: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50, 20 dB, N
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+251.24 EUR
10+232.1 EUR
100+232.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Hersteller: TTM Technologies, Inc.
Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Hersteller: TTM Technologies, Inc.
Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
auf Bestellung 9508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.93 EUR
11+2.03 EUR
25+1.74 EUR
50+1.55 EUR
100+1.36 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Hersteller: TTM Technologies
Signal Conditioning
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.83 EUR
10+2.05 EUR
25+1.55 EUR
100+1.36 EUR
250+1.15 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Hersteller: TTM Technologies, Inc.
Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard SMD
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.28 EUR
10+6.3 EUR
25+5.95 EUR
100+5.47 EUR
250+5.19 EUR
500+5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Hersteller: TTM Technologies
High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.31 EUR
10+6.33 EUR
25+5.99 EUR
100+5.46 EUR
250+4.99 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Hersteller: TTM Technologies, Inc.
Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard SMD
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4B C20N50Z4B.pdf
C20N50Z4B
Hersteller: TTM Technologies
High Frequency/RF Resistors
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.96 EUR
10+6.89 EUR
25+6.51 EUR
100+5.99 EUR
250+5.46 EUR
500+5.32 EUR
1000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C20N50Z4B C20N50Z4B.pdf
C20N50Z4B
Hersteller: TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited
Description: SMD TERM 20W 50 OHM 6GHZ 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: 5G, AMPS, Cellular, DCS, GSM, LTE, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 20W
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.91 EUR
10+6.85 EUR
25+6.49 EUR
100+5.97 EUR
250+5.66 EUR
500+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500102FCT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500102FCT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 1000PF 1% 500V
Tolerance: ±1%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 1000 pF
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.84 EUR
10+7.13 EUR
50+6.03 EUR
100+5.7 EUR
500+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500102JCT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500102JCT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 1000PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.28 EUR
10+5.15 EUR
50+4.31 EUR
100+4.05 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500104KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500104KXT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500105KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500105KXT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+3 EUR
1500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500105KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500105KXT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.24 EUR
10+4.37 EUR
50+3.62 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500224KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500224KXT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .22UF 10% 500V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500393KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500393KXT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .039UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.039 µF
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.28 EUR
10+5.15 EUR
50+4.31 EUR
100+4.05 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500472JCT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500472JCT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500474KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500474KXT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .47UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.47 µF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.95 EUR
11+1.95 EUR
50+1.56 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CHV2220N500684KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500684KXT
Hersteller: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .68UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.68 µF
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.15 EUR
10+6.57 EUR
50+5.55 EUR
100+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA20N50 FAIRS31552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDA20N50
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 79831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F FDB20N50F-D.pdf
FDB20N50F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F FDB20N50F-D.pdf
FDB20N50F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 17008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.12 EUR
10+6.02 EUR
50+4.7 EUR
100+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F FDB20N50F-D.pdf
FDB20N50F
Hersteller: onsemi
MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
auf Bestellung 4186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.15 EUR
10+4.74 EUR
100+4.32 EUR
500+3.62 EUR
800+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+5.02 EUR
19+4.64 EUR
20+4.36 EUR
21+4.13 EUR
25+3.4 EUR
30+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.66 EUR
10+5.06 EUR
50+3.93 EUR
100+3.57 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Hersteller: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 5032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.69 EUR
10+3.96 EUR
100+3.58 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.53 EUR
19+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT info-tfdpf20n50ft.pdf
FDPF20N50FT
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT-D.pdf
FDPF20N50FT
Hersteller: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.26 EUR
10+4.77 EUR
100+4.16 EUR
500+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT-D.pdf
FDPF20N50FT
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.21 EUR
10+6.14 EUR
50+4.82 EUR
100+4.39 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+5.18 EUR
19+4.71 EUR
21+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.15 EUR
10+6.08 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Hersteller: onsemi
MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
auf Bestellung 7181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.2 EUR
10+4.8 EUR
100+4.25 EUR
500+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N50C1D HRISD027-3-71.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N50C1D
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+15.6 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50C1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 4984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50E1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50E1D HRISD027-3-76.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTH20N50EID
Hersteller: Harris Corporation
Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGTH20N50 TOCSS00194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGTH20N50
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+8.2 EUR
13+6.88 EUR
14+6.13 EUR
30+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8
IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.85 EUR
30+9.23 EUR
60+8.44 EUR
120+7.77 EUR
510+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF
IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.92 EUR
10+8.48 EUR
120+7.81 EUR
510+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.52 EUR
13+6.56 EUR
30+5.58 EUR
60+4.99 EUR
120+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF
IXFQ20N50P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.71 EUR
10+9.2 EUR
120+7.81 EUR
510+6.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC120N-50 C014RevG3_PCS-2604346.pdf
MC120N-50
Hersteller: Amphenol Positronic
D-Sub Contacts
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.93 EUR
100+11.04 EUR
250+9.29 EUR
500+7.81 EUR
1000+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT20N50HF
MOT20N50HF
Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.02 EUR
10+4.21 EUR
100+2.52 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT20N50W index_43.html
MOT20N50W
Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.25 EUR
10+6.15 EUR
100+3.69 EUR
600+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104JBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104JBA
Hersteller: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104JBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104JBA
Hersteller: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.96 EUR
25+0.84 EUR
27+0.81 EUR
28+0.75 EUR
50+0.71 EUR
100+0.68 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Hersteller: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Hersteller: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.45 EUR
10+0.42 EUR
25+0.37 EUR
100+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Hersteller: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 9270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+0.55 EUR
46+0.46 EUR
48+0.44 EUR
52+0.4 EUR
55+0.38 EUR
100+0.37 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA20N50E-E3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.95 EUR
10+4.56 EUR
50+3.52 EUR
100+3.18 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA20N50E-GE3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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