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2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
348+0.21 EUR
479+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K MDD(Microdiode Electronics) 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
348+0.21 EUR
479+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K JSMicro Semiconductor 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K Good-Ark Semiconductor 2N7002K.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K onsemi 2n7002k-fsc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
193+0.09 EUR
313+0.06 EUR
500+0.04 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K Good-Ark Semiconductor 2N7002K.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
125+0.14 EUR
155+0.11 EUR
212+0.08 EUR
259+0.07 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K onsemi 2n7002k-fsc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 203810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
70+0.25 EUR
127+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K MDD SOT232N70S702K.pdf Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K MULTICOMP PRO 4073559.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K MULTICOMP PRO 4495380.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K Microdiode Electronics 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8208000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1746+0.09 EUR
1822+0.08 EUR
1902+0.07 EUR
1993+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K Good-Ark 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2321+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2321
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5693+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5693
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K Good-Ark 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2321+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2321
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K MULTICOMP PRO 4495380.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 5438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.34 EUR
1710+0.08 EUR
1728+0.08 EUR
1746+0.08 EUR
1822+0.07 EUR
1902+0.06 EUR
1993+0.06 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 435
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K HT Jinyu Semiconductor 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7488000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.03 EUR
60000+0.03 EUR
300000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
12000+0.07 EUR
27000+0.06 EUR
51000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
149+0.49 EUR
656+0.11 EUR
1804+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 396000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
30000+0.03 EUR
300000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 400258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
97+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 81767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3547+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3547
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4879+0.03 EUR
6000+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4879
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3547+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3547
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 81767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7353+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7353
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 .K7K DIODES/ZETEX Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002K
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
180+0.40 EUR
445+0.16 EUR
1222+0.06 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. 2N7002K-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
103+0.17 EUR
167+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
669+0.11 EUR
741+0.10 EUR
1417+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
669+0.11 EUR
741+0.10 EUR
1417+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 339874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
69+0.26 EUR
124+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 339000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2046060.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
auf Bestellung 15737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
66000+0.07 EUR
99000+0.06 EUR
132000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 426864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
72+0.24 EUR
123+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 426000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2238516.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 29554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
18000+0.06 EUR
27000+0.05 EUR
36000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
348+0.21 EUR
479+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
348+0.21 EUR
479+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002K 2N7002K.pdf
2N7002K
Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
193+0.09 EUR
313+0.06 EUR
500+0.04 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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2N7002K 2N7002K.pdf
2N7002K
Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
125+0.14 EUR
155+0.11 EUR
212+0.08 EUR
259+0.07 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 203810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
70+0.25 EUR
127+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K SOT232N70S702K.pdf
2N7002K
Hersteller: MDD
Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 4073559.pdf
2N7002K
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 4495380.pdf
2N7002K
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf
Hersteller: Microdiode Electronics
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8208000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1746+0.09 EUR
1822+0.08 EUR
1902+0.07 EUR
1993+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2321+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2321
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5693+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5693
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2321+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2321
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 4495380.pdf
2N7002K
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 5438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
435+0.34 EUR
1710+0.08 EUR
1728+0.08 EUR
1746+0.08 EUR
1822+0.07 EUR
1902+0.06 EUR
1993+0.06 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 435
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7488000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.03 EUR
60000+0.03 EUR
300000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF 2N7002K.pdf
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
12000+0.07 EUR
27000+0.06 EUR
51000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.49 EUR
656+0.11 EUR
1804+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 396000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
30000+0.03 EUR
300000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 400258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
97+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 81767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3547+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3547
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4879+0.03 EUR
6000+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4879
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3547+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3547
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 81767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7353+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7353
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 .K7K
Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002K
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
180+0.40 EUR
445+0.16 EUR
1222+0.06 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+0.28 EUR
103+0.17 EUR
167+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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2N7002K-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
669+0.11 EUR
741+0.10 EUR
1417+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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2N7002K-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
669+0.11 EUR
741+0.10 EUR
1417+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 339874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.44 EUR
69+0.26 EUR
124+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 339000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002K-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
auf Bestellung 15737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
66000+0.07 EUR
99000+0.06 EUR
132000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 426864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+0.42 EUR
72+0.24 EUR
123+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 426000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 29554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
18000+0.06 EUR
27000+0.05 EUR
36000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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