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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N7002K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDDAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | FUXINSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUXAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONSAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSMAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | EASTRONIC |
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 cAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONSAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDDAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | REALCHIP |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: NX7002AK; 2N7002,215; 2N7002K SOT23 RealChip T2N7002k REAAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
auf Bestellung 426000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K | Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Power Dissipation (Max): 430mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K | MDD |
Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V |
auf Bestellung 777000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
auf Bestellung 427161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K | onsemi |
MOSFETs 60V, 300mA N-Chan |
auf Bestellung 64612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K | Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Power Dissipation (Max): 430mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V |
auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002K | HT Jinyu Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 7488000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 61448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | Good-Ark |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 241708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 22140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 61448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002K | Microdiode Electronics (MDD) |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5991000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | Good-Ark |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 22140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Channel |
auf Bestellung 6452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K-7-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-7-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 31735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002K-7-W | Diodes Incorporated |
MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-AU_R1_000A2 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2A Application: automotive industry |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-AU_R1_000A2 | Panjit International Inc. |
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-AU_R1_000A2 | Panjit International Inc. |
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 16752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-AU_R1_000A2 | PanJit |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-T | Rectron |
MOSFETs MOSFET,SOT-23 |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 3822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 522000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 264503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 524527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002K-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 32959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002K |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.31 EUR |
| 323+ | 0.22 EUR |
| 388+ | 0.19 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.031 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.037 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.28 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.061 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: EASTRONIC
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.16 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.031 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: REALCHIP
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: NX7002AK; 2N7002,215; 2N7002K SOT23 RealChip T2N7002k REA
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: NX7002AK; 2N7002,215; 2N7002K SOT23 RealChip T2N7002k REA
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.036 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 426000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.097 EUR |
| 6000+ | 0.087 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.023 EUR |
| 6000+ | 0.022 EUR |
| 9000+ | 0.021 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: MDD
Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V
Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V
auf Bestellung 777000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12000+ | 0.058 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 427161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 0.49 EUR |
| 58+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V, 300mA N-Chan
MOSFETs 60V, 300mA N-Chan
auf Bestellung 64612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.14 EUR |
| 400+ | 0.044 EUR |
| 463+ | 0.038 EUR |
| 562+ | 0.031 EUR |
| 624+ | 0.028 EUR |
| 670+ | 0.026 EUR |
| 1000+ | 0.025 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.03 EUR |
| 6000+ | 0.026 EUR |
| 9000+ | 0.024 EUR |
| 15000+ | 0.022 EUR |
| 21000+ | 0.021 EUR |
| 30000+ | 0.02 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.14 EUR |
| 186+ | 0.095 EUR |
| 303+ | 0.058 EUR |
| 500+ | 0.042 EUR |
| 1000+ | 0.036 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7488000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6098+ | 0.024 EUR |
| 60000+ | 0.02 EUR |
| 300000+ | 0.017 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 61448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.071 EUR |
| 6000+ | 0.066 EUR |
| 12000+ | 0.061 EUR |
| 27000+ | 0.057 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5051+ | 0.029 EUR |
| 6000+ | 0.025 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.055 EUR |
| 6000+ | 0.053 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 241708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6865+ | 0.079 EUR |
| 10000+ | 0.068 EUR |
| 100000+ | 0.055 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6865+ | 0.079 EUR |
| 10000+ | 0.068 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1829+ | 0.079 EUR |
| 1913+ | 0.073 EUR |
| 2000+ | 0.067 EUR |
| 2101+ | 0.061 EUR |
| 3000+ | 0.056 EUR |
| 6000+ | 0.051 EUR |
| 15000+ | 0.046 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 61448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.058 EUR |
| 6000+ | 0.055 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.055 EUR |
| 6000+ | 0.053 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: Microdiode Electronics (MDD)
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5991000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6000+ | 0.035 EUR |
| 2994000+ | 0.031 EUR |
| 4491000+ | 0.028 EUR |
| 5988000+ | 0.025 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 566+ | 0.26 EUR |
| 1681+ | 0.083 EUR |
| 1752+ | 0.077 EUR |
| 1829+ | 0.071 EUR |
| 1913+ | 0.065 EUR |
| 2000+ | 0.059 EUR |
| 2101+ | 0.054 EUR |
| 3000+ | 0.051 EUR |
| 6000+ | 0.049 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 935+ | 0.15 EUR |
| 1220+ | 0.11 EUR |
| 1405+ | 0.096 EUR |
| 1421+ | 0.091 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5051+ | 0.03 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.058 EUR |
| 6000+ | 0.055 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.058 EUR |
| 20000+ | 0.052 EUR |
| 2N7002K-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.058 EUR |
| 20000+ | 0.052 EUR |
| 2N7002K-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 385+ | 0.19 EUR |
| 636+ | 0.11 EUR |
| 2N7002K-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Channel
MOSFETs N-Channel
auf Bestellung 6452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 15+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| 3000+ | 0.044 EUR |
| 2N7002K-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K-7-W |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.068 EUR |
| 6000+ | 0.061 EUR |
| 9000+ | 0.057 EUR |
| 15000+ | 0.053 EUR |
| 21000+ | 0.051 EUR |
| 30000+ | 0.048 EUR |
| 2N7002K-7-W |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 31735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.35 EUR |
| 85+ | 0.21 EUR |
| 138+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.094 EUR |
| 1000+ | 0.083 EUR |
| 2N7002K-7-W |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 0.35 EUR |
| 14+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.095 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| 3000+ | 0.069 EUR |
| 6000+ | 0.06 EUR |
| 2N7002K-AU_R1_000A2 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 676+ | 0.11 EUR |
| 1158+ | 0.062 EUR |
| 1774+ | 0.04 EUR |
| 2050+ | 0.035 EUR |
| 3000+ | 0.033 EUR |
| 2N7002K-AU_R1_000A2 |
![]() |
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.038 EUR |
| 6000+ | 0.034 EUR |
| 9000+ | 0.032 EUR |
| 15000+ | 0.029 EUR |
| 2N7002K-AU_R1_000A2 |
![]() |
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 0.19 EUR |
| 145+ | 0.12 EUR |
| 236+ | 0.075 EUR |
| 500+ | 0.054 EUR |
| 1000+ | 0.047 EUR |
| 2N7002K-AU_R1_000A2 |
![]() |
Hersteller: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2513+ | 0.058 EUR |
| 3000+ | 0.053 EUR |
| 2N7002K-T |
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Hersteller: Rectron
MOSFETs MOSFET,SOT-23
MOSFETs MOSFET,SOT-23
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.48 EUR |
| 11+ | 0.27 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| 3000+ | 0.09 EUR |
| 6000+ | 0.076 EUR |
| 2N7002K-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 789+ | 0.18 EUR |
| 1098+ | 0.13 EUR |
| 1123+ | 0.12 EUR |
| 1216+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.086 EUR |
| 2N7002K-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 3822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 264+ | 0.27 EUR |
| 496+ | 0.14 EUR |
| 962+ | 0.074 EUR |
| 1161+ | 0.062 EUR |
| 1458+ | 0.049 EUR |
| 1583+ | 0.045 EUR |
| 3000+ | 0.041 EUR |
| 2N7002K-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 522000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.096 EUR |
| 6000+ | 0.087 EUR |
| 9000+ | 0.082 EUR |
| 15000+ | 0.076 EUR |
| 21000+ | 0.073 EUR |
| 30000+ | 0.07 EUR |
| 2N7002K-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 264503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.47 EUR |
| 10+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.097 EUR |
| 6000+ | 0.086 EUR |
| 2N7002K-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 524527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 0.46 EUR |
| 63+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2N7002K-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 532+ | 0.27 EUR |
| 844+ | 0.17 EUR |
| 853+ | 0.16 EUR |
| 1145+ | 0.11 EUR |
| 1223+ | 0.1 EUR |
| 2N7002K-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002K-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.095 EUR |
| 6000+ | 0.072 EUR |
| 9000+ | 0.051 EUR |
| 15000+ | 0.035 EUR |
| 21000+ | 0.033 EUR |
| 30000+ | 0.031 EUR |
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