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2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
325+0.22 EUR
479+0.15 EUR
562+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
325+0.22 EUR
479+0.15 EUR
562+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K JSMicro Semiconductor 2n7002k-fsc-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
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500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K MDD(Microdiode Electronics) 2n7002k-fsc-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K onsemi 2n7002k-fsc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K onsemi 2n7002k-fsc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 217998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.08 EUR
12000+0.07 EUR
27000+0.07 EUR
51000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 111295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
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3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K Good-Ark 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3760+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
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15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3760
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 111295 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
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3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K Microdiode Electronics 2n7002k-fsc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4806000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11190 Stücke:
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1746+0.09 EUR
1789+0.09 EUR
1832+0.08 EUR
1880+0.08 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K Good-Ark 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3760+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3760
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.37 EUR
1710+0.09 EUR
1728+0.09 EUR
1746+0.08 EUR
1789+0.08 EUR
1832+0.07 EUR
1880+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 435
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K HT Jinyu Semiconductor 2n7002k-fsc-d.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7488000 Stücke:
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6000+0.04 EUR
60000+0.03 EUR
300000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K MULTICOMP PRO 4073559.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 373
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
373+0.19 EUR
673+0.11 EUR
1850+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 373
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10932000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10933035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
198+0.09 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3534+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3534
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10473000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3534+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3534
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 741000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
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2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
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2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 741000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4066+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4066
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2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 180
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2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
180+0.40 EUR
512+0.14 EUR
1409+0.05 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 180
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2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. 2N7002K-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
108+0.16 EUR
244+0.07 EUR
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. 2N7002K-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
325+0.22 EUR
510+0.14 EUR
625+0.11 EUR
1433+0.05 EUR
1516+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
325+0.22 EUR
510+0.14 EUR
625+0.11 EUR
1433+0.05 EUR
1516+0.05 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 369846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
76+0.23 EUR
140+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 369000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2046060.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 18295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.35 EUR
736+0.21 EUR
743+0.20 EUR
837+0.17 EUR
959+0.14 EUR
1123+0.12 EUR
1354+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 345000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
180000+0.07 EUR
270000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
837+0.19 EUR
959+0.16 EUR
1123+0.13 EUR
1354+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
72000+0.07 EUR
108000+0.06 EUR
144000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 9389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 499324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.40 EUR
71+0.25 EUR
137+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 495000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
36000+0.07 EUR
54000+0.06 EUR
72000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2238516.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.14 EUR
1223+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.10 EUR
1030+0.07 EUR
1145+0.06 EUR
1470+0.05 EUR
1550+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 695
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
695+0.10 EUR
1030+0.07 EUR
1145+0.06 EUR
1470+0.05 EUR
1550+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 695
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002K(SOT-23).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002K(SOT-23).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 17979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
77+0.23 EUR
190+0.09 EUR
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
325+0.22 EUR
479+0.15 EUR
562+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1085+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
325+0.22 EUR
479+0.15 EUR
562+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1085+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 217998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.08 EUR
12000+0.07 EUR
27000+0.07 EUR
51000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 111295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3760+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3760
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 111295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
Hersteller: Microdiode Electronics
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4806000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1746+0.09 EUR
1789+0.09 EUR
1832+0.08 EUR
1880+0.08 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3760+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3760
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
435+0.37 EUR
1710+0.09 EUR
1728+0.09 EUR
1746+0.08 EUR
1789+0.08 EUR
1832+0.07 EUR
1880+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 435
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7488000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.04 EUR
60000+0.03 EUR
300000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 4073559.pdf
2N7002K
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
373+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 373
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
373+0.19 EUR
673+0.11 EUR
1850+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 373
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10932000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10933035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
198+0.09 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3534+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3534
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10473000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3534+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3534
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3279+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 741000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3279+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 741000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4066+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4066
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
180+0.40 EUR
512+0.14 EUR
1409+0.05 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.23 EUR
108+0.16 EUR
244+0.07 EUR
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
325+0.22 EUR
510+0.14 EUR
625+0.11 EUR
1433+0.05 EUR
1516+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
325+0.22 EUR
510+0.14 EUR
625+0.11 EUR
1433+0.05 EUR
1516+0.05 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 369846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
76+0.23 EUR
140+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 369000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2046060.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 18295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.35 EUR
736+0.21 EUR
743+0.20 EUR
837+0.17 EUR
959+0.14 EUR
1123+0.12 EUR
1354+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 345000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
180000+0.07 EUR
270000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
837+0.19 EUR
959+0.16 EUR
1123+0.13 EUR
1354+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
72000+0.07 EUR
108000+0.06 EUR
144000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 9389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
472+0.15 EUR
664+0.11 EUR
1662+0.04 EUR
1755+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 499324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+0.40 EUR
71+0.25 EUR
137+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 495000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
36000+0.07 EUR
54000+0.06 EUR
72000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1183+0.14 EUR
1223+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1183
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2N7002K-TP 2N7002K.pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
695+0.10 EUR
1030+0.07 EUR
1145+0.06 EUR
1470+0.05 EUR
1550+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 695
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2N7002K-TP 2N7002K.pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
695+0.10 EUR
1030+0.07 EUR
1145+0.06 EUR
1470+0.05 EUR
1550+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 695
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2N7002K-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-TP 2N7002K(SOT-23).pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 17979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
77+0.23 EUR
190+0.09 EUR
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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