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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
2SD1010 2SD1010
Produktcode: 184915 		2sd1010.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,05 A
h21: 1000
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD1012F
Produktcode: 184728 		Sanyo 2SD1012_SanyoSemiconDevice.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SPA
fT: 250 MHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,7 A
h21: 320
ZCODE: THT
auf Bestellung 49 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD1069
Produktcode: 184960 		2sd1069.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 7 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3AR2SD10 3AR2SD10
Produktcode: 86364 		Kento LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): rot (645nm)
Gehäuse: 3mm
Linse, Typ: Diffusion
Spannungsfall, V: 1,8...2,0
Lichtstärke / Lichtstrom: 60-90 mcd
Lichtwinkel: 90°
Analogon: Кругла
ZCODE: 645 nm
verfügbar: 4293 Stück
erwartet: 10000 Stück
1+0.092 EUR
10+ 0.06 EUR
100+ 0.039 EUR
1000+ 0.036 EUR
2SD1012F-SPA-AC 2SD1012F-SPA-AC onsemi Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
2SD1012F-SPA-AC 2SD1012F-SPA-AC ONSEMI ONSMS36412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1012F-SPA-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1012G-SPA 2SD1012G-SPA onsemi Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
2SD1012G-SPA 2SD1012G-SPA ONSEMI ONSMS36412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1012G-SPA - 2SD1012G-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1012G-SPA-AC 2SD1012G-SPA-AC onsemi Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
2SD1012G-SPA-AC 2SD1012G-SPA-AC ONSEMI ONSMS36412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1012G-SPA-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1047 2SD1047 STMicroelectronics 2sd1047-1848858.pdf Bipolar Transistors - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+ 7.06 EUR
25+ 5.9 EUR
100+ 5.03 EUR
300+ 4.47 EUR
600+ 3.84 EUR
1200+ 3.61 EUR
2SD1047 2SD1047 STMicroelectronics en.DM00026462.pdf Description: TRANS NPN 140V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.46 EUR
30+ 5.92 EUR
120+ 5.07 EUR
510+ 4.51 EUR
1020+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SD1047 2SD1047 STMicroelectronics 970dm00026462.pdf Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.33 EUR
510+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 47
2SD1047 2SD1047 STMicroelectronics 970dm00026462.pdf Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1047 2SD1047 STMicroelectronics 970dm00026462.pdf Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3.36 EUR
510+ 2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2SD1047 2SD1047 STMICROELECTRONICS SGSTS29072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1047P-E ONSEMI SNYOS05471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1047P-E - 2SD1047P-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E onsemi EN694-D.html Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E onsemi EN694_D-2310902.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E onsemi EN694-D.html Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 10087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.23 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SD1048-6-TB-E ON Semiconductor 2sd1048.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SD1048-6-TB-E ON Semiconductor 2sd1048.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E ON Semiconductor 2sd1048.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-7-TB-E 2SD1048-7-TB-E onsemi EN694-D.html Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
2SD1048-7-TB-E 2SD1048-7-TB-E onsemi EN694_D-2310902.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
auf Bestellung 4130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E onsemi EN686_D-2311187.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+ 1.99 EUR
100+ 1.34 EUR
600+ 1.09 EUR
1200+ 1.03 EUR
3000+ 0.98 EUR
5400+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E onsemi en686-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
50+ 2.01 EUR
100+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2SD1061R 2SD1061R onsemi SNYOS08273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 523
2SD1061R ONSEMI SNYOS08273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1061R - 2SD1061R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1061S 2SD1061S onsemi SNYOS08273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 523
2SD1061S ONSEMI SNYOS08273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1061S - 2SD1061S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1062R ONSEMI ONSMS37268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1062R - 2SD1062 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1065R ONSEMI SNYOS03372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1065R - 2SD1065R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD106AI-17 UC 2SD106AI-17 UC Power Integrations 2SD106AI-17 UL.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 15V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+168.64 EUR
10+ 143.35 EUR
2SD106AI-17 UL 2SD106AI-17 UL Power Integrations 2SD106AI-17_UL-1544284.pdf Gate Drivers 2-Ch Scale-1 6A IGBT Driver 1700V
auf Bestellung 131 Stücke:
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1+167.52 EUR
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2SD100
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD100 TO-39
auf Bestellung 655 Stücke:
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2SD1000 NEC SOT89
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2SD1000 KESENES 09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
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2SD1000 NEC 07+ SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SD1000(LL/51)
auf Bestellung 40000 Stücke:
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2SD1000-D-T1 SOT89-LL NEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SD1000-D-T1/LL NEC SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SD1000-D-T1SOT89-LL NEC
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2SD1000-T1 NEC SOT89
auf Bestellung 175 Stücke:
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2SD1000-T1 NEC
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2SD1000-T1 NEC 09+
auf Bestellung 20000 Stücke:
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2SD1000-T2-AZ NEC SOT89
auf Bestellung 1809 Stücke:
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2SD1000-T2-AZ RENESAS SOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SD1000-T2-LK
auf Bestellung 2022 Stücke:
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2SD1000-T2/LL
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2SD1000/LK NEC 09+
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2SD1000\LK NEC SOT-89
auf Bestellung 3100 Stücke:
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2SD1001 KEXIN 09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
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2SD1001 NEC 00+ SOT-89
auf Bestellung 899 Stücke:
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2SD1001-T1 NEC SOT-89
auf Bestellung 1750 Stücke:
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2SD1001-T1 NEC SOT-89
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2SD1001-T2 NEC SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD1010
Produktcode: 184915		 2sd1010.pdf
2SD1010
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,05 A
h21: 1000
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD1012F
Produktcode: 184728		 2SD1012_SanyoSemiconDevice.pdf
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SPA
fT: 250 MHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,7 A
h21: 320
ZCODE: THT
auf Bestellung 49 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD1069
Produktcode: 184960		 2sd1069.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 7 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3AR2SD10
Produktcode: 86364
3AR2SD10
Hersteller: Kento
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): rot (645nm)
Gehäuse: 3mm
Linse, Typ: Diffusion
Spannungsfall, V: 1,8...2,0
Lichtstärke / Lichtstrom: 60-90 mcd
Lichtwinkel: 90°
Analogon: Кругла
ZCODE: 645 nm
verfügbar: 4293 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.092 EUR
10+ 0.06 EUR
100+ 0.039 EUR
1000+ 0.036 EUR
2SD1012F-SPA-AC
2SD1012F-SPA-AC
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2959+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
2SD1012F-SPA-AC ONSMS36412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1012F-SPA-AC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1012F-SPA-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1012G-SPA
2SD1012G-SPA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2959+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
2SD1012G-SPA ONSMS36412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1012G-SPA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1012G-SPA - 2SD1012G-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1012G-SPA-AC
2SD1012G-SPA-AC
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2959+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
2SD1012G-SPA-AC ONSMS36412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1012G-SPA-AC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1012G-SPA-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1047 2sd1047-1848858.pdf
2SD1047
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.41 EUR
10+ 7.06 EUR
25+ 5.9 EUR
100+ 5.03 EUR
300+ 4.47 EUR
600+ 3.84 EUR
1200+ 3.61 EUR
2SD1047 en.DM00026462.pdf
2SD1047
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 140V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+7.46 EUR
30+ 5.92 EUR
120+ 5.07 EUR
510+ 4.51 EUR
1020+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SD1047 970dm00026462.pdf
2SD1047
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+3.33 EUR
510+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 47
2SD1047 970dm00026462.pdf
2SD1047
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1047 970dm00026462.pdf
2SD1047
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
300+3.36 EUR
510+ 2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2SD1047 SGSTS29072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1047
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1047P-E SNYOS05471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1047P-E - 2SD1047P-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E EN694-D.html
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SD1048-6-TB-E EN694_D-2310902.pdf
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.65 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SD1048-6-TB-E EN694-D.html
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 10087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.65 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.23 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SD1048-6-TB-E 2sd1048.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SD1048-6-TB-E 2sd1048.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E 2sd1048.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SD1048-6-TB-E ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-7-TB-E EN694-D.html
2SD1048-7-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+0.6 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
2SD1048-7-TB-E EN694_D-2310902.pdf
2SD1048-7-TB-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
auf Bestellung 4130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.59 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SD1060S-1E EN686_D-2311187.pdf
2SD1060S-1E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.48 EUR
10+ 1.99 EUR
100+ 1.34 EUR
600+ 1.09 EUR
1200+ 1.03 EUR
3000+ 0.98 EUR
5400+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2SD1060S-1E en686-d.pdf
2SD1060S-1E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.5 EUR
50+ 2.01 EUR
100+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2SD1061R SNYOS08273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SD1061R
Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
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2SD1061R SNYOS08273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1061R - 2SD1061R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SD1061S
Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1061S - 2SD1061S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1062R - 2SD1062 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SD1065R SNYOS03372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1065R - 2SD1065R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SD106AI-17 UC 2SD106AI-17 UL.pdf
2SD106AI-17 UC
Hersteller: Power Integrations
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 15V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
DigiKey Programmable: Not Verified
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2SD106AI-17 UL 2SD106AI-17_UL-1544284.pdf
2SD106AI-17 UL
Hersteller: Power Integrations
Gate Drivers 2-Ch Scale-1 6A IGBT Driver 1700V
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105+ 121.95 EUR
2SD100
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2SD100
TO-39
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2SD1000
Hersteller: NEC
SOT89
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2SD1000
Hersteller: KESENES
09+
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2SD1000
Hersteller: NEC
07+ SOT-89
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2SD1000(LL/51)
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2SD1000-D-T1 SOT89-LL
Hersteller: NEC
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2SD1000-D-T1/LL
Hersteller: NEC
SOT-89
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2SD1000-D-T1SOT89-LL
Hersteller: NEC
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2SD1000-T1
Hersteller: NEC
SOT89
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2SD1000-T1
Hersteller: NEC
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2SD1000-T1
Hersteller: NEC
09+
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2SD1000-T2-AZ
Hersteller: NEC
SOT89
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2SD1000-T2-AZ
Hersteller: RENESAS
SOT89
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2SD1000-T2-LK
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2SD1000-T2/LL
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2SD1000/LK
Hersteller: NEC
09+
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2SD1000\LK
Hersteller: NEC
SOT-89
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2SD1001
Hersteller: KEXIN
09+
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2SD1001
Hersteller: NEC
00+ SOT-89
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2SD1001-T1
Hersteller: NEC
SOT-89
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2SD1001-T1
Hersteller: NEC
SOT-89
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2SD1001-T2
Hersteller: NEC
SOT-89
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