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Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NCE3080K | NCE Power Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C; NCE3080K NCE POWER TNCE3080k Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCT3080KLGC11 | ROHM - Japan |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCT3080KLGC11 | ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080KRC14 | ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080KRC15 | ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080KRHRC15 | ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080KW7TL | ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BDX-703080KW |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
NCE3080K Produktcode: 211602
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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1330-80K | Delevan |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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M1330-80K | Delevan |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MIL1330-80K | Delevan |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MKP1848H53080KK2 | Vishay |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MKP1848H63080KY2 | Vishay |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MKP1848H63080KY5 | Vishay |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NGK3080KSE | Eaton Electrical | Circuit Breakers NG 310+ 3P MCS, 800A, ENG TAPPED TERMS. |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
NGK3080KSES09 | Eaton Electrical | Circuit Breakers NG 3P 800A MCS W/110-240VAC ST |
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NGK3080KSEW02 | Eaton Electrical | Circuit Breakers NG 800A 3P MCS MOD FOR WALK BEAM |
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NGK3080KSM | Eaton Electrical | Circuit Breakers NG 310+ 3P MCS, 800A METRIC TAPPED TERMS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SCT3080KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SCT3080KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT3080KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SCT3080KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SCT3080KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SCT3080KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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BDJ2GA3MEFJ-LBH2 | ROHM Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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EP3CLS70F780I7N | Altera |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
NCE3080K |
Hersteller: NCE Power Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C; NCE3080K NCE POWER TNCE3080k
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C; NCE3080K NCE POWER TNCE3080k
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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100+ | 0.52 EUR |
SCT3080KLGC11 |
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Hersteller: ROHM - Japan
SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 51.32 EUR |
SCT3080KLGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 29.96 EUR |
10+ | 20.61 EUR |
100+ | 20.5 EUR |
SCT3080KLHRC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 33.9 EUR |
10+ | 25.91 EUR |
SCT3080KRC14 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 26.91 EUR |
10+ | 16.7 EUR |
100+ | 15.28 EUR |
SCT3080KRC15 |
![]() |
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 20.89 EUR |
10+ | 15.93 EUR |
100+ | 12.92 EUR |
450+ | 12.6 EUR |
SCT3080KRHRC15 |
![]() |
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80mohm 3rd Gen TO-247-4L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80mohm 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 21.51 EUR |
10+ | 16.39 EUR |
100+ | 13.89 EUR |
450+ | 12.95 EUR |
900+ | 11.53 EUR |
SCT3080KW7TL |
![]() |
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 27.49 EUR |
10+ | 21 EUR |
100+ | 20.96 EUR |
500+ | 20.93 EUR |
1000+ | 17.85 EUR |
NCE3080K Produktcode: 211602
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Stück im Wert von UAH
1330-80K |
![]() |
Hersteller: Delevan
RF Inductors - SMD 330uH 10% 7ohm Unshielded SMT Ind
RF Inductors - SMD 330uH 10% 7ohm Unshielded SMT Ind
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Stück im Wert von UAH
M1330-80K |
![]() |
Hersteller: Delevan
RF Inductors - SMD M83446/25-13F, Surface Mount, Inductor, 330 uH , +/- 10%
RF Inductors - SMD M83446/25-13F, Surface Mount, Inductor, 330 uH , +/- 10%
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MIL1330-80K |
![]() |
Hersteller: Delevan
RF Inductors - SMD M83446/33-13F, Surface Mount, Unshielded Inductor, 330 uH , +/- 10%
RF Inductors - SMD M83446/33-13F, Surface Mount, Unshielded Inductor, 330 uH , +/- 10%
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Stück im Wert von UAH
MKP1848H53080KK2 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Film Capacitors MKP1848H 3 F 10 800V=
Film Capacitors MKP1848H 3 F 10 800V=
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Stück im Wert von UAH
MKP1848H63080KY2 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MKP1848H63080KY5 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
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Stück im Wert von UAH
NGK3080KSE |
Hersteller: Eaton Electrical
Circuit Breakers NG 310+ 3P MCS, 800A, ENG TAPPED TERMS.
Circuit Breakers NG 310+ 3P MCS, 800A, ENG TAPPED TERMS.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NGK3080KSES09 |
Hersteller: Eaton Electrical
Circuit Breakers NG 3P 800A MCS W/110-240VAC ST
Circuit Breakers NG 3P 800A MCS W/110-240VAC ST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NGK3080KSEW02 |
Hersteller: Eaton Electrical
Circuit Breakers NG 800A 3P MCS MOD FOR WALK BEAM
Circuit Breakers NG 800A 3P MCS MOD FOR WALK BEAM
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NGK3080KSM |
Hersteller: Eaton Electrical
Circuit Breakers NG 310+ 3P MCS, 800A METRIC TAPPED TERMS
Circuit Breakers NG 310+ 3P MCS, 800A METRIC TAPPED TERMS
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3080KLGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3080KLGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3080KLHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3080KLHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SCT3080KW7TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3080KW7TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BDJ2GA3MEFJ-LBH2 |
![]() |
Hersteller: ROHM Semiconductor
LDO Voltage Regulators 300mA 14-4.5 Vin LDO Industrial HTSOP-J8
LDO Voltage Regulators 300mA 14-4.5 Vin LDO Industrial HTSOP-J8
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Stück im Wert von UAH
EP3CLS70F780I7N |
![]() |
Hersteller: Altera
FPGA - Field Programmable Gate Array
FPGA - Field Programmable Gate Array
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH