Suchergebnisse für "4n6" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 92 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
77+0.93 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
184+0.39 EUR
206+0.35 EUR
336+0.21 EUR
355+0.20 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
240+0.30 EUR
269+0.27 EUR
321+0.22 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
1000+1.09 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.38 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.30 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
55+1.32 EUR
59+1.23 EUR
60+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N60X IXFH24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.42 EUR
11+6.74 EUR
120+6.66 EUR
510+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.20 EUR
5+14.73 EUR
6+13.93 EUR
25+13.91 EUR
500+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.81 EUR
25+35.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
5+14.30 EUR
14+5.11 EUR
250+3.37 EUR
1000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
25+2.86 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS IXTP14N60X2_DS_1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
15+5.02 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.69 EUR
17+4.45 EUR
50+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
20+3.60 EUR
21+3.49 EUR
50+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.10 EUR
70+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60DM2 STF24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 ST en.DM00071944.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.45 EUR
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
250+2.20 EUR
500+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI4N62K3 STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
172+0.42 EUR
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60C2 INFINEON 09+ TO263
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60C3 INFINEON 09+ TO252-2.5
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60S5 INFINEON 09+ TO-252
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60S5 INFINEON TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
24N60C3
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
385 V; d14мм; (JVR-14N621K); Классиф. напряж.: 620V; Напряж.срабатывания: 385VAC; ±10%; 0,6 Вт
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT94N60L2C3 APT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF94N60 BYD
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA824N6E6327 Infineon technologies
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA824N6E6327XTSA1 Infineon BGA824N6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433f764301013f7b53cdd02721
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3
Produktcode: 37627
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

SPW24N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B
Produktcode: 27298
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 92 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 TO252.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
77+0.93 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
184+0.39 EUR
206+0.35 EUR
336+0.21 EUR
355+0.20 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
240+0.30 EUR
269+0.27 EUR
321+0.22 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
1000+1.09 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.38 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+13.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.30 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
55+1.32 EUR
59+1.23 EUR
60+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFH24N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.42 EUR
11+6.74 EUR
120+6.66 EUR
510+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.20 EUR
5+14.73 EUR
6+13.93 EUR
25+13.91 EUR
500+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.81 EUR
25+35.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFP14N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
5+14.30 EUR
14+5.11 EUR
250+3.37 EUR
1000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
25+2.86 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2_DS_1.pdf
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
15+5.02 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.69 EUR
17+4.45 EUR
50+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
20+3.60 EUR
21+3.49 EUR
50+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M media?resourcetype=datasheets&itemid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
IXTY14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.10 EUR
70+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 description
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STF24N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 en.DM00071944.pdf
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STF24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.45 EUR
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
250+2.20 EUR
500+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI4N62K3 en.CD00274723.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
172+0.42 EUR
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STP24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60C2
Hersteller: INFINEON
09+ TO263
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60C3
Hersteller: INFINEON
09+ TO252-2.5
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60S5
Hersteller: INFINEON
09+ TO-252
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
04N60S5
Hersteller: INFINEON
TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
24N60C3
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT94N60L2C3
Hersteller: APT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF94N60
Hersteller: BYD
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA824N6E6327
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA824N6E6327XTSA1 BGA824N6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433f764301013f7b53cdd02721
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  Nächste Seite >> ]