Suchergebnisse für "4n6" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 66 Stück
7 Stück - stock Köln
59 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
343+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
221+0.32 EUR
247+0.29 EUR
293+0.24 EUR
327+0.22 EUR
480+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
248+0.29 EUR
278+0.26 EUR
329+0.22 EUR
368+0.19 EUR
525+0.17 EUR
975+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+11.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
70+1.03 EUR
76+0.95 EUR
300+0.85 EUR
900+0.75 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
104+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
50+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.94 EUR
11+6.58 EUR
30+6.15 EUR
120+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.04 EUR
10+13.69 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.61 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
50+1.64 EUR
100+1.49 EUR
250+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.62 EUR
14+5.11 EUR
50+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.12 EUR
50+4.45 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.09 EUR
21+3.42 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.71 EUR
8+9.62 EUR
10+8.51 EUR
30+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
70+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8EB9E7A306745&compId=STB24N60DM2.pdf?ci_sign=04c9e3041ef10b629721e6e10e2d2b0753e04395 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.99 EUR
28+2.65 EUR
50+2.22 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 ST en.DM00071944.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
39+1.84 EUR
50+1.66 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI4N62K3 STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
121+0.59 EUR
186+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
24+3.09 EUR
30+2.43 EUR
50+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60M2 STW24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
169+0.42 EUR
200+0.36 EUR
229+0.31 EUR
247+0.29 EUR
256+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK14N60C2 WMK14N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
43+1.7 EUR
53+1.36 EUR
70+1.03 EUR
100+0.92 EUR
250+0.86 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK4N65D1B WMK4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
268+0.27 EUR
286+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML04N60PC4 WML04N60PC4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 1.6A; Idm: 7A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 18W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
134+0.53 EUR
224+0.32 EUR
261+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML14N60C4 WML14N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
52+1.39 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
100+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML14N65C4 WML14N65C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8B8D13C79D98E0D5&compId=WMx14N65C4.pdf?ci_sign=7d06778ea3b30f4c5290ba3e47c6d80aa415de0f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
79+0.92 EUR
100+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM14N60C2 WMM14N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
800+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO14N60C2 WMO14N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
168+0.43 EUR
170+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP04N65C2 WMP04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
220+0.33 EUR
246+0.29 EUR
275+0.26 EUR
480+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP14N60C2 WMP14N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
111+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP14N65C2 WMP14N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DED01C6FE2DC0C4&compId=WMx14N65C2.pdf?ci_sign=04f76e7286b0eab995cbfd1286f100007c00263c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
72+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3
Produktcode: 37627
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

SPW24N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B
Produktcode: 27298
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 66 Stück
7 Stück - stock Köln
59 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 TO252.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
343+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
221+0.32 EUR
247+0.29 EUR
293+0.24 EUR
327+0.22 EUR
480+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
248+0.29 EUR
278+0.26 EUR
329+0.22 EUR
368+0.19 EUR
525+0.17 EUR
975+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D DL4N-680
Hersteller: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+11.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
70+1.03 EUR
76+0.95 EUR
300+0.85 EUR
900+0.75 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
104+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
50+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
11+6.58 EUR
30+6.15 EUR
120+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.04 EUR
10+13.69 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFP34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.61 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
50+1.64 EUR
100+1.49 EUR
250+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
14+5.11 EUR
50+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.12 EUR
50+4.45 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.09 EUR
21+3.42 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.71 EUR
8+9.62 EUR
10+8.51 EUR
30+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
70+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 description
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB24N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8EB9E7A306745&compId=STB24N60DM2.pdf?ci_sign=04c9e3041ef10b629721e6e10e2d2b0753e04395
STB24N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.99 EUR
28+2.65 EUR
50+2.22 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 en.DM00071944.pdf
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STF24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
39+1.84 EUR
50+1.66 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
31+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI4N62K3 en.CD00274723.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+0.59 EUR
186+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STP24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
24+3.09 EUR
30+2.43 EUR
50+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STW24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370
WMF04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
169+0.42 EUR
200+0.36 EUR
229+0.31 EUR
247+0.29 EUR
256+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK14N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85
WMK14N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
43+1.7 EUR
53+1.36 EUR
70+1.03 EUR
100+0.92 EUR
250+0.86 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK4N65D1B
WMK4N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
268+0.27 EUR
286+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML04N60PC4
WML04N60PC4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 1.6A; Idm: 7A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 18W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
134+0.53 EUR
224+0.32 EUR
261+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML14N60C4
WML14N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
52+1.39 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
100+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML14N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8B8D13C79D98E0D5&compId=WMx14N65C4.pdf?ci_sign=7d06778ea3b30f4c5290ba3e47c6d80aa415de0f
WML14N65C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
79+0.92 EUR
100+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM14N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85
WMM14N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
800+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO14N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85
WMO14N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
168+0.43 EUR
170+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP04N65C2
WMP04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
220+0.33 EUR
246+0.29 EUR
275+0.26 EUR
480+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP14N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECFA798FFCC0C4&compId=WMx14N60C2.pdf?ci_sign=b819e79c003991ca9b13e3ef08e17c81b6f7de85
WMP14N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
111+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP14N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DED01C6FE2DC0C4&compId=WMx14N65C2.pdf?ci_sign=04f76e7286b0eab995cbfd1286f100007c00263c
WMP14N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
72+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]