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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPU04N60C3 TO-251-3 Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPW24N60C3 Produktcode: 37627
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Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 650 Idd,A: 24.03.2015 Rds(on), Ohm: 0.16 Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 JHGF: THT |
auf Bestellung 28 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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![]() |
SSS4N60B Produktcode: 27298
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Lieblingsprodukt
|
FS |
![]() Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 02.03.2015 Rds(on), Ohm: 02.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 710/22 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
auf Bestellung 92 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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4N60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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4N60 AAT | TO-220/F 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
AOD4N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT4N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF4N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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![]() |
AOTF4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP4N65D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BXP4N65F | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 37W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP4N65U | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2254 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1439 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1283 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D DL4N-680 | BOCHEN |
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCD4N60TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCH104N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQA24N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
FQA24N60 | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO251 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD04N60R | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFA24N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH24N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH34N60X2A | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK64N60Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP14N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP14N60X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP24N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 390ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP24N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 390ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ34N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 40W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTY14N60X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IXTY4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP24N60C3 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: FDmesh™ II Plus Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF24N60M2 | ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF24N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF24N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STI4N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP24N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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04N60C2 | INFINEON | 09+ TO263 |
auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
04N60C3 | INFINEON | 09+ TO252-2.5 |
auf Bestellung 2359 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
04N60S5 | INFINEON | 09+ TO-252 |
auf Bestellung 8130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
04N60S5 | INFINEON | TO-252 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
24N60C3 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
385 V; d14мм; (JVR-14N621K); Классиф. напряж.: 620V; Напряж.срабатывания: 385VAC; ±10%; 0,6 Вт |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
APT94N60L2C3 | APT |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BF94N60 | BYD |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BGA824N6E6327 | Infineon technologies |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BGA824N6E6327XTSA1 | Infineon |
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auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
SPU04N60C3 TO-251-3 Produktcode: 161246
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Lieblingsprodukt
|
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW24N60C3 Produktcode: 37627
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SSS4N60B Produktcode: 27298
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 92 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.26 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
4N60 |
Hersteller: to-220/f
AAT
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
4N60 AAT |
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOD4N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 2.48 EUR |
AOT4N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.21 EUR |
AOTF4N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.57 EUR |
AOTF4N60 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
66+ | 1.09 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
BXP4N65D |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BXP4N65F |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
184+ | 0.39 EUR |
206+ | 0.35 EUR |
336+ | 0.21 EUR |
355+ | 0.20 EUR |
2500+ | 0.19 EUR |
BXP4N65U |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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186+ | 0.39 EUR |
240+ | 0.30 EUR |
269+ | 0.27 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.25 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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200+ | 0.25 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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200+ | 0.25 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.25 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.25 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.25 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.25 EUR |
D DL4N-680 |
Hersteller: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH D DL4N-680
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.25 EUR |
FCD4N60TM |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.63 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
1000+ | 1.09 EUR |
2500+ | 1.06 EUR |
FCH104N60F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.38 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
FQA24N60 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FQA24N60 |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 13.35 EUR |
IGU04N60TAKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.30 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
1800+ | 0.71 EUR |
IKD04N60R |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.36 EUR |
IKP04N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.80 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
IXFA24N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.05 EUR |
12+ | 6.35 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
IXFH24N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
IXFH34N60X2A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
10+ | 7.58 EUR |
IXFH34N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.42 EUR |
11+ | 6.74 EUR |
120+ | 6.66 EUR |
510+ | 6.46 EUR |
IXFK64N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.20 EUR |
5+ | 14.73 EUR |
6+ | 13.93 EUR |
25+ | 13.91 EUR |
500+ | 13.38 EUR |
IXFK64N60Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.81 EUR |
25+ | 35.18 EUR |
IXFP14N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
250+ | 3.37 EUR |
1000+ | 3.26 EUR |
IXTA4N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 5.96 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
1000+ | 1.77 EUR |
IXTP14N60X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.56 EUR |
15+ | 5.02 EUR |
16+ | 4.46 EUR |
IXTP24N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.13 EUR |
13+ | 5.52 EUR |
16+ | 4.69 EUR |
17+ | 4.45 EUR |
50+ | 4.39 EUR |
IXTP24N65X2M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.39 EUR |
20+ | 3.60 EUR |
21+ | 3.49 EUR |
50+ | 3.36 EUR |
IXTP4N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.65 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
100+ | 1.79 EUR |
IXTQ34N65X2M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.55 EUR |
9+ | 8.14 EUR |
IXTY14N60X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTY4N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.10 EUR |
70+ | 1.72 EUR |
SPP24N60C3 | ![]() |
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 10.54 EUR |
STF24N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 5.96 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
STF24N60M2 |
![]() |
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 5.05 EUR |
STF24N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.45 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
30+ | 2.39 EUR |
31+ | 2.37 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
STF24N65M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.53 EUR |
31+ | 2.37 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
250+ | 2.20 EUR |
500+ | 2.16 EUR |
STI4N62K3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
STI4N62K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
180+ | 0.40 EUR |
STP24N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
04N60C2 |
Hersteller: INFINEON
09+ TO263
09+ TO263
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
04N60C3 |
Hersteller: INFINEON
09+ TO252-2.5
09+ TO252-2.5
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
04N60S5 |
Hersteller: INFINEON
09+ TO-252
09+ TO-252
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
04N60S5 |
Hersteller: INFINEON
TO-252
TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
385 V; d14мм; (JVR-14N621K); Классиф. напряж.: 620V; Напряж.срабатывания: 385VAC; ±10%; 0,6 Вт |
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт |
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT94N60L2C3 |
Hersteller: APT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BF94N60 |
Hersteller: BYD
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA824N6E6327 |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA824N6E6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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