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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
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FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 6 St.
3 St. - stock Köln
3 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15C24-N60 15C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2534.91 EUR
5+2231.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2451.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2059.96 EUR
5+1862.24 EUR
10+1844.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2190.71 EUR
5+1980.44 EUR
10+1962.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+3292.7 EUR
5+3023.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1971.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+2.5 EUR
25+2.27 EUR
100+2.18 EUR
250+2.06 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.37 EUR
38+1.89 EUR
44+1.66 EUR
59+1.22 EUR
100+1.09 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 4118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.53 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F onsemi fch104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.67 EUR
10+7.39 EUR
120+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 onsemi fcp104n60-d.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
10+5.56 EUR
100+5.09 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F onsemi fcp104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.82 EUR
10+5.81 EUR
100+5.24 EUR
500+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.92 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ON-Semiconductor info-tfqa24n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.36 EUR
10+8.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
75+0.96 EUR
106+0.67 EUR
122+0.59 EUR
200+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 13026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.19 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.34 EUR
100+0.92 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
73+0.98 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.05 EUR
10+7.39 EUR
100+5.93 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.16 EUR
10+8.57 EUR
120+6.92 EUR
510+5.9 EUR
1020+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.58 EUR
10+28.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.53 EUR
10+13.99 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.53 EUR
10+22.23 EUR
100+22.21 EUR
500+21.1 EUR
1000+20.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.6 EUR
10+46.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.68 EUR
10+7.16 EUR
100+5.76 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.76 EUR
10+34.2 EUR
120+27.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.57 EUR
10+18.66 EUR
120+17.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
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8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 230 Stücke:
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IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 180W
Gate-source voltage: ±30V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
auf Bestellung 342 Stücke:
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13+5.51 EUR
17+4.25 EUR
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PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
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PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
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SiHA14N60E-E3 SiHA14N60E-E3 Vishay / Siliconix siha14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHD14N60E-BE3 SIHD14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
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SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 361 Stücke:
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25+2.93 EUR
32+2.27 EUR
36+2 EUR
75+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 11342 Stücke:
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1+4.91 EUR
10+2.31 EUR
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500+1.78 EUR
1000+1.72 EUR
3000+1.66 EUR
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SIHD1K4N60E-GE3 SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd1k4n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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1+2.96 EUR
10+1.85 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihh14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 3984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.5 EUR
10+4.96 EUR
100+3.52 EUR
500+3.06 EUR
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SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2996 Stücke:
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1+9.05 EUR
10+6.04 EUR
100+4.35 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.82 EUR
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SIHP14N60E-BE3 SIHP14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp14n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
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1+5.02 EUR
10+2.5 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.68 EUR
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SIHP14N60E-GE3 SIHP14N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
10+3.31 EUR
100+2.31 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.83 EUR
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SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.57 EUR
10+2.31 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.89 EUR
17+4.4 EUR
25+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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SPW24N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B
Produktcode: 27298
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 6 St.
3 St. - stock Köln
3 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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15C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
15C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2534.91 EUR
5+2231.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf
25C24-N60-I5-AD-DA
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2451.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2059.96 EUR
5+1862.24 EUR
10+1844.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60-I5
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2190.71 EUR
5+1980.44 EUR
10+1962.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C24-N60-I5-DA ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
30C24-N60-I5-DA
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3292.7 EUR
5+3023.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
4C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1971.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Hersteller: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.87 EUR
10+2.5 EUR
25+2.27 EUR
100+2.18 EUR
250+2.06 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 info-taod4n60.pdf
AOD4N60
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 info-taot4n60.pdf
AOT4N60
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
AOTF4N60
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
38+1.89 EUR
44+1.66 EUR
59+1.22 EUR
100+1.09 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 4118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.94 EUR
10+2.53 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.67 EUR
10+7.39 EUR
120+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 fcp104n60-d.pdf
FCP104N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.7 EUR
10+5.56 EUR
100+5.09 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.82 EUR
10+5.81 EUR
100+5.24 EUR
500+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.92 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FQA24N60 info-tfqa24n60.pdf
FQA24N60
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.36 EUR
10+8.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
IKD04N60R
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
75+0.96 EUR
106+0.67 EUR
122+0.59 EUR
200+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 13026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+1.19 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.34 EUR
100+0.92 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
73+0.98 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.05 EUR
10+7.39 EUR
100+5.93 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.16 EUR
10+8.57 EUR
120+6.92 EUR
510+5.9 EUR
1020+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+39.58 EUR
10+28.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.53 EUR
10+13.99 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.53 EUR
10+22.23 EUR
100+22.21 EUR
500+21.1 EUR
1000+20.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+60.6 EUR
10+46.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.68 EUR
10+7.16 EUR
100+5.76 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFX64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+44.76 EUR
10+34.2 EUR
120+27.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFX64N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.57 EUR
10+18.66 EUR
120+17.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTP14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.33 EUR
10+6.35 EUR
100+4.88 EUR
500+4.59 EUR
1000+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTQ14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.3 EUR
10+7.57 EUR
120+6.07 EUR
510+5.14 EUR
1020+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 180W
Gate-source voltage: ±30V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
17+4.25 EUR
25+3.73 EUR
70+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.29 EUR
10+10.44 EUR
120+8.59 EUR
510+7.66 EUR
1020+7.34 EUR
2520+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.37 EUR
10+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHA14N60E-E3 siha14n60e.pdf
SiHA14N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.12 EUR
10+3.33 EUR
100+2.32 EUR
500+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD14N60E-BE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.93 EUR
10+2.76 EUR
100+2.15 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
32+2.27 EUR
36+2 EUR
75+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 11342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.91 EUR
10+2.31 EUR
100+2.09 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.72 EUR
3000+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD1K4N60E-GE3 sihd1k4n60e.pdf
SIHD1K4N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+1.85 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
SIHH14N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 3984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.5 EUR
10+4.96 EUR
100+3.52 EUR
500+3.06 EUR
3000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
SiHH14N60EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.05 EUR
10+6.04 EUR
100+4.35 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP14N60E-BE3 sihp14n60e.pdf
SIHP14N60E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.02 EUR
10+2.5 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP14N60E-GE3 sihp14n60e.pdf
SIHP14N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.12 EUR
10+3.31 EUR
100+2.31 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N60C3ATMA1 Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.57 EUR
10+2.31 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
17+4.4 EUR
25+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 description
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+10.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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