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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 27 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
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FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 92 Stück
7 Stück - stock Köln
85 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24-3326458.pdf Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1811.67 EUR
5+1499.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N-3531874.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.15 EUR
10+2.71 EUR
50+2.45 EUR
100+2.34 EUR
250+2.2 EUR
1000+1.85 EUR
5000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild fcd4n60-d.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+2.32 EUR
100+1.52 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.38 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.38 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild fch104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.31 EUR
10+5.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild fch104n60f_f085-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+6.12 EUR
120+5.23 EUR
1020+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild fcp104n60-d.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.05 EUR
10+6.27 EUR
100+5.54 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild fcp104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.15 EUR
10+4.72 EUR
100+4.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.55 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
30+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.55 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
30+6.82 EUR
120+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.6 EUR
10+8.01 EUR
120+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60T Infineon Technologies Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.02 EUR
100+0.86 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.56 EUR
4500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
65+1.1 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 6432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 9901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.16 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.3 EUR
100+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.54 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60T IKP04N60T Infineon Technologies Infineon_IKP04N60T_DS_v02_04_EN-3361945.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+1.55 EUR
100+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
43+1.69 EUR
47+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
43+1.69 EUR
47+1.52 EUR
100+1.2 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+5.17 EUR
500+5.07 EUR
1000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.98 EUR
10+7.02 EUR
120+5.91 EUR
510+5.61 EUR
1020+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N60X IXYS IXFH24N60X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
30+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS media-3322026.pdf MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.62 EUR
10+26.91 EUR
100+25.1 EUR
500+24.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.3 EUR
6+13.38 EUR
100+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.3 EUR
6+13.38 EUR
100+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS media-3319429.pdf MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.75 EUR
10+16.79 EUR
100+15.61 EUR
500+15.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS media-3319465.pdf description MOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.98 EUR
10+40.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf IXFP14N60P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
13+5.51 EUR
1000+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+7.23 EUR
100+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS media-3322026.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.52 EUR
10+25.75 EUR
510+25.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS media-3319429.pdf MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.44 EUR
10+17.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS media-3320168.pdf MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+4.77 EUR
500+4.66 EUR
1000+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS media-3320168.pdf MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
510+5.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
19+3.76 EUR
140+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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SPW24N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 27 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B
Produktcode: 27298
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 92 Stück
7 Stück - stock Köln
85 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24-3326458.pdf
2C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1811.67 EUR
5+1499.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-3531874.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Hersteller: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.15 EUR
10+2.71 EUR
50+2.45 EUR
100+2.34 EUR
250+2.2 EUR
1000+1.85 EUR
5000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 TO252.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
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67+1.07 EUR
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FCD4N60TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
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500+1.31 EUR
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FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 75 Stücke:
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8+9.38 EUR
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FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
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8+9.38 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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FCH104N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET
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FCH104N60F-F085 fch104n60f_f085-d.pdf
FCH104N60F-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
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10+6.12 EUR
120+5.23 EUR
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FCP104N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
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1000+5.07 EUR
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FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
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1+8.15 EUR
10+4.72 EUR
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FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.55 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
30+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.55 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
30+6.82 EUR
120+6.69 EUR
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FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Anzahl Preis
4+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
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1+12.6 EUR
10+8.01 EUR
120+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60T Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 2321 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.02 EUR
100+0.86 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.56 EUR
4500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
66+1.09 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
65+1.1 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf
IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 6432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 9901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.73 EUR
10+1.16 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf
IKD04N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.3 EUR
100+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.54 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60T Infineon_IKP04N60T_DS_v02_04_EN-3361945.pdf
IKP04N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+1.55 EUR
100+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
43+1.69 EUR
47+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
43+1.69 EUR
47+1.52 EUR
100+1.2 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P media-3322041.pdf
IXFA14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.49 EUR
10+5.17 EUR
500+5.07 EUR
1000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P media-3322041.pdf
IXFH14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.98 EUR
10+7.02 EUR
120+5.91 EUR
510+5.61 EUR
1020+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N60X
Hersteller: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
30+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P media-3322026.pdf
IXFK64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.62 EUR
10+26.91 EUR
100+25.1 EUR
500+24.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.3 EUR
6+13.38 EUR
100+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.3 EUR
6+13.38 EUR
100+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 media-3319429.pdf
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.75 EUR
10+16.79 EUR
100+15.61 EUR
500+15.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60P description media-3319465.pdf
IXFN64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+53.98 EUR
10+40.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP14N60P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
13+5.51 EUR
1000+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P media-3322041.pdf
IXFP14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.28 EUR
10+7.23 EUR
100+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P media-3322026.pdf
IXFX64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.52 EUR
10+25.75 EUR
510+25.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 media-3319429.pdf
IXFX64N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.44 EUR
10+17.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P media-3320168.pdf
IXTP14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.69 EUR
10+4.77 EUR
500+4.66 EUR
1000+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P media-3320168.pdf
IXTQ14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.3 EUR
510+5.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
19+3.76 EUR
140+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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