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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPU04N60C3 TO-251-3 Produktcode: 161246
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPW24N60C3 Produktcode: 37627
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 650 Idd,A: 24.03.2015 Rds(on), Ohm: 0.16 Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 JHGF: THT |
auf Bestellung 27 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SSS4N60B Produktcode: 27298
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Lieblingsprodukt
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FS |
![]() Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 02.03.2015 Rds(on), Ohm: 02.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 710/22 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
verfügbar: 92 Stück
7 Stück - stock Köln
85 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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4N60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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4N60 AAT | TO-220/F 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U | ABRACON |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AOD4N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT4N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
AOTF4N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP4N60D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCD4N60TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCD4N60TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCD4N60TM | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 3135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH104N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCH104N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCH104N60F | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 2209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH104N60F-F085 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP104N60 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP104N60F | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQA24N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 145nC Technology: QFET® |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA24N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 145nC Technology: QFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQA24N60 | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQA24N60 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGU04N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO251 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO251 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD04N60R | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKN04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP04N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFA14N60P | IXYS |
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auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFA24N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA24N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH14N60P | IXYS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH24N60X | IXYS | IXFH24N60X THT N channel transistors |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH34N60X2A | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns Application: automotive industry |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH34N60X2A | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P | IXYS |
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auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | IXYS |
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auf Bestellung 1075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK64N60Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK64N60Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN64N60P | IXYS |
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auf Bestellung 1011 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFP14N60P | IXYS |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP14N60P | IXYS |
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auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX64N60P | IXYS |
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auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX64N60P3 | IXYS |
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auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP14N60P | IXYS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP14N60X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP14N60X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ14N60P | IXYS |
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auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTY14N60X2 | IXYS |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPU04N60C3 TO-251-3 Produktcode: 161246
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Lieblingsprodukt
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auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW24N60C3 Produktcode: 37627
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 27 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SSS4N60B Produktcode: 27298
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 92 Stück
7 Stück - stock Köln
85 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
85 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.26 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
4N60 |
Hersteller: to-220/f
AAT
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
4N60 AAT |
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2C24-N60 |
![]() |
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1811.67 EUR |
5+ | 1499.85 EUR |
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U |
![]() |
Hersteller: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.15 EUR |
10+ | 2.71 EUR |
50+ | 2.45 EUR |
100+ | 2.34 EUR |
250+ | 2.2 EUR |
1000+ | 1.85 EUR |
5000+ | 1.78 EUR |
AOD4N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.31 EUR |
AOT4N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.13 EUR |
AOTF4N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOTF4N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.46 EUR |
BXP4N60D |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.57 EUR |
157+ | 0.46 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
304+ | 0.24 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
FCD4N60TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.36 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
500+ | 1.04 EUR |
FCD4N60TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.36 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
500+ | 1.04 EUR |
FCD4N60TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.43 EUR |
10+ | 2.32 EUR |
100+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.31 EUR |
1000+ | 1.21 EUR |
2500+ | 1.19 EUR |
FCH104N60F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.38 EUR |
12+ | 6.12 EUR |
FCH104N60F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.38 EUR |
12+ | 6.12 EUR |
FCH104N60F |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET
MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.31 EUR |
10+ | 5.72 EUR |
FCH104N60F-F085 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.03 EUR |
10+ | 6.12 EUR |
120+ | 5.23 EUR |
1020+ | 5.17 EUR |
FCP104N60 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.05 EUR |
10+ | 6.27 EUR |
100+ | 5.54 EUR |
1000+ | 5.07 EUR |
FCP104N60F |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.15 EUR |
10+ | 4.72 EUR |
100+ | 4.63 EUR |
FQA24N60 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.55 EUR |
10+ | 7.35 EUR |
11+ | 6.95 EUR |
30+ | 6.82 EUR |
FQA24N60 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.55 EUR |
10+ | 7.35 EUR |
11+ | 6.95 EUR |
30+ | 6.82 EUR |
120+ | 6.69 EUR |
FQA24N60 |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 12.48 EUR |
FQA24N60 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.6 EUR |
10+ | 8.01 EUR |
120+ | 7.52 EUR |
IGU04N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.15 EUR |
10+ | 1.02 EUR |
100+ | 0.86 EUR |
500+ | 0.7 EUR |
1000+ | 0.63 EUR |
1500+ | 0.56 EUR |
4500+ | 0.54 EUR |
IGU04N60TAKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.3 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
IGU04N60TAKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.3 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
1800+ | 0.71 EUR |
IKD04N60R |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.21 EUR |
IKD04N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
IKD04N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 6432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.9 EUR |
10+ | 1.18 EUR |
100+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.6 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
2500+ | 0.49 EUR |
5000+ | 0.48 EUR |
IKD04N60RC2ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 9901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.73 EUR |
10+ | 1.16 EUR |
100+ | 0.76 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
2500+ | 0.48 EUR |
5000+ | 0.46 EUR |
IKD04N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.11 EUR |
10+ | 1.3 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.68 EUR |
1000+ | 0.59 EUR |
2500+ | 0.54 EUR |
5000+ | 0.49 EUR |
IKN04N60RC2ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.54 EUR |
10+ | 0.96 EUR |
100+ | 0.62 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
3000+ | 0.4 EUR |
6000+ | 0.35 EUR |
IKP04N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.96 EUR |
10+ | 1.55 EUR |
100+ | 1.27 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
1000+ | 0.88 EUR |
2500+ | 0.84 EUR |
5000+ | 0.77 EUR |
IKP04N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.57 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
47+ | 1.52 EUR |
IKP04N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.57 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
47+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.2 EUR |
500+ | 1.16 EUR |
IXFA14N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.49 EUR |
10+ | 5.17 EUR |
500+ | 5.07 EUR |
1000+ | 4.72 EUR |
IXFA24N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.05 EUR |
12+ | 6.35 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
IXFA24N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.05 EUR |
12+ | 6.35 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
IXFH14N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.98 EUR |
10+ | 7.02 EUR |
120+ | 5.91 EUR |
510+ | 5.61 EUR |
1020+ | 5.49 EUR |
IXFH24N60X |
Hersteller: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
IXFH24N60X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
30+ | 6.35 EUR |
IXFH34N60X2A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
IXFH34N60X2A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
10+ | 7.44 EUR |
IXFK64N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A
MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 34.62 EUR |
10+ | 26.91 EUR |
100+ | 25.1 EUR |
500+ | 24.92 EUR |
IXFK64N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.3 EUR |
6+ | 13.38 EUR |
100+ | 13.2 EUR |
IXFK64N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.3 EUR |
6+ | 13.38 EUR |
100+ | 13.2 EUR |
IXFK64N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 25.75 EUR |
10+ | 16.79 EUR |
100+ | 15.61 EUR |
500+ | 15.56 EUR |
IXFK64N60Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.26 EUR |
IXFK64N60Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.26 EUR |
IXFN64N60P | ![]() |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
MOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 53.98 EUR |
10+ | 40.52 EUR |
IXFP14N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFP14N60P THT N channel transistors
IXFP14N60P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
1000+ | 3.4 EUR |
IXFP14N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.28 EUR |
10+ | 7.23 EUR |
100+ | 4.49 EUR |
IXFX64N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 29.52 EUR |
10+ | 25.75 EUR |
510+ | 25.24 EUR |
IXFX64N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 22.44 EUR |
10+ | 17.56 EUR |
IXTP14N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.69 EUR |
10+ | 4.77 EUR |
500+ | 4.66 EUR |
1000+ | 4.33 EUR |
IXTP14N60X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.79 EUR |
16+ | 4.46 EUR |
IXTP14N60X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.79 EUR |
16+ | 4.46 EUR |
500+ | 3.66 EUR |
IXTQ14N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.3 EUR |
510+ | 5.19 EUR |
IXTY14N60X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.85 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
140+ | 3.4 EUR |
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