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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PG-TO247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 24,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/104
Montage: THT
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+11.16 EUR
10+10.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
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FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/22
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 102 St.
  • 102 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.5 EUR
10+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB24N60DM2
Produktcode: 223313
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en.DM00099972.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60L 4N60L UMW ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
50+0.75 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60L 4N60L UMW ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15C24-N60 15C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3016.38 EUR
5+2708.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20C24-N60 20C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3607.19 EUR
5+3229.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3176.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2451.35 EUR
5+2216.07 EUR
10+2195.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2606.94 EUR
5+2356.72 EUR
10+2334.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3918.31 EUR
5+3598.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2549.6 EUR
10+2419.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8C24-N60 8C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3016.54 EUR
5+2713.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.62 EUR
25+3.44 EUR
100+3.12 EUR
250+2.89 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
85+1 EUR
100+0.88 EUR
250+0.8 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.93 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 13.2nC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.63 EUR
169+0.5 EUR
190+0.45 EUR
226+0.38 EUR
250+0.35 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI FCD4N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.18 EUR
34+2.53 EUR
39+2.19 EUR
55+1.57 EUR
100+1.38 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.12 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+2.39 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI FCH104N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.54 EUR
11+7.79 EUR
13+6.58 EUR
30+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.16 EUR
10+8.13 EUR
120+7.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.1 EUR
30+8.83 EUR
60+8.08 EUR
120+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi FCH104N60F_F085-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.97 EUR
10+8.1 EUR
120+7.28 EUR
1020+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.44 EUR
10+6.7 EUR
100+6.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.4 EUR
10+8.38 EUR
50+6.65 EUR
100+6.1 EUR
500+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.9 EUR
10+8.73 EUR
50+6.95 EUR
100+6.38 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+7 EUR
100+6.37 EUR
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FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.6 EUR
10+8.78 EUR
11+8.08 EUR
30+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FQA24N60 FQA24N60 ON-Semiconductor info-tfqa24n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.73 EUR
10+9.07 EUR
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FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.65 EUR
30+9.82 EUR
60+9 EUR
120+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.55 EUR
75+1.14 EUR
106+0.8 EUR
122+0.7 EUR
200+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies infineon_ikd04n60r_ds_en.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 10160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
7500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 7705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies infineon_ikd04n60rf_ds_en.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies neon_an2020_18_introduction_to_discrete_650v_igbt6_and_600v_rc_igbt_families_applicationnotes_en.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 3229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.87 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.07 EUR
73+1.17 EUR
85+1 EUR
90+0.95 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKU04N60R IKU04N60R Infineon Technologies INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
457+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.88 EUR
10+6.87 EUR
100+5.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n60p-datasheet?assetguid=9b66dd8c-b998-4e01-b450-afadebd1db30 Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.82 EUR
10+8.63 EUR
50+6.83 EUR
100+6.26 EUR
500+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 47nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.78 EUR
13+7 EUR
14+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.74 EUR
10+9.15 EUR
120+8.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS 99442.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.61 EUR
25+32.51 EUR
50+30.31 EUR
100+28.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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SPW24N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PG-TO247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 24,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/104
Montage: THT
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.16 EUR
10+10.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B
Produktcode: 27298
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ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/22
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 102 St.
  • 102 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.5 EUR
10+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB24N60DM2
Produktcode: 223313
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en.DM00099972.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60L ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf
4N60L
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
50+0.75 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60L ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf
4N60L
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15C24-N60
15C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3016.38 EUR
5+2708.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20C24-N60
20C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3607.19 EUR
5+3229.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf
25C24-N60-I5-AD-DA
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3176.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2451.35 EUR
5+2216.07 EUR
10+2195.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60-I5
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2606.94 EUR
5+2356.72 EUR
10+2334.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C24-N60-I5-DA
30C24-N60-I5-DA
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3918.31 EUR
5+3598.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
4C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2549.6 EUR
10+2419.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8C24-N60
8C24-N60
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3016.54 EUR
5+2713.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Hersteller: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.19 EUR
10+3.62 EUR
25+3.44 EUR
100+3.12 EUR
250+2.89 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 info-taod4n60.pdf
AOD4N60
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+1.75 EUR
85+1 EUR
100+0.88 EUR
250+0.8 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 info-taot4n60.pdf
AOT4N60
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
AOTF4N60
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60L AOTF4N60.pdf
AOTF4N60L
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.06 EUR
11+1.93 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 13.2nC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+0.63 EUR
169+0.5 EUR
190+0.45 EUR
226+0.38 EUR
250+0.35 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+3.18 EUR
34+2.53 EUR
39+2.19 EUR
55+1.57 EUR
100+1.38 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.86 EUR
10+3.12 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.88 EUR
10+2.39 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+8.54 EUR
11+7.79 EUR
13+6.58 EUR
30+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.16 EUR
10+8.13 EUR
120+7.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.1 EUR
30+8.83 EUR
60+8.08 EUR
120+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085-D.PDF
FCH104N60F-F085
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.97 EUR
10+8.1 EUR
120+7.28 EUR
1020+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.44 EUR
10+6.7 EUR
100+6.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.4 EUR
10+8.38 EUR
50+6.65 EUR
100+6.1 EUR
500+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.9 EUR
10+8.73 EUR
50+6.95 EUR
100+6.38 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.95 EUR
10+7 EUR
100+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+9.6 EUR
10+8.78 EUR
11+8.08 EUR
30+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 info-tfqa24n60.pdf
FQA24N60
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+13.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.73 EUR
10+9.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.65 EUR
30+9.82 EUR
60+9 EUR
120+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
IKD04N60R
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+1.55 EUR
75+1.14 EUR
106+0.8 EUR
122+0.7 EUR
200+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 infineon_ikd04n60r_ds_en.pdf
IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 10160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.67 EUR
10+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
7500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 7705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.62 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
IKD04N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 infineon_ikd04n60rf_ds_en.pdf
IKD04N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
IKN04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 neon_an2020_18_introduction_to_discrete_650v_igbt6_and_600v_rc_igbt_families_applicationnotes_en.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 3229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.87 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+2.07 EUR
73+1.17 EUR
85+1 EUR
90+0.95 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKU04N60R INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKU04N60R
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
457+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.88 EUR
10+6.87 EUR
100+5.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n60p-datasheet?assetguid=9b66dd8c-b998-4e01-b450-afadebd1db30
IXFA14N60P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.82 EUR
10+8.63 EUR
50+6.83 EUR
100+6.26 EUR
500+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 47nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+7.78 EUR
13+7 EUR
14+6.18 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 129 Stücke:
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1+14.74 EUR
10+9.15 EUR
120+8.23 EUR
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IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+85.08 EUR
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IXFK64N60P 99442.pdf
IXFK64N60P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 334 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+49.61 EUR
25+32.51 EUR
50+30.31 EUR
100+28.45 EUR
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