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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SPU04N60C3 TO-251-3 Produktcode: 161246 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPW24N60C3 Produktcode: 37627 |
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 650 Idd,A: 24.03.2015 Rds(on), Ohm: 0.16 Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 JHGF: THT |
auf Bestellung 38 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SSS4N60B Produktcode: 27298 |
FS |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 02.03.2015 Rds(on), Ohm: 02.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 710/22 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
verfügbar: 31 Stück
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4N60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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4N60 AAT | TO-220/F 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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25C24-N60-I5-AD-DA | Advanced Energy | Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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4C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt | Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AOD4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOTF4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF4N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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APT94N60L2C3G | Microchip Technology | MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BXP4N60D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BXP4N60D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCD4N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET |
auf Bestellung 3656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCH104N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET |
auf Bestellung 3882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH104N60F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP104N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET SuperFET2 600V Fast ver |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP104N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA24N60 | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGU04N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD04N60R | Infineon |
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
auf Bestellung 4076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 10781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKN04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 2994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP04N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A |
auf Bestellung 1091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFA14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFA24N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH24N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH34N60X2A | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 540W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 68A Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 164ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK44N60 | IXYS | MOSFET DIODE Id44 BVdass600 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | IXYS | MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK64N60Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN64N60P | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 700W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 96mΩ Gate charge: 200nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN64N60P | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 600V 64A |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN64N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP14N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX64N60P | IXYS | MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX64N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFX64N60P3 | IXYS | MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX64N60P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTY14N60X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTY14N60X2 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJMH074N60FRC | Panjit | MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJMH074N60FRC_T0_00601 | Panjit | MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET |
auf Bestellung 1491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiHA14N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW24N60C3 Produktcode: 37627 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 38 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SSS4N60B Produktcode: 27298 |
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 31 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.26 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
25C24-N60-I5-AD-DA |
Hersteller: Advanced Energy
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2642.69 EUR |
4C24-N60 |
Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1863.21 EUR |
5+ | 1831.24 EUR |
10+ | 1799.2 EUR |
25+ | 1709.47 EUR |
50+ | 1655.09 EUR |
100+ | 1654.88 EUR |
250+ | 1654.73 EUR |
AOD4N60 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.34 EUR |
AOT4N60 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.25 EUR |
AOTF4N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
66+ | 1.09 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
144+ | 0.5 EUR |
165+ | 0.43 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
AOTF4N60 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.48 EUR |
AOTF4N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
66+ | 1.09 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
144+ | 0.5 EUR |
165+ | 0.43 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
AOTF4N60 |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)APT94N60L2C3G |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 41.84 EUR |
10+ | 41.64 EUR |
25+ | 41.55 EUR |
100+ | 36.92 EUR |
BXP4N60D |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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180+ | 0.4 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
250+ | 0.29 EUR |
265+ | 0.27 EUR |
500+ | 0.26 EUR |
BXP4N60D |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
180+ | 0.4 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
250+ | 0.29 EUR |
265+ | 0.27 EUR |
500+ | 0.26 EUR |
FCD4N60TM |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 3656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 1.99 EUR |
10+ | 1.69 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.2 EUR |
2500+ | 1.14 EUR |
FCD4N60TM |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FCH104N60F |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET
MOSFET N-Channel SuperFET
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 10.91 EUR |
10+ | 9.4 EUR |
25+ | 7.2 EUR |
100+ | 6.78 EUR |
250+ | 6.76 EUR |
450+ | 5.9 EUR |
FCH104N60F-F085 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 9.89 EUR |
10+ | 8.48 EUR |
25+ | 6.74 EUR |
100+ | 5.63 EUR |
250+ | 5.47 EUR |
900+ | 5.46 EUR |
2700+ | 5.33 EUR |
FCP104N60 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 9.8 EUR |
10+ | 8.18 EUR |
50+ | 5.97 EUR |
100+ | 5.37 EUR |
500+ | 4.75 EUR |
FCP104N60F |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 9.73 EUR |
10+ | 8.99 EUR |
50+ | 6.11 EUR |
100+ | 5.58 EUR |
250+ | 5.54 EUR |
500+ | 5.23 EUR |
800+ | 4.79 EUR |
FQA24N60 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 9.24 EUR |
10+ | 7.46 EUR |
11+ | 7.05 EUR |
FQA24N60 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 14.73 EUR |
FQA24N60 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 9.24 EUR |
10+ | 7.46 EUR |
11+ | 7.05 EUR |
30+ | 6.85 EUR |
IGU04N60T |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 1.69 EUR |
10+ | 1.35 EUR |
100+ | 1.07 EUR |
500+ | 0.9 EUR |
1000+ | 0.74 EUR |
1500+ | 0.72 EUR |
10500+ | 0.71 EUR |
IGU04N60TAKMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
55+ | 1.3 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
IGU04N60TAKMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
55+ | 1.3 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
1800+ | 0.71 EUR |
IKD04N60R |
Hersteller: Infineon
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.43 EUR |
IKD04N60RATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 4076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 1.16 EUR |
10+ | 1.01 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.63 EUR |
2500+ | 0.62 EUR |
5000+ | 0.6 EUR |
IKD04N60RC2ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 10781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 1.52 EUR |
10+ | 1.19 EUR |
100+ | 0.9 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
1000+ | 0.66 EUR |
2500+ | 0.59 EUR |
5000+ | 0.55 EUR |
IKD04N60RFATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 1.72 EUR |
10+ | 1.35 EUR |
100+ | 1.07 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.76 EUR |
2500+ | 0.71 EUR |
5000+ | 0.68 EUR |
IKN04N60RC2ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 1.34 EUR |
10+ | 1.16 EUR |
100+ | 0.8 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.57 EUR |
3000+ | 0.51 EUR |
6000+ | 0.48 EUR |
IKP04N60T |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.83 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
1000+ | 1.1 EUR |
2500+ | 1.02 EUR |
IKP04N60TXKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
IKP04N60TXKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
IXFA14N60P |
Hersteller: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 8.22 EUR |
10+ | 6.9 EUR |
50+ | 4.79 EUR |
100+ | 4.28 EUR |
IXFA24N60X |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 7.05 EUR |
12+ | 6.35 EUR |
15+ | 4.78 EUR |
IXFH14N60P |
Hersteller: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 9.59 EUR |
10+ | 8.31 EUR |
30+ | 8.06 EUR |
120+ | 6.62 EUR |
270+ | 6.42 EUR |
510+ | 5.77 EUR |
1020+ | 5.09 EUR |
IXFH24N60X |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 8.45 EUR |
12+ | 5.96 EUR |
IXFH34N60X2A |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 9.02 EUR |
9+ | 8.02 EUR |
10+ | 7.56 EUR |
30+ | 7.31 EUR |
IXFK44N60 |
Hersteller: IXYS
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 45.9 EUR |
10+ | 40.8 EUR |
25+ | 38.02 EUR |
50+ | 36.84 EUR |
100+ | 35.66 EUR |
250+ | 33.28 EUR |
500+ | 30.61 EUR |
IXFK64N60P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 18.06 EUR |
6+ | 12.28 EUR |
IXFK64N60P3 |
Hersteller: IXYS
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 22.74 EUR |
10+ | 20.03 EUR |
25+ | 19.48 EUR |
50+ | 18.39 EUR |
100+ | 17.32 EUR |
250+ | 16.93 EUR |
500+ | 16.6 EUR |
IXFK64N60Q3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 35.81 EUR |
25+ | 35.18 EUR |
IXFN64N60P |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 96mΩ
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 96mΩ
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 36.31 EUR |
IXFN64N60P |
Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 56.69 EUR |
10+ | 50.27 EUR |
20+ | 48.52 EUR |
50+ | 47.41 EUR |
100+ | 43.96 EUR |
200+ | 43.24 EUR |
IXFN64N60P |
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IXFP14N60P |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
IXFP14N60P |
Hersteller: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 7.96 EUR |
10+ | 6.69 EUR |
50+ | 6.3 EUR |
100+ | 4.73 EUR |
250+ | 4.44 EUR |
500+ | 4.36 EUR |
1000+ | 4.05 EUR |
IXFX64N60P |
Hersteller: IXYS
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 35.16 EUR |
10+ | 31.24 EUR |
30+ | 27.14 EUR |
60+ | 26.72 EUR |
120+ | 25.84 EUR |
270+ | 24.96 EUR |
510+ | 23.46 EUR |
IXFX64N60P |
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IXFX64N60P3 |
Hersteller: IXYS
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 22.32 EUR |
10+ | 19.87 EUR |
30+ | 17.69 EUR |
60+ | 17.34 EUR |
120+ | 16.14 EUR |
510+ | 15.82 EUR |
IXFX64N60P3 |
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IXTP14N60X2 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.56 EUR |
15+ | 5.02 EUR |
18+ | 3.99 EUR |
20+ | 3.76 EUR |
IXTY14N60X2 |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 5.13 EUR |
20+ | 3.68 EUR |
21+ | 3.47 EUR |
IXTY14N60X2 |
Hersteller: IXYS
MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE
MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 8.15 EUR |
10+ | 6.86 EUR |
25+ | 6.46 EUR |
70+ | 5.53 EUR |
280+ | 5.14 EUR |
560+ | 4.84 EUR |
1050+ | 3.96 EUR |
PJMH074N60FRC |
Hersteller: Panjit
MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 13.39 EUR |
10+ | 11.48 EUR |
30+ | 10.4 EUR |
120+ | 9.54 EUR |
270+ | 8.99 EUR |
510+ | 8.43 EUR |
1020+ | 7.59 EUR |
PJMH074N60FRC_T0_00601 |
Hersteller: Panjit
MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 13.04 EUR |
10+ | 11.79 EUR |
30+ | 10.58 EUR |
120+ | 9.73 EUR |
270+ | 9.22 EUR |
510+ | 8.48 EUR |
1020+ | 7.37 EUR |
SiHA14N60E-E3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 3.73 EUR |
10+ | 3.12 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
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