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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
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FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 66 Stück
7 Stück - stock Köln
59 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.59 EUR
50+2.32 EUR
100+2.24 EUR
250+2.11 EUR
1000+1.78 EUR
5000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U Abracon LLC ABM14N.pdf Description: CRYSTAL 60MHZ 8PF SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.039" L x 0.031" W (1.00mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±10ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (1x.80)
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 60 MHz
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+2.49 EUR
25+2.35 EUR
50+2.25 EUR
100+2.16 EUR
250+2.04 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.39 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.24 EUR
50+1.06 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.29 EUR
100+1.15 EUR
500+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 28961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
10+2.28 EUR
100+1.48 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F onsemi fch104n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.06 EUR
30+5.44 EUR
120+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.08 EUR
10+6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi fch104n60f_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4302 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.56 EUR
30+5.49 EUR
120+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild FCH104N60F_F085-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+5.51 EUR
120+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 onsemi fcp104n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.77 EUR
50+5.47 EUR
100+5.08 EUR
500+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.68 EUR
10+5.49 EUR
100+5.09 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.23 EUR
10+4.44 EUR
100+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F onsemi fcp104n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.37 EUR
50+4.5 EUR
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FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 21 Stücke:
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FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
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FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild FQA24N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
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IGU04N60T Infineon Technologies Infineon-IGU04N60T-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
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2+1.88 EUR
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IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
70+1.03 EUR
76+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
70+1.03 EUR
76+0.95 EUR
300+0.85 EUR
900+0.75 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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20+2.04 EUR
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
104+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
104+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 4335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
17+1.09 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.1 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 3884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+0.97 EUR
100+0.66 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 8998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
15+1.22 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_06-EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.16 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60T IKP04N60T Infineon Technologies Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.23 EUR
100+1.06 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP04N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 143µJ
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
50+1.23 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.37 EUR
100+5.16 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
50+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.68 EUR
10+6.55 EUR
120+5.95 EUR
510+5.61 EUR
1020+5.49 EUR
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IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.79 EUR
10+24.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS 99442.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.28 EUR
25+22.91 EUR
100+22.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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SPW24N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 24.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
JHGF: THT
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B
Produktcode: 27298
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ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 02.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 66 Stück
7 Stück - stock Köln
59 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Hersteller: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.01 EUR
10+2.59 EUR
50+2.32 EUR
100+2.24 EUR
250+2.11 EUR
1000+1.78 EUR
5000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Hersteller: Abracon LLC
Description: CRYSTAL 60MHZ 8PF SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.039" L x 0.031" W (1.00mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±10ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (1x.80)
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 60 MHz
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.85 EUR
10+2.49 EUR
25+2.35 EUR
50+2.25 EUR
100+2.16 EUR
250+2.04 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD4N60 TO252.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
100+0.74 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.39 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF4N60L AOTF4N60.pdf
AOTF4N60L
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.24 EUR
50+1.06 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.38 EUR
10+2.29 EUR
100+1.15 EUR
500+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 28961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.41 EUR
10+2.28 EUR
100+1.48 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.06 EUR
30+5.44 EUR
120+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.08 EUR
10+6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 fch104n60f_f085-d.pdf
FCH104N60F-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4302 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.56 EUR
30+5.49 EUR
120+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085-D.PDF
FCH104N60F-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 779 Stücke:
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1+9.57 EUR
10+5.51 EUR
120+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 fcp104n60-d.pdf
FCP104N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.77 EUR
50+5.47 EUR
100+5.08 EUR
500+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.68 EUR
10+5.49 EUR
100+5.09 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.23 EUR
10+4.44 EUR
100+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.37 EUR
50+4.5 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+11.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60-D.pdf
FQA24N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.17 EUR
10+7.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60T Infineon-IGU04N60T-DS-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.88 EUR
10+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
4500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
70+1.03 EUR
76+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
70+1.03 EUR
76+0.95 EUR
300+0.85 EUR
900+0.75 EUR
1800+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
104+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
104+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0
IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0
IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 4335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.76 EUR
17+1.09 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-EN.pdf
IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
10+1.1 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 3884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.5 EUR
10+0.97 EUR
100+0.66 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.41 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
auf Bestellung 8998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
IKD04N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.94 EUR
15+1.22 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_06-EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.16 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.06 EUR
10+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60T Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf
IKP04N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.23 EUR
100+1.06 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 143µJ
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
50+1.23 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.13 EUR
10+6.37 EUR
100+5.16 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.54 EUR
13+5.88 EUR
14+5.19 EUR
50+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.68 EUR
10+6.55 EUR
120+5.95 EUR
510+5.61 EUR
1020+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.79 EUR
10+24.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P 99442.pdf
IXFK64N60P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.28 EUR
25+22.91 EUR
100+22.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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