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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPU04N60C3 TO-251-3
Produktcode: 161246
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Produktcode: 37627
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PG-TO247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 24,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/104
Montage: THT
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS4N60B SSS4N60B
Produktcode: 27298
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FS ssp4n60b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/22
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
    1+1.5 EUR
    10+1.34 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    4N60 to-220/f AAT
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    4N60 AAT TO-220/F 08+
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    15C24-N60 15C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
    auf Bestellung 1 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3016.38 EUR
    5+2708.48 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    20C24-N60 20C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
    auf Bestellung 1 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3607.19 EUR
    5+3229.59 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
    auf Bestellung 1 Stücke:
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    1+2890.52 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
    auf Bestellung 1 Stücke:
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    1+2451.35 EUR
    5+2216.07 EUR
    10+2195.43 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
    auf Bestellung 1 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+2606.94 EUR
    5+2356.72 EUR
    10+2334.9 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
    auf Bestellung 1 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3918.31 EUR
    5+3598.49 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
    auf Bestellung 1 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+2420.66 EUR
    10+2345.37 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    8C24-N60 8C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
    auf Bestellung 1 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3016.54 EUR
    5+2713.93 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.42 EUR
    10+2.98 EUR
    25+2.7 EUR
    100+2.59 EUR
    250+2.45 EUR
    500+2.34 EUR
    1000+2.31 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 30 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+2.89 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 2.7A
    Power dissipation: 104W
    Case: TO220
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 2.2Ω
    Mounting: THT
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 15nC
    auf Bestellung 907 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    49+1.75 EUR
    85+1 EUR
    100+0.88 EUR
    250+0.8 EUR
    500+0.75 EUR
    Mindestbestellmenge: 49 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 33 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.3 EUR
    Mindestbestellmenge: 33 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOT4N60 AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
    auf Bestellung 341 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+3.31 EUR
    50+1.57 EUR
    100+1.4 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 25 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.83 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220F
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1668 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+3.12 EUR
    50+1.48 EUR
    100+1.32 EUR
    500+1.04 EUR
    1000+0.95 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI FCD4N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 2.5A
    Power dissipation: 50W
    Case: DPAK
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 1.2Ω
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 2462 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    27+3.18 EUR
    34+2.53 EUR
    39+2.19 EUR
    55+1.57 EUR
    100+1.38 EUR
    250+1.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 27 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
    auf Bestellung 4104 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.69 EUR
    10+3.01 EUR
    100+2.07 EUR
    500+1.65 EUR
    1000+1.52 EUR
    2500+1.43 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+1.31 EUR
    5000+1.26 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
    auf Bestellung 8391 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+4.8 EUR
    10+3.08 EUR
    100+2.11 EUR
    500+1.69 EUR
    1000+1.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI FCH104N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 24A
    Power dissipation: 357W
    Case: TO247
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.104Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 59 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    10+8.54 EUR
    11+7.79 EUR
    13+6.58 EUR
    30+6.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-247-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-247-3
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
    auf Bestellung 326 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+15.37 EUR
    30+8.96 EUR
    120+7.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
    auf Bestellung 1520 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+15.08 EUR
    10+8.79 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220-3
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
    auf Bestellung 1741 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+12.61 EUR
    50+6.75 EUR
    100+6.18 EUR
    500+5.19 EUR
    1000+5.14 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
    auf Bestellung 791 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+9.87 EUR
    10+6.62 EUR
    100+5.63 EUR
    500+5.26 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
    auf Bestellung 799 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+9.97 EUR
    10+6.14 EUR
    100+5.71 EUR
    500+5.53 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220-3
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1187 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+13.14 EUR
    50+7.04 EUR
    100+6.46 EUR
    500+5.44 EUR
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 14.9A
    Power dissipation: 310W
    Case: TO3PN
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.24Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 145nC
    Technology: QFET®
    auf Bestellung 89 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    9+9.6 EUR
    10+8.78 EUR
    11+8.08 EUR
    30+7.96 EUR
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FQA24N60 FQA24N60 ON-Semiconductor info-tfqa24n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
    Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
    auf Bestellung 9 Stücke:
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    4+14.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
    auf Bestellung 6720 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    55+9.98 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
    auf Bestellung 730 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+15.87 EUR
    10+9.78 EUR
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    IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 30 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+2.51 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
    Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
    Type of transistor: IGBT
    Collector-emitter voltage: 600V
    Collector current: 4A
    Power dissipation: 75W
    Case: DPAK
    Gate-emitter voltage: ±20V
    Pulsed collector current: 12A
    Mounting: SMD
    Gate charge: 27nC
    Kind of package: reel; tape
    Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    Technology: TRENCHSTOP™ RC
    Turn-on time: 22ns
    Turn-off time: 317ns
    auf Bestellung 2449 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    55+1.55 EUR
    75+1.14 EUR
    106+0.8 EUR
    122+0.7 EUR
    200+0.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
    Supplier Device Package: PG-TO252-3
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
    Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
    Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
    Gate Charge: 27 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
    Power - Max: 75 W
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+0.73 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
    Supplier Device Package: PG-TO252-3
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
    Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
    Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
    Gate Charge: 27 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
    Power - Max: 75 W
    auf Bestellung 2775 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    8+2.73 EUR
    13+1.71 EUR
    100+1.13 EUR
    500+0.89 EUR
    1000+0.81 EUR
    Mindestbestellmenge: 8 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
    auf Bestellung 2670 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+3.01 EUR
    10+1.86 EUR
    100+1.23 EUR
    500+0.96 EUR
    1000+0.82 EUR
    2500+0.75 EUR
    5000+0.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
    Supplier Device Package: PG-TO252-3
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
    Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
    Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
    Gate Charge: 24 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
    Power - Max: 36.6 W
    auf Bestellung 9955 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    9+2.45 EUR
    14+1.54 EUR
    100+1.01 EUR
    500+0.79 EUR
    1000+0.71 EUR
    Mindestbestellmenge: 9 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
    auf Bestellung 13026 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.7 EUR
    10+1.58 EUR
    100+1.07 EUR
    500+0.87 EUR
    1000+0.76 EUR
    2500+0.7 EUR
    5000+0.62 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
    Supplier Device Package: PG-TO252-3
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
    Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
    Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
    Gate Charge: 24 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
    Power - Max: 36.6 W
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+0.64 EUR
    5000+0.6 EUR
    7500+0.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    Supplier Device Package: PG-TO252-3
    IGBT Type: Trench
    Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
    Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
    Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
    Gate Charge: 27 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
    Power - Max: 75 W
    auf Bestellung 2392 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+3.03 EUR
    11+1.92 EUR
    100+1.27 EUR
    500+1 EUR
    1000+0.92 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
    auf Bestellung 2192 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+3.22 EUR
    10+1.87 EUR
    100+1.3 EUR
    500+1.05 EUR
    1000+0.93 EUR
    2500+0.83 EUR
    5000+0.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
    Supplier Device Package: PG-SOT223-3
    Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
    Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
    Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
    Gate Charge: 24 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
    Power - Max: 6.8 W
    auf Bestellung 809 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    10+2.26 EUR
    15+1.42 EUR
    100+0.93 EUR
    500+0.73 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
    Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
    Type of transistor: IGBT
    Technology: TRENCHSTOP™
    Power dissipation: 42W
    Case: TO220-3
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Gate-emitter voltage: ±20V
    Collector current: 4A
    Collector-emitter voltage: 600V
    Gate charge: 27nC
    Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    Pulsed collector current: 12A
    Turn-on time: 21ns
    Turn-off time: 207ns
    auf Bestellung 256 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    41+2.07 EUR
    73+1.17 EUR
    85+1 EUR
    90+0.95 EUR
    97+0.88 EUR
    103+0.83 EUR
    250+0.76 EUR
    Mindestbestellmenge: 41 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKU04N60R IKU04N60R Infineon Technologies INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
    Supplier Device Package: PG-TO251-3
    IGBT Type: Trench
    Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
    Switching Energy: 240µJ
    Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
    Gate Charge: 27 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
    Power - Max: 75 W
    auf Bestellung 1500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    457+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 457 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
    auf Bestellung 291 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+12.88 EUR
    10+6.89 EUR
    100+6.87 EUR
    500+6.01 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 24A
    Power dissipation: 400W
    Case: TO263
    On-state resistance: 0.175Ω
    Mounting: SMD
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Reverse recovery time: 140ns
    Gate charge: 47nC
    Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
    auf Bestellung 14 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    11+7.78 EUR
    13+7 EUR
    14+6.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 11 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
    auf Bestellung 230 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+14.74 EUR
    10+10.03 EUR
    120+8.23 EUR
    510+7 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HiPerFET™; X2-Class
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 34A
    Power dissipation: 540W
    Case: TO247-3
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.1Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Reverse recovery time: 164ns
    Pulsed drain current: 68A
    Gate charge: 56nC
    Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
    Application: automotive industry
    auf Bestellung 1 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1+85.08 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS 99442.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
    Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
    auf Bestellung 334 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+50.79 EUR
    25+33.28 EUR
    100+29.13 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
    auf Bestellung 370 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+47.1 EUR
    10+34.09 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HiPerFET™; Polar3™
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 64A
    Power dissipation: 1.13kW
    Case: TO264
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.1Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Reverse recovery time: 250ns
    Gate charge: 145nC
    auf Bestellung 37 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4+24.29 EUR
    5+21.03 EUR
    10+19.19 EUR
    25+17.15 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
    Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
    auf Bestellung 290 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+39.54 EUR
    25+25.37 EUR
    100+22.02 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
    auf Bestellung 1629 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+38.79 EUR
    10+24.91 EUR
    100+23.86 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 64A
    Power dissipation: 1.25kW
    Case: TO264
    On-state resistance: 95mΩ
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 0.19µC
    auf Bestellung 13 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    5+19.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
    auf Bestellung 892 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+72.11 EUR
    10+55.45 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS 99443.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
    Packaging: Tube
    Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    Mounting Type: Chassis Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
    Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    Supplier Device Package: SOT-227B
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
    auf Bestellung 608 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+73.49 EUR
    10+54.67 EUR
    100+46.79 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SPU04N60C3 TO-251-3
    Produktcode: 161246
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    Transistoren > MOSFET N-CH
    auf Bestellung 1 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SPW24N60C3
    Produktcode: 37627
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    SPW24N60C3
    Hersteller: Infineon
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: PG-TO247
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
    Drain-Strom Idd, A: 24,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/104
    Montage: THT
    auf Bestellung 11 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SSS4N60B
    Produktcode: 27298
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		ssp4n60b.pdf
    SSS4N60B
    Hersteller: FS
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220F
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
    Drain-Strom Idd, A: 2,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/22
    Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
    Montage: THT
    verfügbar: 3 St.
      AnzahlPrivatkunde
      1+1.5 EUR
      10+1.34 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      4N60
      Hersteller: to-220/f
      AAT
      auf Bestellung 5000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      4N60 AAT
      TO-220/F 08+
      auf Bestellung 5000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      15C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
      15C24-N60
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+3016.38 EUR
      5+2708.48 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      20C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
      20C24-N60
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+3607.19 EUR
      5+3229.59 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf
      25C24-N60-I5-AD-DA
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+2890.52 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
      2C24-N60
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+2451.35 EUR
      5+2216.07 EUR
      10+2195.43 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
      2C24-N60-I5
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+2606.94 EUR
      5+2356.72 EUR
      10+2334.9 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      30C24-N60-I5-DA ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
      30C24-N60-I5-DA
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+3918.31 EUR
      5+3598.49 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
      4C24-N60
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+2420.66 EUR
      10+2345.37 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      8C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
      8C24-N60
      Hersteller: Advanced Energy / Ultravolt
      DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+3016.54 EUR
      5+2713.93 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
      ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
      Hersteller: ABRACON
      Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
      auf Bestellung 1000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+3.42 EUR
      10+2.98 EUR
      25+2.7 EUR
      100+2.59 EUR
      250+2.45 EUR
      500+2.34 EUR
      1000+2.31 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOD4N60 info-taod4n60.pdf
      AOD4N60
      Hersteller: ALPHA&OMEGA
      Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 30 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      20+2.89 EUR
      Mindestbestellmenge: 20 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOT4N60 AOT4N60.pdf
      AOT4N60
      Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 2.7A
      Power dissipation: 104W
      Case: TO220
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 2.2Ω
      Mounting: THT
      Kind of channel: enhancement
      Gate charge: 15nC
      auf Bestellung 907 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      49+1.75 EUR
      85+1 EUR
      100+0.88 EUR
      250+0.8 EUR
      500+0.75 EUR
      Mindestbestellmenge: 49 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOT4N60 info-taot4n60.pdf
      AOT4N60
      Hersteller: ALPHA&OMEGA
      Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 33 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      50+1.3 EUR
      Mindestbestellmenge: 33 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOT4N60 AOT4N60.pdf
      AOT4N60
      Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
      Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
      auf Bestellung 341 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      7+3.31 EUR
      50+1.57 EUR
      100+1.4 EUR
      Mindestbestellmenge: 7 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
      AOTF4N60
      Hersteller: ALPHA&OMEGA
      Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 25 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      25+1.83 EUR
      Mindestbestellmenge: 25 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOTF4N60L AOTF4N60.pdf
      AOTF4N60L
      Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
      Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3 Full Pack
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220F
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
      auf Bestellung 1668 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      7+3.12 EUR
      50+1.48 EUR
      100+1.32 EUR
      500+1.04 EUR
      1000+0.95 EUR
      Mindestbestellmenge: 7 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
      FCD4N60TM
      Hersteller: ONSEMI
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 2.5A
      Power dissipation: 50W
      Case: DPAK
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 1.2Ω
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 2462 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      27+3.18 EUR
      34+2.53 EUR
      39+2.19 EUR
      55+1.57 EUR
      100+1.38 EUR
      250+1.24 EUR
      Mindestbestellmenge: 27 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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      FCD4N60TM
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
      auf Bestellung 4104 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+4.69 EUR
      10+3.01 EUR
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      FCD4N60TM
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-252AA
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
      auf Bestellung 7500 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2500+1.31 EUR
      5000+1.26 EUR
      Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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      FCD4N60TM
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-252AA
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
      auf Bestellung 8391 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      5+4.8 EUR
      10+3.08 EUR
      100+2.11 EUR
      500+1.69 EUR
      1000+1.55 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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      FCH104N60F
      Hersteller: ONSEMI
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 24A
      Power dissipation: 357W
      Case: TO247
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 0.104Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 59 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      10+8.54 EUR
      11+7.79 EUR
      13+6.58 EUR
      30+6.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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      FCH104N60F
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-247-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
      Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-247-3
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
      auf Bestellung 326 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+15.37 EUR
      30+8.96 EUR
      120+7.54 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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      FCH104N60F
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs N-Channel SuperFET
      auf Bestellung 1520 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+15.08 EUR
      10+8.79 EUR
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      FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
      FCP104N60
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
      Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220-3
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
      auf Bestellung 1741 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+12.61 EUR
      50+6.75 EUR
      100+6.18 EUR
      500+5.19 EUR
      1000+5.14 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
      FCP104N60
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
      auf Bestellung 791 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+9.87 EUR
      10+6.62 EUR
      100+5.63 EUR
      500+5.26 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
      FCP104N60F
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
      auf Bestellung 799 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+9.97 EUR
      10+6.14 EUR
      100+5.71 EUR
      500+5.53 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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      FCP104N60F
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
      Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220-3
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
      auf Bestellung 1187 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+13.14 EUR
      50+7.04 EUR
      100+6.46 EUR
      500+5.44 EUR
      1000+5.41 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FQA24N60 FQA24N60.pdf
      FQA24N60
      Hersteller: ONSEMI
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 14.9A
      Power dissipation: 310W
      Case: TO3PN
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 0.24Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Gate charge: 145nC
      Technology: QFET®
      auf Bestellung 89 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      9+9.6 EUR
      10+8.78 EUR
      11+8.08 EUR
      30+7.96 EUR
      Mindestbestellmenge: 9 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FQA24N60 info-tfqa24n60.pdf
      FQA24N60
      Hersteller: ON-Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
      Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
      auf Bestellung 9 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4+14.18 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
      FQA24N60
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
      auf Bestellung 6720 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      55+9.98 EUR
      Mindestbestellmenge: 55 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
      FQA24N60
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs 600V N-Channel QFET
      auf Bestellung 730 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+15.87 EUR
      10+9.78 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
      IKD04N60R
      Hersteller: Infineon
      Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 30 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      20+2.51 EUR
      Mindestbestellmenge: 20 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
      IKD04N60RATMA1
      Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
      Category: SMD IGBT transistors
      Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
      Type of transistor: IGBT
      Collector-emitter voltage: 600V
      Collector current: 4A
      Power dissipation: 75W
      Case: DPAK
      Gate-emitter voltage: ±20V
      Pulsed collector current: 12A
      Mounting: SMD
      Gate charge: 27nC
      Kind of package: reel; tape
      Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
      Technology: TRENCHSTOP™ RC
      Turn-on time: 22ns
      Turn-off time: 317ns
      auf Bestellung 2449 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      55+1.55 EUR
      75+1.14 EUR
      106+0.8 EUR
      122+0.7 EUR
      200+0.68 EUR
      Mindestbestellmenge: 55 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKD04N60RATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
      IKD04N60RATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
      Supplier Device Package: PG-TO252-3
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
      Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
      Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
      Gate Charge: 27 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
      Power - Max: 75 W
      auf Bestellung 2500 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2500+0.73 EUR
      Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKD04N60RATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
      IKD04N60RATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
      Supplier Device Package: PG-TO252-3
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
      Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
      Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
      Gate Charge: 27 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
      Power - Max: 75 W
      auf Bestellung 2775 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      8+2.73 EUR
      13+1.71 EUR
      100+1.13 EUR
      500+0.89 EUR
      1000+0.81 EUR
      Mindestbestellmenge: 8 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf
      IKD04N60RATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
      auf Bestellung 2670 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+3.01 EUR
      10+1.86 EUR
      100+1.23 EUR
      500+0.96 EUR
      1000+0.82 EUR
      2500+0.75 EUR
      5000+0.67 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
      IKD04N60RC2ATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
      Supplier Device Package: PG-TO252-3
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
      Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
      Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
      Gate Charge: 24 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
      Power - Max: 36.6 W
      auf Bestellung 9955 Stücke:
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      IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
      IKD04N60RC2ATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
      auf Bestellung 13026 Stücke:
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      IKD04N60RC2ATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
      Supplier Device Package: PG-TO252-3
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
      Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
      Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
      Gate Charge: 24 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
      Power - Max: 36.6 W
      auf Bestellung 7500 Stücke:
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      2500+0.64 EUR
      5000+0.6 EUR
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      IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
      IKD04N60RFATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
      Supplier Device Package: PG-TO252-3
      IGBT Type: Trench
      Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
      Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
      Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
      Gate Charge: 27 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
      Power - Max: 75 W
      auf Bestellung 2392 Stücke:
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      7+3.03 EUR
      11+1.92 EUR
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      500+1 EUR
      1000+0.92 EUR
      Mindestbestellmenge: 7 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
      IKD04N60RFATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
      auf Bestellung 2192 Stücke:
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      10+1.87 EUR
      100+1.3 EUR
      500+1.05 EUR
      1000+0.93 EUR
      2500+0.83 EUR
      5000+0.74 EUR
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
      IKN04N60RC2ATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
      Supplier Device Package: PG-SOT223-3
      Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
      Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
      Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
      Gate Charge: 24 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
      Power - Max: 6.8 W
      auf Bestellung 809 Stücke:
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      AnzahlPrivatkunde
      10+2.26 EUR
      15+1.42 EUR
      100+0.93 EUR
      500+0.73 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
      IKP04N60TXKSA1
      Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
      Category: THT IGBT transistors
      Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
      Type of transistor: IGBT
      Technology: TRENCHSTOP™
      Power dissipation: 42W
      Case: TO220-3
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Gate-emitter voltage: ±20V
      Collector current: 4A
      Collector-emitter voltage: 600V
      Gate charge: 27nC
      Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
      Pulsed collector current: 12A
      Turn-on time: 21ns
      Turn-off time: 207ns
      auf Bestellung 256 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      41+2.07 EUR
      73+1.17 EUR
      85+1 EUR
      90+0.95 EUR
      97+0.88 EUR
      103+0.83 EUR
      250+0.76 EUR
      Mindestbestellmenge: 41 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKU04N60R INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      IKU04N60R
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
      Supplier Device Package: PG-TO251-3
      IGBT Type: Trench
      Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
      Switching Energy: 240µJ
      Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
      Gate Charge: 27 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
      Power - Max: 75 W
      auf Bestellung 1500 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      457+1.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 457 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
      IXFA14N60P
      Hersteller: IXYS
      MOSFETs 600V 14A
      auf Bestellung 291 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+12.88 EUR
      10+6.89 EUR
      100+6.87 EUR
      500+6.01 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
      IXFA24N60X
      Hersteller: IXYS
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 24A
      Power dissipation: 400W
      Case: TO263
      On-state resistance: 0.175Ω
      Mounting: SMD
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Reverse recovery time: 140ns
      Gate charge: 47nC
      Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
      auf Bestellung 14 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      11+7.78 EUR
      13+7 EUR
      14+6.18 EUR
      Mindestbestellmenge: 11 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
      IXFH14N60P
      Hersteller: IXYS
      MOSFETs 600V 14A
      auf Bestellung 230 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+14.74 EUR
      10+10.03 EUR
      120+8.23 EUR
      510+7 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
      IXFH34N60X2A
      Hersteller: IXYS
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Technology: HiPerFET™; X2-Class
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 34A
      Power dissipation: 540W
      Case: TO247-3
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 0.1Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Reverse recovery time: 164ns
      Pulsed drain current: 68A
      Gate charge: 56nC
      Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
      Application: automotive industry
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+85.08 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFK64N60P 99442.pdf
      IXFK64N60P
      Hersteller: IXYS
      Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
      Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
      auf Bestellung 334 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+50.79 EUR
      25+33.28 EUR
      100+29.13 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
      IXFK64N60P
      Hersteller: IXYS
      MOSFETs 600V 64A
      auf Bestellung 370 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+47.1 EUR
      10+34.09 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
      IXFK64N60P3
      Hersteller: IXYS
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
      Type of transistor: N-MOSFET
      Technology: HiPerFET™; Polar3™
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 64A
      Power dissipation: 1.13kW
      Case: TO264
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 0.1Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Reverse recovery time: 250ns
      Gate charge: 145nC
      auf Bestellung 37 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4+24.29 EUR
      5+21.03 EUR
      10+19.19 EUR
      25+17.15 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFK64N60P3 DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf
      IXFK64N60P3
      Hersteller: IXYS
      Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
      Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
      Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
      auf Bestellung 290 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+39.54 EUR
      25+25.37 EUR
      100+22.02 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
      IXFK64N60P3
      Hersteller: IXYS
      MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
      auf Bestellung 1629 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+38.79 EUR
      10+24.91 EUR
      100+23.86 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
      IXFK64N60Q3
      Hersteller: IXYS
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 64A
      Power dissipation: 1.25kW
      Case: TO264
      On-state resistance: 95mΩ
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Gate charge: 0.19µC
      auf Bestellung 13 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      5+19.18 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFN64N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF
      IXFN64N60P
      Hersteller: IXYS
      MOSFET Modules 600V 64A
      auf Bestellung 892 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+72.11 EUR
      10+55.45 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IXFN64N60P description 99443.pdf
      IXFN64N60P
      Hersteller: IXYS
      Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
      Packaging: Tube
      Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
      Mounting Type: Chassis Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
      Supplier Device Package: SOT-227B
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
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