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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| S29GL064N90TFI03 | SPANSION | TSSOP4 |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI03 | SPANSION |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI04 | SPANSION | 2010+ |
auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI04 | SPANSION | 07/09+ |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI04 | SPANSION | TSOP48 |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI040. |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI040A | SPANSION | TSOP48 |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI040H | SPANSION |
 TSOP |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI040H | SPANSION |
TSOP48 |
auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI07 |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFI40 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL064N90TFIR20 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SN74ABT244N(95) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSF4N90AS |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSI4N90A |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSP4N90 | Fairchild |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSS4N90 |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSS4N90AS |
auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSW4N90A |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSW4N90AS |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSW4N90ATM |
auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STCA0604N9 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STCA0604N9-H |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STP4N90 |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| TCA0604N9 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| TMP47C634N-9210 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| TMP87CK41F-4N96 |
auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Переключатель П2Г-3 3П4Н (90г) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| Переключатель П2Г-3 3П4Н (91г) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| Переключатель П2Г-3 7П4Н (90г) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| Переключатель ПГК 5П4Н (92г) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| Переключатель ПГК 6П4Н (91г) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| Переключатель ПГК 6П4Н (92г) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| Транзистор польовий FQPF4N90C 4A 900V N-ch TO-220F |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL064N90FFI020 Produktcode: 132732 |
IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
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S29GL064N90TF104 Produktcode: 106335 |
IC > IC andere |
Produkt ist nicht verfügbar
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S29GL064N90TFI020 Produktcode: 100581 |
IC > IC Speicher 8542 39 90 00 |
Produkt ist nicht verfügbar
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S29GL064N90TFI030 Produktcode: 126455 |
IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
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S29GL064N90TFI040 Produktcode: 108724 |
 IC > IC andere |
Produkt ist nicht verfügbar
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| DFL75-2LPP-084N9D-A-100 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-100 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DFL75-2LPP-084N9D-A-150 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-150 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| DFL75-2LPP-084N9D-A-200 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-200 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DFL75-2LPP-084N9D-A-300 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-300 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DFL75-2LPP-084N9D-A-50 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-50 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQI4N90TU | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.65A Pulsed drain current: 16.8A Power dissipation: 140W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH24N90P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYH24N90C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 24A Power dissipation: 240W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 110A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYH24N90C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 24A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| JVR14N911K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 550VAC; 745VDC; 910V; 4.5kA; 204J; 600mW Mounting: THT Power: 0.6W Tolerance: ±10% Max. operating voltage: 550V AC; 745V DC Terminal pitch: 7.5mm Leads: straight Kind of package: bag Manufacturer series: STANDARD Energy E10/1000µs: 204J Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 910V Varistor max current 8/20µs: 4.5kA Max body dimensions: Ø14mm Anzahl je Verpackung: 9000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| LQW18CN4N9D0HD | MURATA |
Category: SMD 0402 inductors Description: Inductor: wire; SMD; 0603; 4.9nH; 2600mA; 0.015Ω; 2300MHz; -40÷125°C Mounting: SMD Case - inch: 0603 Case - mm: 1608 Operating temperature: -40...125°C Manufacturer series: LQW Operating current: 2.6A Tolerance: ±0,5nH Inductance: 4.9nH Type of inductor: wire Resonant frequency: 2.3GHz Resistance: 15mΩ Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Gate charge: 5.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WMK4N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 65W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WMK4N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WML4N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WML4N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WMM4N90D1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 65W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WMM4N90D1B | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 63W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WMO4N90D1C | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
| Транзистор польовий FQPF4N90C 4A 900V N-ch TO-220F |
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DFL75-2LPP-084N9D-A-100 |
|
Hersteller: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-100
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-100
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| DFL75-2LPP-084N9D-A-150 |
|
Hersteller: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-150
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-150
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| DFL75-2LPP-084N9D-A-200 |
|
Hersteller: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| DFL75-2LPP-084N9D-A-300 |
|
Hersteller: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-300
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-300
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| DFL75-2LPP-084N9D-A-50 |
|
Hersteller: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-50
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-50
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| FQI4N90TU |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| IXFH24N90P |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| IXYH24N90C3 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| IXYH24N90C3D1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| JVR14N911K87PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 550VAC; 745VDC; 910V; 4.5kA; 204J; 600mW
Mounting: THT
Power: 0.6W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 550V AC; 745V DC
Terminal pitch: 7.5mm
Leads: straight
Kind of package: bag
Manufacturer series: STANDARD
Energy E10/1000µs: 204J
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 910V
Varistor max current 8/20µs: 4.5kA
Max body dimensions: Ø14mm
Anzahl je Verpackung: 9000 Stücke
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 550VAC; 745VDC; 910V; 4.5kA; 204J; 600mW
Mounting: THT
Power: 0.6W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 550V AC; 745V DC
Terminal pitch: 7.5mm
Leads: straight
Kind of package: bag
Manufacturer series: STANDARD
Energy E10/1000µs: 204J
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 910V
Varistor max current 8/20µs: 4.5kA
Max body dimensions: Ø14mm
Anzahl je Verpackung: 9000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| LQW18CN4N9D0HD |
|
Hersteller: MURATA
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0603; 4.9nH; 2600mA; 0.015Ω; 2300MHz; -40÷125°C
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -40...125°C
Manufacturer series: LQW
Operating current: 2.6A
Tolerance: ±0,5nH
Inductance: 4.9nH
Type of inductor: wire
Resonant frequency: 2.3GHz
Resistance: 15mΩ
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0603; 4.9nH; 2600mA; 0.015Ω; 2300MHz; -40÷125°C
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -40...125°C
Manufacturer series: LQW
Operating current: 2.6A
Tolerance: ±0,5nH
Inductance: 4.9nH
Type of inductor: wire
Resonant frequency: 2.3GHz
Resistance: 15mΩ
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| STD4N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| STF4N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| STP4N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| WMK4N90D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| WMK4N90D1B |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| WML4N90D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| WML4N90D1B |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| WMM4N90D1 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| WMM4N90D1B |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| WMO4N90D1C |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar