Suchergebnisse für "65r099" : 24

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+5.93 EUR
100+4.28 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBE65R099CFD7AATMA1 IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPBE65R099CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.93 EUR
10+7.16 EUR
100+5.26 EUR
500+4.68 EUR
1000+4.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; 186W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 186W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1 IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+4.54 EUR
500+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6 IPW65R099C6 Infineon Technologies Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.09 EUR
10+7.83 EUR
100+6.53 EUR
480+5.81 EUR
1200+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099CFD7AXKSA1 IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.66 EUR
10+5.56 EUR
100+4.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT65R099HF MOT 650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R099C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7XTMA1 IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R099CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7 IPL65R099C7 Infineon Technologies Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R099C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R099CFD7XTMA1 IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT65R099CFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6FKSA1 IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DBJ WSJM65R099DBJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DB Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DQ.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors WSJM65R099D Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTLJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTL Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DWQ WSJM65R099DWQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DW Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DXQ WSJM65R099DXQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DX Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.85 EUR
10+5.93 EUR
100+4.28 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon_IPBE65R099CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPBE65R099CFD7AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.93 EUR
10+7.16 EUR
100+5.26 EUR
500+4.68 EUR
1000+4.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; 186W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 186W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon_IPP65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP65R099CFD7AAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.59 EUR
10+4.54 EUR
500+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6 Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf
IPW65R099C6
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.09 EUR
10+7.83 EUR
100+6.53 EUR
480+5.81 EUR
1200+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPW65R099CFD7AXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.66 EUR
10+5.56 EUR
100+4.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT65R099HF
Hersteller: MOT
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6-DTE.pdf
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon_IPDQ65R099CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6-DTE.pdf
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7 Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL65R099C7
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7-DTE.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6-DTE.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon_IPT65R099CFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPT65R099CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6FKSA1 Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf
IPW65R099C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DBJ WSJM65R099DB Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DBJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WSJM65R099DQ.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WSJM65R099D Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTL Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DTLJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DWQ WSJM65R099DW Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DXQ WSJM65R099DX Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DXQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH