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IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPBE65R099CFD7AATMA1 IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R099CFD7A-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPDQ65R099CFD7XTMA1 IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R099CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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750+3.2 EUR
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IPP65R099CFD7AAKSA1 IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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250+4.47 EUR
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IPT65R099CFD7XTMA1 IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT65R099CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPW65R099C6 IPW65R099C6 Infineon Technologies Infineon-IPW65R099C6-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
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IPW65R099CFD7AXKSA1 IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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10+10 EUR
25+6.14 EUR
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240+5 EUR
480+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2035047-2 2035047-2 TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK 2035047_Dwg.pdf Description: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK - 2035047-2 - Zubehör für Steckverbinder, Endgehäuse
tariffCode: 85366990
Art des Zubehörs: Endgehäuse
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Steckverbinder der Produktreihe AMPSEAL von AMP für Kfz-Anwendungen
usEccn: EAR99
Produktpalette: AMPSEAL Series
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8958 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 101475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
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IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R099C7 IPL65R099C7 Infineon Technologies Infineon-IPL65R099C7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R099C7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6FKSA1 IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R099C6-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
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WSJM65R099DBJ WSJM65R099DBJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DB Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E35F3F2C7140D6&compId=WSJM65R099DQ.pdf?ci_sign=3a234b4c4562c2a8dca11ae94957239c205d3640 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors WSJM65R099D Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E3627BC55640D6&compId=WSJM65R099DTLJ.pdf?ci_sign=e9d7328c240f8c39d9b26d105a04afbcc3690ae4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTL Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DWQ WSJM65R099DWQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DW Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DXQ WSJM65R099DXQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DX Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.55 EUR
10+5.79 EUR
100+4.17 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.77 EUR
2000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R099CFD7A-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IPBE65R099CFD7AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.96 EUR
10+6 EUR
100+4.33 EUR
1000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.49 EUR
10+4.65 EUR
100+4.05 EUR
500+3.85 EUR
750+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.14 EUR
10+4.28 EUR
100+3.68 EUR
500+3.36 EUR
750+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPP65R099CFD7AAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.48 EUR
10+8.22 EUR
25+4.56 EUR
100+4.49 EUR
250+4.47 EUR
500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R099CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPT65R099CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.29 EUR
10+5.03 EUR
100+3.61 EUR
500+3.1 EUR
2000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6 Infineon-IPW65R099C6-DS-v02_00-en.pdf
IPW65R099C6
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.59 EUR
10+7.83 EUR
100+6.51 EUR
480+5.76 EUR
1200+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPW65R099CFD7AXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.24 EUR
10+10 EUR
25+6.14 EUR
100+5.14 EUR
240+5 EUR
480+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2035047-2 2035047_Dwg.pdf
2035047-2
Hersteller: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK
Description: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK - 2035047-2 - Zubehör für Steckverbinder, Endgehäuse
tariffCode: 85366990
Art des Zubehörs: Endgehäuse
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Steckverbinder der Produktreihe AMPSEAL von AMP für Kfz-Anwendungen
usEccn: EAR99
Produktpalette: AMPSEAL Series
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 101475 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPB65R099C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R099C7 Infineon-IPL65R099C7-DS-v02_01-EN.pdf
IPL65R099C7
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPL65R099C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPL65R099C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R099C7AUMA1 Infineon-IPL65R099C7-DS-v02_01-EN.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPP65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPP65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW65R099C6FKSA1 Infineon-IPW65R099C6-DS-v02_00-en.pdf
IPW65R099C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
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WSJM65R099DBJ WSJM65R099DB Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DBJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WSJM65R099DQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E35F3F2C7140D6&compId=WSJM65R099DQ.pdf?ci_sign=3a234b4c4562c2a8dca11ae94957239c205d3640
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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WSJM65R099DQ WSJM65R099D Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WSJM65R099DTLJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E3627BC55640D6&compId=WSJM65R099DTLJ.pdf?ci_sign=e9d7328c240f8c39d9b26d105a04afbcc3690ae4
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTL Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DTLJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WSJM65R099DWQ WSJM65R099DW Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WSJM65R099DXQ WSJM65R099DX Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DXQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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