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IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362233.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPBE65R099CFD7AATMA1 IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPBE65R099CFD7A_DataSheet_v02_02_EN-3362352.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3324419.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPDQ65R099CFD7XTMA1 IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R099CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3159489.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPP65R099CFD7AAKSA1 IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362856.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPT65R099CFD7XTMA1 IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT65R099CFD7_DataSheet_v02_01_EN-3159599.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPW65R099C6 IPW65R099C6 Infineon Technologies Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en-1731982.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
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IPW65R099CFD7AXKSA1 IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362685.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 300mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 300mA
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R099C7 IPL65R099C7 Infineon Technologies Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN-1731749.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN-1731749.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6FKSA1 IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en-1731982.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
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WSJM65R099DBJ WSJM65R099DBJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DB_Product_Rev_01-3436318.pdf MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E35F3F2C7140D6&compId=WSJM65R099DQ.pdf?ci_sign=3a234b4c4562c2a8dca11ae94957239c205d3640 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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WSJM65R099DQ WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors WSJM65R099D_Product_Rev_01-3435939.pdf MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E3627BC55640D6&compId=WSJM65R099DTLJ.pdf?ci_sign=e9d7328c240f8c39d9b26d105a04afbcc3690ae4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTL_Product_Rev_01-3436679.pdf MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DWQ WSJM65R099DWQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DW_Product_Rev_01-3436171.pdf MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WSJM65R099DXQ WSJM65R099DXQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DX_Product_Rev_01-3436229.pdf MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon_IPB65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362233.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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500+3.77 EUR
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IPBE65R099CFD7AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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10+6.32 EUR
100+4.58 EUR
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IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon_IPDQ65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3324419.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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10+5.19 EUR
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100+4.42 EUR
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IPDQ65R099CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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10+4.88 EUR
25+4.49 EUR
100+4.05 EUR
250+3.85 EUR
500+3.63 EUR
750+3.34 EUR
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IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon_IPP65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362856.pdf
IPP65R099CFD7AAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Anzahl Preis
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10+8.22 EUR
25+4.73 EUR
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IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon_IPT65R099CFD7_DataSheet_v02_01_EN-3159599.pdf
IPT65R099CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPW65R099C6 Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en-1731982.pdf
IPW65R099C6
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
auf Bestellung 166 Stücke:
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IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon_IPW65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362685.pdf
IPW65R099CFD7AXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 113 Stücke:
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Anzahl Preis
1+10.58 EUR
10+10.1 EUR
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2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 102510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPI65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7 Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN-1731749.pdf
IPL65R099C7
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPL65R099C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN-1731749.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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IPP65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R099C6FKSA1 Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en-1731982.pdf
IPW65R099C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DBJ WSJM65R099DB_Product_Rev_01-3436318.pdf
WSJM65R099DBJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E35F3F2C7140D6&compId=WSJM65R099DQ.pdf?ci_sign=3a234b4c4562c2a8dca11ae94957239c205d3640
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DQ WSJM65R099D_Product_Rev_01-3435939.pdf
WSJM65R099DQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93E3627BC55640D6&compId=WSJM65R099DTLJ.pdf?ci_sign=e9d7328c240f8c39d9b26d105a04afbcc3690ae4
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTL_Product_Rev_01-3436679.pdf
WSJM65R099DTLJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DWQ WSJM65R099DW_Product_Rev_01-3436171.pdf
WSJM65R099DWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSJM65R099DXQ WSJM65R099DX_Product_Rev_01-3436229.pdf
WSJM65R099DXQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH